目录
2018年第8期(发布时间: Jun 11, 2018 发布者:沈湘)  下载: 2018年第8期.doc       全选  导出
1   2018-02-27 11:39:11.71 欧盟委员会为电动汽车创新电池推出1000万欧元EIC地平线奖 (点击量:2)

欧盟委员会已经启动了六项欧洲创新委员会(EIC)地平线奖中的第五项,奖金为价值1000万欧元的电动汽车用创新电池。EIC地平线奖是欧盟创新研究框架计划“地平线2020”下欧洲创新委员会第一阶段的一部分。

该奖项将授予原型电池的开发,该电池能够为电动汽车提供与传统汽油/柴油动力小型家庭车辆相似的性能范围和充电时间。电池还应该具有相对较低的成本,耐用,安全和完全可回收。该奖旨在解决迄今为止零排放电动汽车缓慢采用的挑战,主要是由于现有电池的限制,这些电池价格昂贵且范围有限,充电时间长。

研究,科学和创新专员Carlos Moedas说:“ 这奖将提高电动汽车的使用率,这对城市居民的空气质量和健康有好处。这也将有助于欧洲提高其电池制造能力,并保持其在科学创新领域的领先地位。

2   2018-06-11 15:32:00.21 Gamma Scientific Inc.的Spectral LED RS-7-SWIR平台 (点击量:0)

Gamma Scientific Inc.的SpectralLED RS-7-SWIR平台包含9个SWIR波长,用于合成市售光源或基于进口光谱。

该产品系列的光谱范围为900至1700 nm,其75 mm输出端口的照度稳定性高于99.99%。照明精度NIST可追溯至3%,全量程线性度为0.1%RMS。通过16位DAC电流驱动器,用户可以实现长达5年的动态范围调整,光谱精度大于 2.5 nm。该固件包含光谱拟合,预设存储和实时光学反馈的全光谱校准。

选项包括光纤光传输,晶圆探针照明配置,挡板管输出和广泛的视野配置。该系统特别适用于夜视传感器,遥感传感器和工业监控设备的校准和测试,可确定量子效率,空间不均匀性,像素缺陷,串扰,响应度,线性度和灵敏度。

3   2018-03-05 11:29:29.65 GaN系统推出最高电流的GaN功率晶体管 (点击量:3)

在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子展览会(APEC 2018)展位#1041(3月4日至8日),加拿大安大略省渥太华的GaN系统公司(一家基于氮化镓功率开关的无晶圆厂开发商用于功率转换和控制应用的半导体)正在推出它声称是最强大的氮化镓晶体管系列。

该公司指出,随着功率水平的不断提高,氮化镓的优势可应用于汽车,工业和可再生能源行业更高的功率水平。

首席执行官Jim Witham说:“这是市场上最关键的GaN产品,可以针对模块进行优化,并且兼容嵌入式和传统模块技术。作为我们旗舰产品的延伸,它涵盖了氮化镓技术和我们的氮化镓功率晶体管方法的所有优势,易用性,高功率密度和高效率,这会使电源系统尺寸更小,成本更低。”

4   2018-02-27 14:20:38.937 线扫描SWIR InGaAs探测器 (点击量:2)

来自Xenics NV的XLIN-FC系列线性扫描SWIR铟镓砷(InGaAs)探测器适用于机器视觉和光谱学。

使用倒装芯片(FC)型杂交技术,可提供两种检测器类型:带有用于光谱应用的矩形像素的XLIN-FC R和用于机器视觉检测应用的方形像素XLIN-FC SQ。由于内部开发了一种新型高灵敏度读出集成电路,探测器在低照度条件下工作。 InGaAs光电探测器在900至1700 nm波长范围内也表现出高量子效率。

探测器的分辨率为512,1024或2048像素。所有三种分辨率的线速均可高达400 kHz,从而保证快速在线检测。五种增益设置可用于优化特定应用中的性能。在最高增益模式下,可以实现70个电子的低读取噪声。高动态范围模式具有大于3000的最大信噪比范围。

5   2018-03-05 11:25:01.05 采矿硬件可帮助科学家深入了解硅纳米粒子 (点击量:0)

研究人员首先建立了光与纳米颗粒相互作用的三维动力学模型。他们用一台超级计算机用图形加速器计算。结果表明,在短时间强激光脉冲作用下,硅粒子暂时失去对称性。它们的光学性质变得非常不均匀。这种性质的变化取决于颗粒大小,因此它可以用于超快速信息处理纳米级器件的光控制。该研究发表在先进的光学材料上。

当今对计算设备的改进需要进一步加速信息处理。纳米光子学是可以通过光学器件解决这个问题的学科之一。尽管光信号的传输和处理速度比电子信号快得多,但首先,需要学习如何在小范围内快速控制光线。为此,可以使用金属颗粒。他们有效地定位光线,但是最终导致重大损失。然而,可以使用电介质和半导体材料(例如硅)代替金属。

6   2018-03-05 11:25:50.517 Navitas的GaNFast功率IC可实现最薄的旅行适配器 (点击量:0)

美国加利福尼亚州埃尔塞贡多市的纳维斯半导体公司表示,其GaNFast功率集成电路正在被用于Mind One的Mu One,这是一款通用型45W电源适配器,具有14mm超薄外形。 GaN功率集成电路技术结合了新的USB-PD功率输送协议和C型连接器,可提供单一的全球超薄适配器,可为笔记本电脑充电或快速为任何智能手机充电。

纳维斯称,新型高速氮化镓(GaN)功率集成电路的性能高达现有硅芯片的20倍。通过高频工作并同时提高效率,GaNFast功率IC可减小变压器,散热器和印刷电路板等元件的尺寸,重量和成本。

纳维塔斯首席执行官Gene Sheridan认为:“随着我们的客户使用我们的GaNFast功率集成电路技术提供新一代电源适配器,消费者可以在未来几个月内预见到各种快速充电和高密度解决方案。”

7   2018-03-05 11:27:43.727 在半导体三量子比特系统中通过实验证明了一个toffoli门 (点击量:1)

在量子信息与量子物理协同创新中心重点实验室里取得了一项新的进展,郭国平教授与他的同事肖明,李海鸥和曹刚设计并制作了一个带有六个量子点的量子处理器,并通过实验证明了Toffoli门的量子控制。这是在半导体量子点系统中第一次实现Toffoli门,这激励了对大规模半导体量子处理器的进一步研究。

开发与现代半导体技术兼容的可扩展半导体量子芯片是一个重要的研究领域。在这个领域,基于量子点的半导体量子比特的制造,操作和缩放是最重要的核心技术。郭国平教授的小组旨在掌握这些技术,并长期致力于此领域。在展示三量子比特门之前,他们在2013年实现了基于半导体量子点的电荷量子位的超快速通用控制,并在2015年实现了两个电荷量子位的受控旋转。

8   2018-03-05 11:30:41.49 使用单个激光器在单芯片上生成双频梳状电极 (点击量:1)

在发表在科学进展杂志上的一篇新论文中,由哥伦比亚工程学教授Michal Lipson和Alexander Gaeta(应用物理与应用数学)领导的研究人员将双频梳子小型化,两个频率梳发生器在一个毫米大小的芯片上。

希金斯电气工程教授Lipson说:“这是第一次使用单一激光器在单个芯片上生成双梳”。

频率梳是一种特殊类型的光束,具有许多不同的频率或“颜色”,所有这些光束都以非常精确的方式相互隔开。当这种多色光线通过化学试样发出时,有些颜色会被试样的分子吸收。通过查看哪种颜色被吸收,可以高精度地唯一识别标本中的分子。这种称为频梳光谱技术的技术能够实现分子指纹识别,并可用于检测工业区中的有毒化学物质,实施职业安全控制或监测环境。

9   2018-03-11 19:51:48.24 GaN Systems推出创纪录的100V / 120A GaN功率晶体管 (点击量:0)

在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子展览会(APEC 2018)展位#1041(3月4日至8日),加拿大渥太华的GaN系统公司(一家基于氮化镓功率开关的无晶圆厂开发商用于功率转换和控制应用的半导体)已经宣布它是最高电流和功率效率最高的100V GaN功率晶体管。

销售和市场副总裁Larry Spaziani说:“我们的技术路线图定位于满足日益增长的对100V和650V应用的最佳GaN技术解决方案的需求。新推出的100V,120A GaN E-HEMT以及我们最近推出的650V,120A GaN E-HEMT ,是我们推出的众多最新高性能GaN晶体管和解决方案之一。”该公司的目标是“持续提供旨在超越当今最苛刻应用中的电源系统效率和可靠性要求的产品”。

10   2018-02-27 11:32:48.34 Cadence的Lip-Bu Tan将出席摩根士丹利TMT大会 (点击量:1)

Cadence被列为“财富”杂志的100家最适合工作的公司之一,它使电子系统和半导体公司能够创建正在改变人们生活,工作和娱乐方式的创新终端产品。

Lip-Bu Tan作为Cadence设计系统公司首席执行官,除了将于2018年3月1日在加利福尼亚州旧金山的The Palace Hotel举办的摩根士丹利技术,媒体与电信(TMT)会议上,投资者与投资者举行个别会议之外,谭先生还将参加围炉谈话。对于投资者会议,他将由高级副总裁兼首席财务官John Wall和营销与业务发展高级副总裁Nimish Modi加入。

谭先生的演讲将于2018年3月1日星期四上午10点10分在网上直播。演讲将存档在Cadence网站上,并可通过下午5点重播。PDT于2018年3月16日星期五举行。

11   2018-02-27 14:31:09.507 锂——它不仅仅适用于电池:科学家们发现,粉末金属可以降低聚变等离子体中的不稳定性 (点击量:0)

美国能源部(DOE)普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的科学家和中国实验先进超导托卡马克(EAST)的合作者证明,这一结果发现,锂粉可以消除称为边缘局域化模式(ELM)的不稳定性用于涂覆称为“偏滤器”的钨等离子体面向器件——这是将等离子体中的废热和粒子排出以促进聚变反应的装置。如果单独存在,这种不稳定性会损害偏滤器并导致聚变反应失败。

过去在EAST上使用锂粉的实验证实了金属消除或减少在等离子体外缘发生的可能损害偏滤器的ELM的周期性爆发的频率和强度的能力。 当等离子体进入被称为高限制模式的高能量状态或H模式时,ELMs会有规律地发展,H模式可以更有效地在等离子体中保持热量。 ELM还可释放大量热量,损害面向等离子体的组件并释放可侵入等离子体并冷却聚变反应的侵蚀材料。

12   2018-03-11 19:53:04.243 Littelfuse在亚太经合组织展出扩展功率半导体产品组合 (点击量:0)

美国伊利诺斯州芝加哥市的Littelfuse公司提供电路保护技术(包括保险丝,半导体,聚合物,陶瓷,继电器和传感器),美国加利福尼亚州Milpitas的IXYS公司和荷兰莱顿(1月份收购) )以及Littelfuse持有控股权益的碳化硅(SiC)技术的开发商美国德克萨斯州Round Rock的Monolith半导体公司正在应用电力电子会议暨展览会上的第1619号Littelfuse展台展出其不断增长的功率半导体产品组合。

产品组合扩展是IXYS收购的结果,也是Monolith最新推出的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和二极管产品的结果。今年的会议活动还包括小组讨论,展位展示和行业会议演示。

据估计,Littelfuse和IXYS正在APEC首次联合公开亮相,讨论如何推出现在已成为业界最广泛的功率半导体产品组合之一的计划。

13   2018-03-11 19:54:08.563 OIPT提供创纪录的综合'Lab to Fab'解决方案 (点击量:0)

英国的等离子蚀刻和沉积处理系统制造商牛津仪器等离子技术公司(OIPT)正在庆祝提供创纪录数量的集成解决方案的一年,使客户能够快速商业化使用牛津仪器的'Lab to Fab'解决方案的半导体设备。

牛津仪器表示,它的许多客户正在将他们的研究转化为商用设备。成功的关键在于转移开发和试验设施所取得的成果,并且每个月都会在制造厂每天重复这些成果。OIPT认为,由于其研发工具的安装基础,它提供这种'Lab to Fab'解决方案是理想的选择。

OIPT的销售和营销总监Paul Davies说:“我们已经将600多种高科技工艺模块出货给领先的生产设施,并且随着光电,电力和其他领先市场需求的不断增长,我们的等离子工艺解决方案正在全球范围内得到应用,以实现出色的器件性能和产能”。

14   2018-03-11 19:58:05.467 绝缘体还是超导体?物理学家发现石墨烯都是 (点击量:2)

很难相信单一材料可以被描述成与石墨烯一样多的最高级。自从2004年发现以来,科学家们发现,花边,蜂窝状的碳原子片,基本上是铅笔铅的最微观的剃须,你可以想象,它不仅是世界上最薄的材料,而且非常轻巧灵活,比钢强几百倍,比铜导电性更强。

现在麻省理工学院和哈佛大学的物理学家发现奇迹材料可以表现出更奇特的电子特性。在今天发表在Nature上的两篇论文中,研究小组报告说,它可以调整石墨烯在两个极端情况下的行为:作为绝缘体,电子完全阻止流动;并作为超导体,电流可以无阻地流过。

包括该团队在内的过去的研究人员已经能够通过将材料与其他超导金属接触来合成石墨烯超导体,这种配置允许石墨烯继承一些超导行为。

15   2018-03-11 19:59:35.273 CST全球样品用于10G PON的1270nm DFB激光器 (点击量:2)

III-V光电子晶圆厂位于英国苏格兰格拉斯哥附近的布兰太尔汉密尔顿国际科技园区的化合物半导体技术全球有限公司(CST Global)已经取样了其1270nm 2.5Gb / s非对称和10Gb /用于10G无源光网络(PON)应用的对称分布反馈(DFB)激光器。

技术总监负责DFB激光器开发的Andrew McKee说:“CST Global目前正在对其非对称2.5Gb / s激光器进行beta采样,并对其对称的10Gb / s激光器进行α采样。正在进行ITU-GR468可靠性测试的不对称测试样本可用于客户在已知良好磁带上(KGDT)和TO56-can格式的试验。”

他补充道:“对称的10Gb / s 1270nm激光器选项需要在大规模采用ONU之前进行全新的ONU设计,但它已经处于需求之中,我们很高兴为这个不断增长的市场中的两种主流技术提供解决方案。”