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2016年第9期(发布时间: Jul 26, 2016 发布者:腾飞)  下载: 2016年第9期.doc       全选  导出
1   2016-07-26 15:23:00.223 中关村打造集成电路产业园 (点击量:19)

北京中关村科技园区管委会及北京市海淀区政府近日发布新举措,中关村将在全球范围内,对为区域集成电路设计产业做出贡献的具有国际影响力的特大型企业给予1亿元的资金支持。同时,区域将搭建专业化产业园、创新平台、人才配套政策等,促进产业壮大。“中关村集成电路设计园创新创业平台”具有集成电路设计领域投融资、技术研发、人才培养及创新孵化等功能。该平台将入驻位于中关村核心区北京海淀区“中关村集成电路设计园”,规划有16座研发楼宇、22万平方米空间,设计年产值达300亿元。 海淀区常务副区长孟景伟说,在产业空间支持之余,政府部门从多方面推出14条全新支持产业聚集政策。中关村将对引入的能为区域经济和产业发展做出巨大贡献的、具有国际影响力的特大型企业给予1亿元的资金支持。

海淀的政策还包括,对集成电路设计企业的新产品研发给予支持,对开展工程产品首轮流片的设计企业给予相关费用20%比例的资金支持,最高200万元;支持企业不断加大研发投入,按照年收入投入研发的比例,一次性给予资金奖励,最高不超过300万元。

同时,新政策也明确对海外相关高端人才的支撑措施。例如,政策明确支持企业吸引和培育全球集成电路设计领军人才,将优先落实高端人才居留与出入境、子女入学、职称评审、公租房等问题。

中关村集成电路设计园董事长苗军透露,由资源配置市场平台中关村发展集团及首创集团搭建的“中关村集成电路设计园”将于2017年竣工,2018年初投入使用,计划容纳企业150家,其中国际大型设计企业5至8家。

2   2016-07-26 15:23:26.837 在全球化市场竞争下中国LED企业须做好专利布局 (点击量:2)

近日,全球LED芯片巨头日亚化学率先点燃专利战局。随着LED产业链的不断成熟,LED企业全球化竞争中专利将成为企业布局的重中之重。本文采访了晶能光电首席技术官赵汉民,解读中国LED企业在全球化市场竞争下的专利布局策略。小编:赵总您好!当前LED产业的发展已经迈进了成熟期,专利对企业发展的影响也越来越大。随着国际化的专利战愈演愈烈,请问您是怎么看待这种局面的?

赵汉民:知识产权诉讼是商业竞争的重要手段。正如你所说,当前LED产业的发展已经迈进了成熟期,专利战在很长一段时间内将持续愈演愈烈的状态,有竞争在,专利战就不可避免,这也是中国LED企业国际化的必由之路,将成为“新常态”。但专利战的发起将不再“任性”。

小编:请您介绍一下晶能光电在LED行业拥有哪些比较重要的专利技术?这些专利在行业内有什么样的重要影响?

赵汉民:晶能光电围绕硅衬底LED技术,在外延、芯片、封装和应用都布局专利保护。具体而言,我们一些重要的专利分布在在硅衬底LED外延技术、垂直结构芯片技术、倒装芯片技术、白光芯片技术以及陶瓷封装等方面。这些专利使我们在大功率芯片技术和封装技术上有比较全面的知识产权保护。我们可以给我们的客户提供这些专利保护。

同时,利用这些专利技术,我们开发了一系列的大功率垂直结构芯片、倒装芯片和陶瓷封装产品。最近几年这些产品不仅在性能上得到迅速提升,而且市场占有率持续增大。我们的大功率LED产品性能已经达到了那些专注大功率LED的国际大厂的水平。

小编:近年来晶能光电在专利布局方面的策略和最新动态是什么?如何应对潜在竞争对手的专利围剿?

赵汉民:我们一直走的都是自主创新研发的技术路线,以自身的专利技术进军国际市场,因此,我们在欧盟、美国、日本以及韩国等LED发达地区申请了大量的专利,进行了专利布局。

面对竞争对手的专利围剿,自主创新是永不变更的主题,通过持续的创新和技术发展,不断开发自己有专利保护的核心技术和产品。除此之外,透过海外并购获取专利权,获得海外企业的卓越的创新能力,不断增强专利实力,也是晶能策略之一。

小编:在2017/2018年左右,一些国际大厂的专利将先后过期,您怎么看待后续的专利市场竞争?

  赵汉民:虽然在2017/2018年左右,一些国际大厂的重要专利会到期,尤其是日亚的核心白光专利会到期,对于LED照明来讲会带来很多利好。但是还有很多非常重要的后续的外延专利和大量的芯片、封装专利都没有到期。当然,每年都会有些专利陆续到期,但每年都会有新的专利授权。从目前的态势来看,当技术发展到一定阶段后,一些基础性的关键专利将越来越少,而LED行业中下游专利将会是未来竞争的重点。

小编:您怎样看待中国LED产业的专利和知识产权市场?有什么样的好的意见和建议?

赵汉民:专利背后代表的是创新。目前中国LED企业的专利申请数量已居全球前列,但是在专利质量上还有很大的提升空间。在市场竞争面前,我们需要尊重和积极维护知识产权,保护创新,坚决打击违反知识产权的行为,同时要加强技术创新和自身的专利保护,努力在LED技术发展上取得一席之地。

据赵汉民介绍,晶能光电自2006年开始研发颠覆性的硅衬底氮化镓LED技术,目前已在全球取得330多项专利。

基于硅衬底的氮化镓LED技术由于其氮化镓薄膜及硅衬底基板材料之间晶格常数及热膨胀系数失配的物理特性,对工业界是个长期难以解决的难题。晶能光电通过持之以恒的研发,终于取得了突破性成功,开发并产业化了150lm/W以上,高性能、高良率、达到能源之星标准要求的高可靠性硅衬底LED系列产品。

2012年6月,赵汉民出任晶能光电(江西)有限公司首席技术官。“让中国LED照明器件亮满世界”的梦想,就是那时产生的。“目前,全世界90%的鞋和玩具都是中国生产的。我希望在不久的将来,持有自主研发技术的中国LED照明器件,也能够占领世界市场的80%-90%。让全世界看到,中国不只能做代工,也有自己的尖端技术,并能借此实现更快发展。”

3   2016-07-26 15:23:45.71 LED产业链汇总及发展现状分析 (点击量:5)

LED封装产能目前供给过剩。市场竞争随之加剧,造成产品价格持续下滑,许多中小型厂商经营困难,行业洗牌也将持续进行。 当前国内共有规模以上LED封装企业1000余家,其中2/3分布在珠三角地区。据统计,深圳LED行业企业达到1800多家,是全国LED行业最为集中的地区。深圳LED封装、显示屏、照明产品质量、产量和出口量均位居全国前列。 在产业环节上,已形成“设备-材料-芯片-封装-应用”较为完整的产业链,是国内最大的LED封装基地和应用产品开发基地之一。 LED生产设备:包括了MOVVD设备、液相外镀炉、光刻机、划片机、全自动固晶机、金丝球焊机、硅铝丝超声压焊机、灌胶机、真空烘箱、芯片计数仪、芯片检测仪、倒膜机、光色点全自动分选机等。

LED发光材料和器件的原材料:包括衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是III—V族化合物半导体单晶,生产工艺比较成熟,其他材料还有金属高纯镓。原材料的纯度一般都要在6N以上。

LED芯片:主要是指LED发光材料外延制造和芯片制造。由于外延工艺的高度发展,器件的主要结构如发光层、限制层、缓冲层、反射层等均已在外延工序中完成,芯片制造主要是做正、负电极和完成分割检测。

LED封装:在半导体产业中,LED封装产业与其他半导体器件封装产业不同,它可以根据用于现实、照明、通信等不同场合,封装出不同颜色、不同形状的品种繁多的LED发光器件。

LED应用:是指应用LED显示或照明器件后形成的产业。就LED应用来讲,面应该更广,还应包括那些在家电、仪表、轻工业产品中的信息显示,但这些不足以支撑LED下游产业。其中主要的应用产业有LED显示屏、LED交通信号灯、太阳能电池LED航标灯、液晶背光源、LED车灯、LED景观灯饰、LED特殊照明等。

4   2016-07-26 15:24:05.04 台湾美国大陆已形成封测产业三大阵营 (点击量:5)

目前全球前十大封测厂已呈现三大阵营较劲的情况,包括日月光与矽品、Amkor与J-Devices、长电科技与STATS ChipPAC等,若以各阵营占全球半导体封装及测试市场的占有率观之,则日月光与矽品的市占率最高,比重约在15%左右,其次Amkor与J-Devices市占率约为7.5%左右,长电科技与STATS ChipPAC市占率则为5.1%。 日月光与矽品将共组产业控股公司,不过台湾半导体专业封测产业未来仍将面临其他的考验。首先是来自于大陆半导体封测厂商的竞争威胁,在政策加以扶植、购并综效浮现、上下游产业联盟协同效应显着、本土集成电路设计业者崛起的加持下,近两年大陆半导体封装及测试产业在质量上皆有显着提升,且2016年对岸封测产业更将进入一个新的阶段,其对于台厂威胁逐步加剧。

其次则是台湾一线封测厂商恐面临台积电持续切入高阶封测领域的威胁,台积电挟其在成为2016年Apple iPhone 7 A10应用处理器独家供应商的优势,也就是台积电拥有后段制程竞争力,其具备整合型扇型封装(Intgrated Fan Out;InFO),可望持续抢下2017年Apple iPhone 8的A11应用处理器代工订单。

在此情况下,台积电挟其先进制程芯片优势将带动后段封测订单,且也是晶圆级制程领导厂商,因而未来台积电与日月光、矽品在高阶逻辑封测领域的竞争情况将逐步浮出台面。

以第二大阵营Amkor与J-Devices而论,两家厂商的结合除了可扩大其阵营于全球半导体封装及测试市场的占有率,特别是J-Device在日本封装测试市占位居第一,并稳固Amkor全球第二大封测厂的地位之外,更有利于此阵营在全球汽车晶片封测市场的地位,预料Amkor购并J-Devices之后,在全球车用封测市场将达到龙头的地位。

以第三阵营长电科技与STATS ChipPAC来说,2016年2月中旬长电科技宣布为进一步加强与国家集成电路产业投资基金的合作,继续推进收购STATS ChipPAC后续的资源整合,降低负债比率,且长电科技在战略布局上有极高的执行率,加上全球产业转移趋势明显,国家及地方政策、资金等支援落实到位,皆将有助于长电科技未来的营运绩效。

整体来说,日月光与矽品宣布共组产业控股公司之后,未来首要需观察的是其在全球半导体封测市场是否触及反托拉斯的问题,而分属于全球第二阵营、第三阵营的美国、大陆,其对于日月光与矽品共组产业控股公司是否采取严审的态度将是关键;其次,由于台湾封测双雄的强强联合对于大陆实为利空,因而未来大陆封测企业整合的预期恐将进一步增强,台湾须提高警觉;再者,半导体封测行业合并已成为常态,意谓全球封测行业将开始进入集团化时代。

5   2016-07-22 16:24:34.703 ARM同意被日本软银收购 (点击量:2)

ARM控股有限公司已经同意被日本软银以£243亿(约322亿5000万美元)全现金收购。

对于ARM处理器知识产权许可的董事会推荐接受软银公司提供的每股17£股利,体现在7月15日星期五收盘时交易股价溢价的43%的收益。

作为交易的一部分,软银承诺不改变ARM成功合作的商业模式、文化和品牌。它还表示,将保持ARM的总部还在英国剑桥,并在未来五年,使在英国的就业人数从约1700增加至约3000。

Segars说,ARM的策略不会被谁在短期内改变,高级管理人员,还包括作为首席执行官的自己,一切将不会被改变。当被问及ARM被出售给软银是否表明公司的技术是用完的蒸汽,Segars表示否定。他说,武装技术所嵌入的900亿个芯片只是一个网络信息技术革命的开始,可能需要几十年的时间。Segars表示,来自软银的投资只会让“未来将交付得更快”。

6   2016-07-26 15:24:25.663 ARM与欧洲IMEC合作 推进INSITE计划 (点击量:1)

近日消息,ARM宣布,将参与 IMEC (欧洲微电子研究中心)代号为 INSITE 的计划,借此以强化双方的合作。据了解,INSITE 计划乃是致力于优化集成电路设计、系统层面架构的功耗表现,并且产品提高性能与降低成本。 ARM 表示,本次合作的重点是 7 纳米制程及其以上的半导体芯片为主。未来,两者进一步合作后,预计将可透过学习新技术与设计目标,加速半导体芯片的性能提升,使其在 INSITE 计划下的战略性产品能够尽早进入市场。

2009 年 IMEC 即启动的 INSITE 计划,目前有 10 个企业或单位加入,其目的在于要帮助企业或单位预测新技术,以设计出符合下一代系统的设计和应用。而且,通过 INSITE 计划中假设的学习过程,可以适当调整设计目标和权衡预期系统的性能状态,确认相关产品未来的发展路线,藉由早期技术回馈,能在产品设计的早期就决定变化。 如此,不但加快企业或单位在新技术项目上的学习周期,更可降低风险的科技应用。

而在INSITE计划下,根据最近一次的成果展现是预计 2016 年 10 到 12 月间,台积电将会量产 10 纳米 FinFET 制程的联发科 Helio X30 ,以及华为麒麟 970 芯片。而华为的麒麟 970 芯片将有望于 11 月上市的 Mate 9智能手机上被采用。至于,安装 7纳米制程芯片的智能手机,则预计将会在 2018 年左右登场。

7   2016-07-19 12:53:34.07 国际半导体技术路线图审查未来15年的芯片创新 (点击量:10)

半导体工业协会(SIA),代表美国半导体的制造、设计和研究的领导者,它已经公布了2015年半导体国际技术路线图(ITRS)新闻报告,这是一个调查2030年的半导体产业技术的挑战和机遇的合作报告。这个报告旨在确定未来的技术障碍和不足,所以工业界和研究界有效地的合作,来克服它们,并且建设下一代半导体——可以实现现代电子技术。

半导体产业协会的总裁兼首席执行官John Neuffer说:“在一个四分之一世纪里,路线图已经成为评估和推进半导体创新的一个重要路标。最新的和最后的部分提供了关于未来半导体技术的的关键结果,并作为一个有用的桥梁连接半导体研究计划的下一个浪潮。”

8   2016-07-26 15:22:36.697 氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统的应用研究 (点击量:1)

随着第三代半导体技术的迅速发展,氮化镓(GaN)功率器件迎来了快速发展期,从半导体器件的发展历程可以看到,半导体器件发展的几次飞跃都是与同时期的几种半导体材料的出现密切相关。首先,硅(Si)材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展,日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的出现。而后,砷化镓(GaAs)材料的研究使半导体的应用进入光电子学领域,利用砷化镓材料及与其类似的一些化合物半导体,如磷化铟(InP)等制造出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到了不可替代的作用,由此也带来了VCD 和多媒体等的飞速发展。这两代半导体器件在微波功率领域也占据着举足轻重的地位。

1.氮化镓功率器件的特点

以Si 材料为代表的第一代半导体功率器件在VHF、UHF、L 波段、S 波段中,雷达发射功率器件已经全面替代真空管器件,其中L 波段及以下波段硅半导体功率器件的脉冲输出功率达几百瓦,L波段以下功率已过千瓦,S 波段输出功率可达350W。GaAs 半导体功率器件最高工作频率可达30GHz~100GHz,输出功率较小。上世纪中期开始研究的第三代半导体材料氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) 等。这些材料的共同特点是它们的能带间隙在3.2 到3. 4eV 之间,是GaA s 和Si 能带间隙的二至三倍。

本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性,对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的特点加以说明。

(1)输出功率高,附加效率高 GaN HEMT 的发展得益于宽禁带半导体AlGaN/GaN 异质结材料系统,从表1 可见 GaN 的击穿场强高,比Si 和GaAs 高出数倍。具有相对低的本 征载流子产生率,由于在该异质结界面上存在自发极化和压电极化效应,两维电子气浓度很高,同时电子饱和速度较高AlGaN /GaN 异质结外延生长于宽禁带材料SiC 半绝缘衬底上,该衬底热导率优于金属铜。 其良好的散热特性有利于高功率工作[2]。GaN HEMT 还具有低寄生电容及高击穿电压的特性,非常适合实现高效率放大器。 氮化镓器件的散热效率

(2)长脉宽,高占空比 GaN HEMT 通常外延生长于宽禁带材料SiC半绝缘衬底上,该衬底热导率优于金属铜,适当控制GaN HEMT 的功率密度可轻松实现长脉宽,高占空比,在大功率连续波工作均可实现。

(3)工作频带宽,工作频率高 GaN HEMT 的截止频率直接决定了其应用的工作频率和瞬时带宽,它随沟道的掺杂浓度增加而上升,虽沟道的厚度和栅长的增加而下降[ 3 ]。由于Si半导体材料禁带能量的限制,其截止频率较低,因此Si 半导体功率器件的工作频率只能在S 波段以下工作。GaAs 器件具有比其它器件好很多的载流子迁移率,截止频率很高,但受击穿场强的限制,工作电压低,导致器件输出功率小,GaN HEMT 具有宽的禁带能量、高击穿场强和高饱和电子漂移速度的特性,补偿了这一不足而获得好的高频性能,GaN HEMT 可以工作在更高频率同时能有高输出功率。另外,GaN HEMT 的固有特性使得其输入输出阻抗较高,电路的宽带阻抗匹配更加容易实现,使得GaN HEMT 适合宽带应用。

(4)抗辐照能力强,环境适应性强 GaN 是极稳定的化合物,具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ—Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好。使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更强抗辐照能力,同时GaN 又是高熔点材料,热传导率高,GaN功率器件通常采用热传导率更优的SiC做衬底,因此GaN 功率器件具有较高的结温,能在高温环境下工作。 CREE Ku波段70W 氮化镓

2.阵列雷达对收发系统的要求

氮化镓功率器件具有工作频带宽、输出功率大、效率高等特点,特别适合于阵列雷达收发系统中应用,根据阵列雷达工作的自身特点,应用氮化镓功率器件有以下几点值得重点关注[ 3 ] 。

(1) 良好的饱和工作能力 阵列雷达收发系统通常由多级功率放大器级联组成,为了把每一级的差异对最后输出的影响减到最小,要求每一级都工作在饱和区,同时关注饱和状态下的可靠性指标。 (2) 输出脉冲前后沿 阵列雷达一般都是在脉冲状态下工作,脉冲前后沿与雷达系统的时序、测量精度密切相关,如果前后沿太大可能引起时序混乱。 (3) 输出脉冲顶降 放大器的输出脉冲顶降和许多因素有关,在保证放大器状态正常和外围电路设计良好的情况下,主要是GaN HEMT 工作时自身产生的顶降。 (4) 谐波抑制 在大规模的阵列雷达系统,由于发射在空间的辐射功率比较大,其谐波也会对一些电子设备产生干扰,因此对二次谐波甚至三次谐波都有严格的要求。 (5) 输出功率平坦度 阵列雷达通常不是在单一频点下工作,也不是通讯模式下的几个频点同时工作,而是宽带变频和跳频工作,有时频率在脉冲内随时间线性变化,则放大器的输出功率具有相应的频率响应特性。 (6) 相位稳定性 对阵列雷达而言,器件的相位稳定性直接影响雷达发射波瓣方向图的形成,相位稳定性在阵列雷达显得尤为重要。 (7) 脉间噪声 此处脉间噪声是指雷达工作在接收状态时,发射机产生的噪声,脉间噪声直接影响雷达的探测威力。 (8) 抗驻波能力和驻波状态下的稳定性 由于氮化镓器件的击穿电压较高,其抗驻波能力也相应较好,但由于增益较高,负载失配情况下易不稳定,一般要求在VSWR ≤3 的情况下相关指标仍能满足要求。 3.氮化镓功率器件的应用分析

通过阵列雷达对收发系统的要求可见,对于氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中如何应用,选择哪一类放大器的偏置,采用哪一种外围电路等与此息息相关。同时许多要求与实现方式又是环环相扣,有时不得折中考虑,以下主要从放大器工作类型、偏置电路和调制电路的选取加以分析。

(1)放大器工作类型的选取 在S 波段频率范围内的硅双极晶体管(BJT)通常为C 类自偏置工作,晶体管只需要一个集电极电压,当输入端的射频摆动电压超过发射极-基极结的内电位时,晶体管才吸取集电极电流,其集电极电流受到基极-发射极结之间流动的电流所控制。当雷达处于接收状态时,器件未被驱动,此时放大器不吸取静态直流电流,放大器没有功率耗散,处于截至状态,这类放大器特别适合阵列雷达收发系统的应用。电路简单,尤其是不需多加处理就可实现脉间噪声小这一要求,但这类放大器同时也存在弊端,与GaN HEMT 相比,工作频率较低,单级增益小,附加效率不高,不能在长脉宽、高占空比状态下使用。与BJT 不同的是GaN HEMT 通常偏置在A 类或AB 类工作,其偏置状态受栅源之间的偏置电压控制,属电压控制器件。这种工作方式对小信号仍有较高的增益,而阵列雷达发射和接收通路之间虽有一定的隔离度,但产生的漏信号经过多级联放大后,能量被放大致使雷达无法正常工作。因此,需要从偏置状态和电源调制来考虑解决这一问题。

(2)电源调制电路的选取 GaN HEMT 和GaAs FET 类似,栅极为负偏电压,采用漏极电源调制的方式,在接收期间关断放大器的电源,来确保雷达接收期间噪声要求,即脉间噪声。GaN HEMT 漏极工作电压高,输出功率大,因此,完全借鉴GaAs FET 的使用经验,是不够的,甚至出现系统不能正常工作。在GaAs FET作发射使用时,发射功率不高(通常在瓦级),环路增益相对较低,通过射频开关可以实现较好的收发隔离。而采用了GaN HEMT 通常发射功率很大(百瓦级以上),如果每级放大都偏置在A 类工作时,环路小信号增益非常高,在高集成的收发系统中收发隔离度难以控制,微小的扰动可以引起收发系统不稳定,因此在用GaN HEMT 实现发射级联时,需要适当调整偏置状态来控制小信号的增益来保证雷达收发系统稳定工作。偏向B 类C 类工作时,静态电流会减小,增益降低,采用漏极电源调时,静态电流的减小还可导致脉冲的下降沿变差,在雷达PD 处理时下降沿变差等于增加了模糊距离,也是系统难以接受的,因此可采取部分偏C类工作和部分A 类漏极电源调制工作相结合,综合考虑小信号增益,下降沿时间和脉间噪声,找出合适的平衡点是关键。

4.可靠应用氮化镓功率器件途径

提高GaN HEMT 的击穿电压、减小高工作电压下器件的射频电流偏移是提高GaN HEMT 可靠工作的有效途径。GaN HEMT 制作中提高器件击穿电压的一个重要措施就是在栅上引入场调制板(Field-Modulation Plate)等专门技术,场板的引入能有效降低栅极在漏端附近的电场强度[4],从而提高器件的击穿电压。脉冲工作的发射放大器会消耗很大的直流电流,设计时需要特别注意漏极偏置的寄生电感,因为它能产生很高的电压尖峰,从而导致GaN HEMT损坏。

结束语

综上所述,由于氮化镓功率器件具有许多优良性能,并在阵列雷达收发系统中得到应用,本文主要从阵列雷达应用设计出发点来阐述了氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用考虑和分析,由于篇幅所限,不能面面俱到,但对阵列雷达收发系统的设计具有较强的针对性和指导性,可供广大阵列雷达收发系统工程设计人员参考。

参考文献 [1] Merrill I Skolnik. 雷达手册[M]. 南京电子技术研究所,译. 北京:电子工业出版社,2010. [2] 赵正平.发展中的GaN 微电子(一)[J].中国电子科学研究院学报.,2011.6 [3] 赵正平.21 世纪初微电子技术发展展望[J]半导体技术,1999 [4] 郑新,李文辉,潘厚忠. 雷达发射机技术[M]. 电子工业出版社,2006. 9 [5] R. J. Trew,Y. Liu,W. W. Kuang,and G. L.Bilbro,“The phySics ofreliability for high voltage AlGaN/GaN HFET’s,”inIEEE CSICS Symp. Dig.,San Antonio,TX,2006.