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2018年第16期(发布时间: Aug 17, 2018 发布者:沈湘)  下载: 2018年第16期.doc       全选  导出
1   2018-08-02 17:31:01.71 韩国将投资13.4亿美元以强化半导体实力 (点击量:2)

韩国工业部长白云揆 (Paik Un-gyu) 于周一 (30 日) 参访了三星 (005930-KR) 和 SK 海力士 (000660-KR) 的主要半导体生产线,并誓言将在未来 10 年内投资 1.5 兆韩元 (13.4 亿美元) 来强化韩国半导体的竞争力。

“为了让韩国持续作为世界顶级半导体巨头国,我们将以三个战略为中心支持芯片产业的发展,”白云揆于参访时表示。

芯片市场是韩国工业的重要支柱,作为亚洲第四大经济体,半导体芯片约占韩国出口的 20%。

三星是全球最大的存储器芯片制造商,在 DRAM 和 NAND 方面排名第一,而 SK 海力士则在 DRAM 和 NAND 分别排名亚军和第五名。白云揆表示,韩国的制造商在 DRAM 和 NAND 行业拥有超强的竞争力,但已达到极限,需要开发新的材料和设备。

韩国工业部表示,将与科学和信息通信技术部门合作,对韩国半导体产业进行必要的投资。政府投资的 13.4 亿美元将用于开发新的半导体材料和器件,全力促使该国成为全球半导体枢纽。三项重点将是开发存储器芯片、协调 IC 设计厂与晶圆厂的互利共生,并吸引全球半导体材料和设备制造商在韩国建立生产中心。

近期中国的“中国制造 2025”计划的首要任务就是要发展半导体技术,且中国政府已经在半导体产业投入数十亿美元。此举引发了韩国的担忧。此外,中国企业也积极在韩国寻找人才以获取技术知识。

“公司的大规模投资是振兴国民经济和创造就业机会的最佳方式。”白云揆部长回应 SK 海力士在首尔东南部利川市建立新生产线计划时表示。SK 海力士日前表示,预计到 2020 年将投资 3.5 兆韩元设厂。

2   2018-08-02 17:36:32.463 韩国将投资91亿元研发下一代半导体技术 (点击量:1)

韩国工业部长白云揆 (Paik Un-gyu) 于周一 (30 日) 参访了三星和 SK 海力士的主要半导体 生产 线,并誓言将在未来 10 年内 投资 1.5 兆韩元 (13.4 亿美元,约合91亿元人民币) 来强化韩国半导体的竞争力。

「为了让韩国持续作为世界顶级半导体巨头国,我们将以三个战略为中心支持芯片产业的发展,」白云揆于参访时表示。

芯片 市场 是韩国工业的重要支柱,作为亚洲第四大经济体,半导体芯片约占韩国出口的 20%。

三星是全球最大的存储器芯片 制造 商,在 DRAM 和 NAND 方面排名第一,而 SK 海力士则在 DRAM 和 NAND 分别排名亚军和第五名。白云揆表示,韩国的 制造 商在 DRAM 和 NAND 行业拥有超强的竞争力,但已达到极限,需要开发新的材料和 设备 。

韩国工业部表示,将与科学和信息通信技术部门合作,对南韩半导体产业进行必要的 投资 。政府投资的 13.4 亿美元将用于开发新的半导体材料和器件,全力促使该国成为全球半导体枢纽。三项重点将是开发存储器芯片、协调 IC 设计厂与晶圆厂的互利共生,并吸引全球半导体材料和 设备 制造商在韩国建立 生产 中心。

另外,韩国也注意到了中国方面对半导体的重视程度增加,甚至从韩国企业物色人才。以集成电路为代表的信息技术产业已成为中国制造2025规划内容重点领域之一,规划提出要突破核心通用芯片、掌握先进的3D 组装 技术并提升国产芯片的适配能力等,配套的 资金 和韩国规模相似。

「公司的大规模投资是振兴国民经济和创造就业机会的最佳方式。」白云揆部长回应 SK 海力士在首尔东南部利川市建立新生产线计划时表示。SK 海力士日前表示,预计到 2020 年将投资 3.5 兆韩元设厂。

据悉,2016年,韩国在IT领域的研发支出为31.22万亿韩元(约合1904亿元人民币),占总研发支出的58%。

3   2018-08-02 17:32:46.247 中国将加快集成电路、5G关键元器件等领域标准研制 (点击量:96)

中国电子技术标准化研究院近日表示,中国将加快集成电路、新型显示技术、虚拟/增强现实、智慧健康养老、5G关键元器件等重点标准和基础公益标准研制。

当日在苏州举行的“2018新一代信息技术产业标准化论坛”上,中国电子信息行业联合会会长王旭东表示,在标准化领域,中国一大批自主产业科技成果向共性技术标准的成功转化,推动着产业规范有序快速发展,促进产业升级;同时,借着“一带一路”东风,新一代信息技术重点领域标准不断与国际接轨,自主技术国际标准转化率显著提升。

工信部电子信息司副司长吴胜武说,2018年将加快集成电路、新型显示技术、虚拟/增强现实、智慧健康养老、5G关键元器件等重点标准和基础公益标准研制,积极开展智能传感器、智能硬件等新兴领域综合标准化体系建设,积极参与国际标准化工作,以国际标准提案为核心,推动更多国内标准成为国际标准。

中国国家标准化管理委员会工业标准二部副主任王莉建议,统筹国际国内,提升国际标准的参与度和话语权,积极鼓励和组织国内新一代信息技术领域的专家、领头企业积极参与国际标准化工作,加强国际交流,积累国际标准化经验,选取重点领域,推动将创新成果融入国际标准,为国际标准化做出中国专家的贡献。

中国电子技术标准化研究院院长赵波说,该院聚焦制造强国和网络强国战略全局,在两化融合、军民融合、智能制造、绿色制造以及重要关键元器件、安全可靠软硬件、云计算、大数据、物联网、人工智能、网络安全、新兴信息产品等领域的标准化工作取得了成绩。

4   2018-07-27 12:16:05.387 工信部:我国集成电路产业实现快速发展 取得四方面成效 (点击量:1)

在7月24日举行的"2018年上半年工业通信业发展情况发布会"上,工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局副局长黄利斌表示,集成电路产业是国民经济和社会发展的先导性、支柱性行业。在近年来各方的努力下,我国集成电路产业实现了快速的发展,主要表现在四个方面:

第一、产业规模不断壮大。2017年我们集成电路行业的销售额达到5600亿元,与2012年比翻了一番多。

第二、核心技术取得了突破。芯片设计水平提升了2代,制造工艺提升1.5代,像32、28纳米的工艺实现了规模化的量产。

第三、骨干企业的实力逐渐加强。海思、紫光、展锐分别位列全球的第六和第十大芯片设计企业;中芯国际,华虹集团成为全球第五大和第九大芯片代工制造企业;长电科技、通富微电、天水华天在封测行业排名也提升到全球的第三位、第六位和第八位。

第四、产业投资大幅增长。近三年来,全行业的年投资额均超过了1000亿元,是2012年的2倍多;存储器实现了战略布局,制造业的布局初见成效。今年上半年我国的集成电路产量达到了850亿块,同比增长15%

5   2018-08-02 17:40:12.847 印度研制出第一款RISC-V芯片原型Shakrti (点击量:0)

据报道,印度研制出了第一款 RISC-V 芯片原型 Shakrti。

RISC-V 是基于精简指令集(RISC)原则的一个开源指令集 架构 。与大多数指令集相比,RISC-V 指令集可以自由地用于任何目的,允许任何人设计、 制造 和 销售 RISC-V 芯片和 软件 。

Shakrti 项目得到了印度政府的资助,包含从微控制器到多核处理器甚至面向 HPC 等应用的多个版本。

Shakrti首个面世的原型是低功耗版本,频率为 400MHz,开发者称该原型是为民用核反应堆的控制系统设计的。中国政府也对 RISC-V 架构 很感兴趣。

RISC-V成为印度国家指令集.

2011年,加州大学伯克利分校发布了开放指令集RISC-V,并很快建立起一个开源软硬件生态系统。很多企业开始将RISC-V集成到 产品 中,例如全球第一大硬盘产商西部数据(Western Digital)将把每年各类存储 产品 中嵌入的10亿个处理器核换成RISC-V。

印度政府则大力资助基于RISC-V的处理器项目,使RISC-V成为了印度的事实国家指令集。

2011年,印度开始实施处理器战略计划,在全国范围资助2-3个研制处理器的项目。印度理工学院马德拉斯分校(Indian Institute of Technology,Madras)的G. S. Madhusudan与V. Kamakoti教授在该计划支持下启动了SHAKTI处理器项目,目标是研制与IBM PowerPC兼容的处理器。为了获得合法授权,SHAKTI项目组与IBM开展了合作谈判,但始终未能达成一致。

与此同时,加州大学伯克利分校推出了一套开放指令集RISC-V,其原型芯片也于2013年1月成功流片。于是2013年SHAKTI项目组毅然放弃PowerPC,全面拥抱RISC-V——将项目目标调整为研制6款基于RISC-V指令集的开源处理器核,涵盖了32位的单核微控制器、64核64位高性能处理器和 安全 处理器等多个应用领域。项目目标的临时调整不仅未受到指责,反而得到了政府更大力度的支持,调整后的SHAKTI项目获得了9000万美元的经费支持。

另一边,2016年1月,曾长期开展超级计算机研究的先进计算发展中心(Centre for Development of Advanced Computing,C-DAC)获得印度电子信息技术部4500万美元的资助,目标研制一款基于RISC-V指令集的2GHz四核处理器。在印度政府支持的另一个关于神经形态加速器(neuromorphic accelerator)项目中,也将RISC-V作为计算主核心。

过去几年,随着印度政府资助的处理器相关项目都开始向RISC-V靠拢,RISC-V成为了印度的事实国家指令集。

6   2018-08-02 17:38:58.543 英特尔再度延宕10nm芯片量产时间表 (点击量:0)

英特尔(Intel)上周发布2018年第二季整体销售表现优于预期,但由于资料中心事业成长不如分析师先前观察的目标,再加上来自超微(AMD)的竞争以及10纳米芯片量产时间表再度延迟至2019年年底,使其股价随后下跌5%以上。

英特尔表示,该公司将继续在10纳米(nm)良率方面取得进展。据其临时执行长Bob Swan表示,该公司的10nm芯片应该来得及在2019年终购物旺季出现在商店货架的PC中。

在英特尔前执行长Brian Krzanich上个月突然辞职后,原本担任英特尔财务长的Bob Swan接任该公司的临时执行长一职,他在周四发布第二季财报后透过电话会议告诉分析师,英特尔明年仍以14nm的客户端和伺服器产品线为主,之后将继续加速10nm进展。

英特尔的10nm制程节点一直为良率问题所扰,导致该公司在4月时将10nm产品推迟到明年发布,如今再度延迟至2019年年底。

英特尔用户端与物联网事业及系统架构事业群总裁Venkata "Murthy" Renduchintala说,10nm芯片的挑战来自于14nm节点密度大幅微缩的结果。

“虽然我们在10nm的量产时间表上存在着风险和延迟,但我们十分满意14nm发展蓝图,过去几年来,由于采用了14nm产品世代,而使产品性能提升了超过70%。”

英特尔第二季的销售额为170亿美元,比去年同期成长了15%,其获利也达到了50亿美元,较去年同期成长78%。

尽管该公司的整体销售表现亮眼,优于自家目标以及分析师对该季的预期数字,但资料中心销售额为5.5亿美元,较去年同期成长27%,略低于华尔街(Wall Street)的预测数字。

但英特尔预计,其资料中心营收今年将成长20%,高于4月发布的预测数字。

英特尔表示,2018年的营收数字约会落在685亿美元至705亿美元之间,较该公司于4月份发布的预测数字增加了20亿美元(取中间值695亿美元计)。

Swan说:“下半年面临的最大挑战是满足更多的需求,我们目前正密切配合客户和工厂作准备,而不至于使客户的成长受限。”

7   2018-07-29 17:47:07.06 由于光子应用增长37%,到2023年GaAs晶圆市场的复合年增长率将达到15% (点击量:0)

由于手机行业饱和而过了一段平静时期,在2017年至2023年间砷化镓晶圆市场将以15%(按体积计算)的年复合增长率(CAGR)上升,特别是包括37%的光子学应用。

技术和市场分析师洪玲博士表示 “随着从4G到5G的过渡,我们预计GaAs仍保持低于6GHz的主流技术,而不是一种制造低功率集成电路的技术(CMOS),因为GaAs具有载波聚合和MIMO技术所需的高功率和线性性能。”

自2017年以来,GaAs晶圆在光子学应用中尤为突出。当Apple推出采用基于GaAs的垂直腔面发射激光器(VCSEL)而具有新型3D感应功能的iPhoneX时,这为光子学应用的GaAs晶圆市场领域的显着提升铺平了道路,到2023年光子应用将以37%的年复合增长率增长到1.5亿美元左右。

8   2018-07-29 17:48:47.837 通过测量具有硅导通激光二极管的相位波动来产生随机数 (点击量:0)

华盛顿的研究人员已经证明,一个毫米见方大小的基于芯片的器件可用于以千兆位/秒速度生成基于量子的随机数。微型设备需要的功率很小,可以启用独立的随机数发生器,也可以集成到笔记本电脑和智能手机中,以提供实时加密。

在光学学会(OSA)期刊Optics Express中,研究人员报告了这种基于二极管激光器随机发射光子的量子随机数发生器,因为光子发射本质上是随机的,所以不可能预测将产生的数字。

英国布里斯托尔大学的第一作者Francesco Raffaelli说:“虽然部分控制电子的设备尚未集成,但我们设计的是将所有必需的光学组件集成在一个芯片上, 单独使用此设备或将其集成到其他便携式设备中,将来非常有用,可以使我们的信息更安全,更好地保护我们的隐私。”

9   2018-07-29 17:38:00.997 EPFL利用激子将电子产品引入未来 (点击量:0)

激子可以彻底改变工程师接近电子产品的方式。 EPFL研究人员创造了一种新型晶体管,在电路的组成部分中使用这些粒子来代替电子。 值得注意的是,他们克服了迄今为止无法克服的障碍,通过使用两种2D材料作为半导体,让这种基于激子的晶体管可以在室温下有效地发挥作用。 他们的研究发表在今天的“Nature”杂志上,在激子学领域有许多启示,这是光子学和自旋电子学领域最有前途的新研究领域之一。

EPFL纳米电子与结构实验室(LANES)负责人Andras Kis说:“我们的研究表明,通过操纵激子,我们已经发现了一种全新的电子方法,我们正在目睹一个全新的研究领域的出现,但我们还不知道其全部范围。”

10   2018-07-29 17:43:45.027 然后有更多的光:研究人员提高了钙钛矿的性能质量 (点击量:0)

华盛顿大学的科学家们在今年春天在线发表在一篇名为“自然光子学”杂志的论文中报道,原型半导体薄膜在发光方面的表现甚至超过了当今最好的太阳能电池材料。

华盛顿大学化学教授和CEI首席科学家David Ginger说:“钙钛矿太阳能电池的一个大问题是太多吸收的阳光最终会被浪费掉,我们希望像这样的表面钝化策略有助于提高钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性。”

Ginger和Hillhouse团队的共同努力证明,表面钝化使钙钛矿性的能大幅提升,也使这种材料成为薄膜太阳能电池的最佳选择。deQuilettes说:“钙钛矿已经在光伏器件方面取得了前所未有的成功,但还有很大的改进空间,在这里,我们提供了更好地利用太阳能的前进方向。”

11   2018-08-05 17:38:50.313 Imec的钙钛矿硅串联电池效率为27.1%,超过独立硅太阳能电池 (点击量:0)

作为Solliance和EnergyVille的合作伙伴,比利时鲁汶的纳米电子研究中心imec报告称其四端钙钛矿硅串联光伏电池的太阳能转换效率为27.1%,击败了效率最高的独立硅太阳能电池。据估计,钙钛矿材料的进一步改造可将效率提高至30%以上。

imec 和EnergyVille的博士研究员Manoj Jaysankar说:“我们两年来一直在研究这种串联技术,与以前版本最大的区别在于钙钛矿吸收剂的改造和加工,调整其带隙以优化硅串联配置的效率。”

Imec 和 EnergyVille薄膜光伏组织负责人Tom Aernouts总结道:“在工业硅光伏上添加钙钛矿可能是进一步提高光伏效率最具成本效益的方法,因此,我们邀请所有正在寻求更高效率光伏价值链的公司与我们合作并探索这条充满希望的道路。”

12   2018-08-05 17:42:00.35 将微小的陨石坑爆破成玻璃,创造材料以使电信设备小型化 (点击量:0)

在AIP出版社的应用物理杂志上,利兹大学的研究人员报告了一种玻璃的激光辅助研究,该研究显示了宽带平面波导放大器材料的前景。这种材料是由一种锌,钠和碲制成的玻璃和稀土元素铒掺杂而成。掺铒波导放大器引起了人们的关注,因为铒的电子跃迁发生在1.5微米的相同波长,这是电信技术的标准。

调查人员研究了喷在玻璃上的微小陨石坑的形状和特征,了解到制造过程中产生的凹坑的形态对于控制孔隙率,表面积和材料散射或吸收光的能力等是很重要的。

Mann说:“这些性质对于工程中的其它介电材料具有重要的作用,它们在光催化、传感、燃料和太阳能电池以及光提取中也有着重要的应用。我们研究的下一阶段将涉及更精确的放大器,传感器和其他设备的薄膜和波导工程。”

13   2018-07-27 13:11:18.053 新发现铌钨氧化物可用于电池快充技术 (点击量:0)

《自然》(Nature)杂志7月25日报道,英国剑桥大学的研究人员发现,铌钨氧化物(NTO)可用于制造快充电池。虽然NTO晶体结构很复杂,但锂离子通过NTO的速度远远超过通过传统电极材料的速度。此外,NTO独特的物理结构和化学性质,对研究人员研究快充电池的安全性也有借鉴意义。

目前,虽然智能手机的电池通过快充技术已经能够在数分钟内充满电,但电池技术的发展仍然阻碍了两类清洁技术(电动汽车和太阳能电网级存储)的广泛应用。剑桥大学化学系博士后研究员、论文第一作者肯特格里菲斯(Kent Griffith)说:“我们一直在苦苦寻找理想的快充电池材料。”

电池的充电速度取决于锂离子的正极通过电解质移动到负极的速率。在寻找新型电极材料时,研究人员通常会试着让材料的粒径更小。格里菲斯解释说:“这样设计的思路是:减少锂离子的移动距离可使运移时间缩短,从而加快充电进程。然而,利用纳米技术制造的电池,电解质副反应很多,成本很高,电池寿命也较短。”剑桥大学化学系教授、论文资深作者克莱尔格雷(Clare Grey)补充说:“因此,我们将视线转向了某些固有特性符合需求的微米级材料。”最终,他们发现NTO可能是潜在的解决方案。

NTO具有刚性的开放结构,稳定性好且不会“困住”锂离子。其较大的颗粒尺寸也避免了纳米级颗粒的缺陷。格里菲斯推测,NTO之前受到冷遇的原因在于其复杂的原子排列情况。然而,正是这种结构复杂性和混合金属的组成为NTO提供了独特的锂离子传输性能——研究人员利用脉冲场梯度(PFG)核磁共振波谱(NMR)技术,测量了锂离子在NTO中的移动速度,发现比常用电极材料高出若干数量级。NTO除具有高锂传输速率,其制造也较简单。格里菲斯说:“NTO无需额外的化学物质或溶剂就能制造,可扩展性良好。”此外,NTO作为电极材料,虽然电池电压较低,但这对安全性的好处毋庸置疑。

格雷认为,虽然NTO可能只适用于某些特定应用,但继续发掘类似NTO的新化合物,对电池领域的持续发展很重要。

14   2018-07-27 12:59:16.24 中天微为本土人工智能SoC选择UltraSoC嵌入式智能技术 (点击量:0)

UltraSoC近日宣布:于今年4月被阿里巴巴集团收购、总部位于中国浙江的半导体公司杭州中天微系统有限公司,已经购买了UltraSoC的嵌入式分析技术授权,用于其在国内开发的系统级芯片(SoC)产品中。双方计划建立一项长期合作伙伴关系,首批产品将针对复杂的、基于人工智能的应用。

中国本土半导体产业正以不断提升的创新能力和成熟度而受到瞩目。中天微将利用UltraSoC的嵌入式技术来支持一系列先进产品的开发,包括基于其特有的CPU技术和新兴RISC-V开放标准的产品。

UltraSoC首席执行官Rupert Baines评论道:“中国半导体产业正在快速成长,中天微就是一个很好的例子,向业界展示了国内开发的半导体知识产权(IP)产品如何支撑创新性的芯片产品设计。我们与中天微的合作可为整个电子产业链带来益处:从中受益的不仅有中天微的工程师,将中天微的产品构建于终端系统中的产品设计人员和制造商,软件开发人员,还有那些最后能得到更好、更可靠产品的最终客户。我们非常自豪能够与其携手合作,共同打造新一代的半导体产品。”

中天微副总裁兼首席技术官孟建熠博士表示:“UltraSoC完美地理解了为设计师提供嵌入式可视性的价值,这不仅有利于那些将我们的CPU集成到苛刻环境中的设计人员,也能为相关系统的终端用户带来价值。UltraSoC的嵌入式分析技术所提供的功能增强了中天微提供的产品。”

中天微和UltraSoC之间的合作伙伴关系使得芯片和系统设计人员能够同时获得整体性和细节性信息,不仅适用于了解SoC内部操作,还可以了解该芯片所嵌入的产品或系统。这对于基于人工智能(AI)的先进应用来说尤为重要,这些应用需要多个处理器内核来与共享数据协同工作,并集成了网络式互联(片上网络,或NoC)。这样的环境提出了一个重大挑战,涉及能否确保处理器得到了有效的使用、共享数据能够保持一致,以及能否实现传输数据互联等方面,而片上分析则大幅简化了该任务。

中天微开发了一系列的CPU内核,被广泛应用于物联网智能设备、数字音视频、信息安全、网络和通信、工业控制和汽车电子等多个领域。其特有的C-SKY嵌入式CPU内核具有超低功耗、高性能、高代码密度和易用性等特点。

15   2018-08-05 17:44:03.297 加州大学洛杉矶分校开发的人工智能设备以光速识别物体 (点击量:4)

加州大学洛杉矶分校的电气和计算机工程师团队创建了一个物理人工神经网络,一个模拟人类大脑工作原理的设备,可以分析大量数据并以实际光速识别物体。该设备是使用加州大学洛杉矶分校Samueli工程学院的3D打印机打造的,并于7月26日发表在“科学”杂志上。

该研究的首席研究员,加州大学洛杉矶分校校长电气和计算机工程教授Aydogan Ozcan说:“这项工作为使用基于人工智能的设备提供了新的根本性机会,可以及时分析数据,图像并对物体进行分类。这种光学人工神经网络设备直观地模拟了大脑处理信息的方式,它可以应用到新的摄像机设计和独特的光学组件,在医疗技术,机器人,或图像和视频数据的处理等发面进行运用。”