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2018年第22期(发布时间: Nov 16, 2018 发布者:沈湘)  下载: 2018年第22期.doc       全选  导出
1   2018-11-02 18:51:53.287 SiC和GaN功率半导体市场在2027年将超越100亿美元 (点击量:3)

新兴市场碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元,推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏(PV)逆变器等方面的需求。

SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用,将导致2017之后复合年增长率(CAGR)超过35%,在2027年达到100亿美元。

到2020年,GaN-on-silicon (Si)晶体管预期将会达到与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)持平的价格,同时也会提供相同的优越性能。一旦达到这个基准,2024年GaN电力市场预计将达到6亿美元,2027年攀升至17亿美元以上。

IHS Markit分析

对SiC行业持续强劲增长的预期很高,主要推动力是混合动力和电动汽车销售的增长。 市场的渗透也在增长,特别是在中国,肖特基二极管、MOSFET、结栅场效应晶体管(JFET)和其他SiC分立器件已经出现在量产汽车DC-DC转换器、车载电池充电器之中。

越来越明显的迹象是, 传动系主逆变器——采用SiC MOSFET,而不是Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)—将在3-5年内开始出现在市场上 。由于非常多的设备用于主逆变器中,远远多于在DC-DC转换器和车载充电器中的数量,这就会迅速增加设备需求。也许在某个时间点,逆变器制造商最终选择定制全SiC功率模块,而不选择SiC分立器件。集成、控制和封装优化是模块化装配的主要优点。

不仅每辆车的SiC设备数量将会增加,而且对于电池电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)的新增全球注册需求也将在2017年和2027年之间增加10倍,因为全球许多政府都锁定目标降低空气污染,同时减少依赖燃烧化石燃料的车辆。中国、印度、法国、英国和挪威都已经宣布计划在未来数十年内禁止搭载内燃机的汽车,代之以更清洁的车辆。电气化车辆的前景一般来说将会因此而变得非常好,特别是对宽禁带半导体而言更是如此。

SiC

与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比,SiC具有更优良的物理和化学性质,这些性质包括高热导率、高硬度、耐化学腐蚀、耐高温、对光波透明等。SiC材料优异的热学特性和抗辐照特性也使其成为制备紫外光电探测器的首选材料之一。此外,SiC基传感器能够弥补Si基传感器在高温、高压等恶劣环境下的性能缺陷,从而拥有更广阔的适用空间。 以SiC为代表的宽禁带半导体功率器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。

SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管(晶体管、开关管)。SiC功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增,带来体积、重量以及成本的大幅减低。 SiC功率器件应用领域可以按电压划分:

低压应用(600 V至1.2kV):高端消费领域(如游戏控制台、等离子和液晶电视等)、商业应用领域(如笔记本电脑、固态照明、电子镇流器等)以及其他领域(如医疗、电信、国防等)

中压应用(1.2kV至1.7kV):电动汽车/混合电动汽车(EV/HEV)、太阳能光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及工业电机驱动(交流驱动AC Drive)等。

高压应用(2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上):风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等。

SiC器件获得成长的最大抑制因素可能是GaN器件。第一个符合汽车AEC-Q101规范的GaN晶体管在2017年由Transphorm发布,而且在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相当低的成本,也比在SiC晶片上制造任何产品都更为容易。由于这些原因, GaN晶体管可能会成为2020年代后期逆变器中的首选,优于较昂贵的SiC MOSFET 。

Transphorm创新的Cascode结构

近年来,有关GaN功率器件最有趣的故事是GaN系统集成电路(IC)的到来,也就是 将GaN晶体管与硅栅驱动器IC或单片全GaN IC一同封装起来 。一旦它们的性能针对移动电话和笔记本充电器和其他高容量应用得到优化,就很可能在更广泛的范围内大面积普及。相反,商业化的GaN功率二极管发展从未真正开始,因为它们未能提供相对于Si器件更为显著的益处,相关的发展已被证明太过昂贵而且不可行。SiC肖特基二极管已经很好地用于这一目标,并且具有良好的定价路线图。

GaN

GaN功率器件和其他类型的功率半导体用于功率电子领域。基本上,功率电子设备利用各种固态电子部件,在从智能手机充电器到大型发电厂的任何事物中,更有效地控制和转换电能。在这些固态部件中,芯片处理开关和电源转换功能。

对于这些应用而言,GaN是种理想的选择。GaN基于镓和III-V族氮化物,是一种宽带隙工艺,意味着它比传统的基于硅的器件更快,而且能够提供更高的击穿电压。

2   2018-11-02 18:48:15.357 三星、SK海力士开始研发EUV技术生产DRAM,最快2020年量产 (点击量:3)

就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家存储器大厂SK海力士(Hynix)也传出消息,正在研发EUV技术来生产DRAM存储器,未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。

根据韩国媒体的报导,不论是处理器还是存储器,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的EUV极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说,以逻辑芯片的处理器产品来看,因为在制程节点推进到7纳米制程之后,对EUV技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程,未来也就越仰赖EUV技术。

报导指出,而反观DRAM存储器产业,目前对EUV技术需求相对来说就没有处理器来得那么殷切。原因是目前最先进的DRAM存储器制程依然在18纳米以上。所以,除了三星与海力士之外,全球三大存储器厂之一的美光,之前就表态表示,即使到了1α及1β的制程技术节点,也还没有使用EUV技术的必要性。

不同于美光的看法,三星在处理器的逻辑芯片制程导入EUV技术之后,在DRAM存储器制程上也传出开始在1Y纳米制程节点上尝试EUV技术,而且最快在2020年量产EUV技术的1Y纳米DRAM存储器。而除了三星之外,SK海力士也将在韩国的利川市新建的DRAM生产工厂中,研发内含EUV技术的DRAM存储器生产技术。

至于,为何要采用EUV技术来生产DRAM存储器,其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低存储器单位容量成本。不过,虽然DRAM存储器希望以EUV技术来进行生产。只是,目前在此领域EUV技术还不够成熟,产能不如普通的光刻机,这部分还需要时间来进行改进。

3   2018-11-09 16:34:40.387 进入7纳米制程时代!AMD推出台积电7纳米制程CPU 及 GPU (点击量:1)

处理器及绘图芯片大厂 AMD,北京时间 7 日凌晨在旧美国旧金山举办的技术大会上,正式公布了自家在 CPU 及 GPU 两部分的 7 纳米制程产品。其中,在 GPU 部分是 Radeon Instinct MI60/MI50 专业显示卡,两款将于 2018 年底,以及 2019 年初正式发表。至于,在 7 纳米制程的处理器部份,AMD 则是推出了 EPYC 服务器处理器,该产品则是预计在 2019 年正式推出。

首先在 AMD 称之为全新 EPYC 服务器处理器的部分,以台积电 7 纳米制程所生产,最高可以拥有 64 核心,而代号为 「ROMA」 的新款 EPYC 服务器处理器,因为全新的基于 Zen 2 架构,式得无论是在功耗上,或是性能都上一代产品提升许多。另外,该 EPYC 服务器处理器将会是世界上首款支持 PCI-e 4.0 的处理器,使传输效能大幅增强。

AMD 进一步指出,全新 EPYC 服务器处理器在实际的应用上,如描绘天气模型应用时,其效能较前一代产品提升 44%。而若用用在流体力学的模型运算上,性能则是提升 25%,而在神经元运算上,性能也提高了 41%。

另外,与竞争对手英特尔 (Intel) 的 Intel Xeon 8180M 处理器进行对比,单一一颗 EPYC 服务器处理器在类比应用上的性能,要比双插槽的 Xeon 8180M 处理器服务器更强。而 AMD 的 7 纳米制程 EPYC 服务器处理器将会在 2019 年正式推出。

至于,在 GPU 方面,AMD 则是推出全新的 MI60,以及 MI50 专业显示卡,将提供下一代的深度学习、高效能运算、以及云端运算的需求。其包括学术研究者、科学家、以及开发者都会使用 AMD 的 Radeon Instinct 专业显示卡去解决相应的问题,其中就包括大型计算、生物模拟研究等。

AMD 表示,Radeon Instinct MI60/MI50 专业显示卡也同全新的 EPYC 服务器处理器相同,采用台积电 7 纳米制程生产。其中,MI60 提供的是 32GB 的 HBM2 ECC 显示存储器,而 MI50 则是提供 16GB 的 HBM2 ECC 显示存储器。同时,MI60/MI50 也将采用 PCI-E 4/0 传输标准,大幅提升传输效率。

另外,AMD 还将「无限频宽」技术运用在 MI60/50 专业显示卡上,提供 200GB/S 点对点频宽速度,这速度是 PCI-e 3.0 的速度的 6 倍,并支持 4 片显示卡的互联。而在整体效能上,MI60 拥有 14.7T 的 FP32 性能,7.4T 的 FP64 性能,其中,浮点性能将会是之前 Vega 架构 MI25 的 2.8 倍。AMD表示MI60能够在2018年底正式推出。

4   2018-11-02 18:27:24.977 美国限制对中国芯片商福建晋华集成电路的出口 (点击量:3)

美国商务部10月29日宣布,特朗普政府基于国家安全考虑将对中国芯片制造商福建省晋华集成电路有限公司实施出口限制。

商务部称,晋华集成电路“参与违反美国国家安全利益的活动,构成了重大风险”。

彭博社引述美国商务部长威尔伯·罗斯声明说,“将晋华列入实体名单将限制其威胁我们军事系统中关键部件供应链的能力”。

因此,根据“出口管理条例”,对晋华所有商品、软件和技术的出口、再出口及转让都需要取得许可证。美国商务部表示,此类许可申请的评估将适用拒绝推定。

美国企业研究所中国问题专家德里克·西塞斯(Derek Scissors)指出,晋华是中国半导体行业的潜在全国冠军之一,并与其主要竞争对手美光科技存在争议。

他认为,虽然这个决定在短期内主要有利于美光,但特朗普政府的意图是从长远开创如何对待中国国有企业的先例。

5   2018-11-04 19:01:07.8 GaN Systems在中国PEAC电力电子会议上推出新产品 (点击量:1)

在IEEE国际电力电子与应用大会暨博览会上,来自加拿大的GaN Systems公司宣布和展示了他们的新产品和设计工具,并进行了演示。如下:

一. GS-065低电流(4-11A)系列与EZDrive电路相结合,无需分立或集成驱动器,易操作并降低系统成本。这种低于1kW功率设计适用于电视电源,LED照明和无线电源系统等应用。

二 .50W无线功率放大器扩展了该公司无线功率传输方面的一系列应用,包括100W功率放大器和300W功率放大器。

三. GaN Systems的电路仿真工具将提供两种PLECS仿真模型可以用于三相牵引逆变器和单相T型三电平逆变器设计。该平台方便参数的调整以适应其设计目标。

战略营销副总裁Paul Wiener说:“无论是创造高频无线产品还是建立最大化电力输出系统,我们都会继续倾听客户的意见,提供行业领先的解决方案。”

6   2018-11-04 18:59:57.543 设备联盟赢得欧洲之星计划资金来支持120万欧元的MISCA项目 (点击量:2)

英国荷兰财团已获得欧洲之星(EUREKA与欧洲共同体之间的联合计划)两年120万欧元的项目,以开发用于超高速数据通道应用的新型光电探测器。

复合半导体中心有限公司(CSC)将和其他公司合作推出项目MISCA(下一代通信应用的单片集成探测器解决方案)。合作公司为分拆集成化合物半导体有限公司(ICS)以及荷兰VTEC激光器和传感器公司。

项目主管和CSC主管Wyn博士说:“该项目旨在通过半导体集成材料的进步来推动组件性能的根本改进,并将为光纤数据通信应用提供欧洲版的高性能探测器。”

ICS的创始人Mohamed Missous说:“由于100G / 200G / 400G光传输市场的发展,因此需要深入了解射频元件的设计以制造高质量光电器件,这对ICS来说是一个激动人心的机会。”

7   2018-11-04 18:58:32.733 用于中红外应用的超发光阵列量子级联 (点击量:1)

中国的研究人员开发了单个和阵列格式的5μm波长的中红外量子级联超发光体(QCSLE)。来自苏州纳米技术与纳米仿生学研究所(SINANO)、半导体研究所和中国科技大学的研究团队发现,将QCSLE用作宽带光源,可用于生物医学成像,安全检查和气体检测。

在近红外(NIR)中,这种技术以非侵入性,非接触方式实现了高分辨率。该团队评论说:“与NIR范围相比,大多数生物组织在中红外(MIR)光谱范围内吸收更多的光子,MIR-OCT可以包含对分子种类光谱响应的强泛音和组合振动吸收带。”

该论文首次报道了紧凑型光发射器阵列,具有2.4mW的室温连续波(RT-CW)光输出功率。这种RT-CW操作被视为MIR-OCT技术的关键要求。

8   2018-11-04 18:57:34.36 II-VI和Sumitomo合作开发150mm GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT) (点击量:1)

美国的工程材料公司II-VI Inc宣布与日本住友电气工业株式会社的子公司日本住友电器设备创新公司(SEDI)展开战略合作,建立垂直整合的150mm晶圆制造平台,制造碳化硅上的氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,来用于下一代5G无线网络。

II-VI认为,其在150mm化合物半导体制造方面的专业知识可以与SEDI的GaN RF器件技术相结合,这样能够使各方为5G RF的制造提出最好的解决方案,从而扩大生产规模和降低生产成本。

SEDI的企业总监Keiichi Imamura评论道:“II-VI已积极投资建设世界级的150mm化合物半导体制造平台,我们将利用II-VI的制造平台实现经济的生产并扩大生产规模,以便在未来可以使我们能够满足全球对GaN-on-SiC HEMT器件的需求。”

9   2018-11-04 18:52:11.913 氮化物半导体形成辅助微氮化物用来制造微型UV-LED芯片(用于显示器) (点击量:1)

日本的Nitride半导体有限公司在2000年声称已经开发出第一个高效的紫外发光二极管,今年11月1日其子公司Micro Nitride Co Ltd开发出了用于显示器应用的微型UV LED芯片,并且进行销售。

近年来,以有机发光二极管(OLED)为代表的自发光显示器已经被用于智能手机等,但由于它们的寿命短和耐热性差,微型LED显示器的发展变得活跃。

目前,有两种实现微LED显示的方法:3LED型即使用红色、蓝色和绿色的LED,还有蓝光激发型LED,采用蓝色LED激发红色和绿色磷光体。

该公司表示,上图中的问题可以通过μUV-LED + RGB荧光粉解决。 研究发现,在n层和p层中制造具有应变层超晶格(SLS)结构的μUV-LED芯片时,发光效率可提高一倍。

10   2018-11-02 18:47:08.787 常州欣盛微15000颗COF芯片正式量产下线 (点击量:1)

近日,15000颗COF芯片在常州欣盛微结构电子有限公司临时厂区内正式量产下线,标志着我国显示屏全产业链里唯一的缺口已被填补,常州欣盛也成为国内唯一一家集载带生产、芯片设计、芯片封装测试技术于一体的企业。

目前,该公司已经与惠科、京东方、华星光电、中电熊猫等几家主要液晶面板企业基本达成合作协议,下一步工作重点是增加设计团队,丰富芯片种类,扩大产能,进一步满足市场需求。

常州欣盛COF芯片载带项目总投资15亿美元,2016年9月公司注册成立,2017年6月厂区正式奠基开工建设,一期项目用地100亩,建设厂房75000平方米,15条COF载带产线,56条封装测试产线,目标每月生产10平方米COF载带,4500万颗COF芯片。

11   2018-11-02 18:36:37.123 国内十大芯片设计公司最新排名 (点击量:2)

国内知名集成电路分析机构芯谋研究昨晚发表了2018上半年中国集成电路设计产业研究报告。报告中表示,在需求强劲、供给充足和汇率变动的综合影响下,2018年中国IC设计产业的总营收将超过280亿美元,增速将超过25%。在他们看来,这些成就主要来自于两个方面的的贡献:

一是众多新型应用场景带动IC设计需求增长,叠加国产替代芯片的巨大需求。 受到中兴禁运制裁事件、中美贸易关税高企的双重威胁,国产替代进口芯片的巨大需求。当然,国产替代并非一朝一夕的事,首先需要验证产品性能,确保稳定供货的前提下才能大批量采用,因此首先受益的是简单、易替换的分立器件和小芯片,更多的需求将在未来2~3年内体现。

另一方面,晶圆制造厂的产能供应也将在2019年释放,为设计企业的产能提供保障。 2016年开始的全国新建、扩建产能将在2019年释放,且大多数产能都是面向成熟工艺的,这将有效缓解最近两年晶圆代工产能紧张的局面,有利于更多中小设计企业以及初创企业获得晶圆制造厂的支持,IC设计企业出现黑马的可能性增加。

芯谋研究进一步指出,对中国集成电路产业而言,机遇与挑战并存。因为 中美贸易战可能引起全球经济走弱会给中国IC设计产业带来最大风险,进而导致芯片需求减小。 芯谋研究表示,对企业来说, 一方面应该完善技术服务,让客户更加顺利的选用和替换原来的进口产品;另一方面要积极拓宽和确保自身的供应链,加强质量管控,确保技术带来营收增长。

与此同时,芯谋研究还给出了一个2018中国十大集成电路设计企业的榜单。

12   2018-11-02 18:31:31.84 索尼未来三年拟向半导体投资逾50亿美元 产能增2-3成 (点击量:1)

索尼近日宣布,将在到2020财年的这三年时间里,向用于智能手机和汽车的图像传感器等半导体业务的设备投资方面投入6000亿日元(约合53.2亿美元)。预计投资额将比截至2017财年的3年增加3成,产能提高2-3成。

2017财年,索尼的半导体业务销售收入同比增长10%,营业利润也加入了索尼的千万日元俱乐部,对整体业绩贡献良多。

作为全球前六移动设备的供应商,2017财年由于移动产品的影像传感器需求增大,索尼的影像传感器销量大幅增加。而2018财年,索尼也在半导体业务,尤其是传感器业务上继续加码。这或许正是“索尼大法好”的最大依仗。

13   2018-11-02 17:47:50.823 注册资本5亿元 中环股份拟与格力等成立功率半导体合资公司 (点击量:1)

中环股份10月30日晚公告称,公司拟与格力电器、长安汽车、南网科研院、中车时代电气、湘投控股、时代电动、时代新材共同合资成立湖南功率半导体创新中心有限公司(简称“合资公司”)。

公告显示,合资公司注册资本5亿元,经营范围包括功率半导体领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;功率半导体的设计、研发、检测、销售;货物及技术的进出口;会议及展览服务;人才培训。其中,中车时代电气与长安汽车分别出资1.25亿元,持股均为25%;中环股份、格力电器、湘投控股、南网科研院分别出资5000万元,持股均为10%;时代电动与时代新材各出资2500万元,持股5%。

资料显示,中环股份主要产品包括半导体材料、半导体器件、新能源材料、新材料的制造及销售;融资租赁业务;高效光伏电站项目开发及运营。公司主营业务围绕硅材料展开,专注单晶硅的研发和生产,以单晶硅为起点和基础,定位战略新兴产业,朝着纵深化、延展化方向发展。纵向在半导体制造和新能源制造领域延伸,形成半导体板块,包括半导体材料、半导体器件、半导体封装;新能源板块,包括太阳能硅片、太阳能电池片、太阳能模组。

业内人士介绍,伴随着5G网络、物联网、人工智能、电动汽车、工业制造等领域的蓬勃发展,全球半导体产业量价齐升,并将在未来一段时间保持增长态势,也极大地拉动半导体单晶硅材料和半导体分立器件产业的市场需求。从整体市场看,12英寸用于逻辑电路、存储芯片对抛光片小线宽,无缺陷的要求持续提升,高端硅片未来5年将持续供不应求;8英寸产能陆续转向功率器件产品,用于IGBT、开关器件等功率产品,由于过去十年硅片端缩减产能也将导致未来供应紧张。从长期发展看,随着半导体工艺技术不断升级,芯片制造将带动硅片制造向大直径、小线宽的趋势发展。

中环股份表示,公司投资组建合资公司,符合国家创新创业政策导向、符合国家产业发展政策,有利于进一步开发拓展国内半导体硅片市场,提升产品市场竞争力和市场占有率,加速公司半导体产业战略布局。公司投资组建合资公司,打造功率半导体器件与应用全产业协同创新基地,有利于利用各股东方优势资源,发挥行业内联盟企业协同效应,深入发掘产业发展需求,促进IGBT产业的技术创新和技术进步,实现半导体产业的长期可持续发展。

14   2018-11-02 17:35:25.563 习近平强调:推动我国新一代人工智能健康发展 (点击量:1)

中共中央政治局10月31日下午就人工智能发展现状和趋势举行第九次集体学习。中共中央总书记习近平在主持学习时强调,人工智能是新一轮科技革命和产业变革的重要驱动力量,加快发展新一代人工智能是事关我国能否抓住新一轮科技革命和产业变革机遇的战略问题。要深刻认识加快发展新一代人工智能的重大意义,加强领导,做好规划,明确任务,夯实基础,促进其同经济社会发展深度融合,推动我国新一代人工智能健康发展。

北京大学教授、中国工程院院士高文就这个问题作了讲解,并谈了意见和建议。

中共中央政治局各位同志认真听取了讲解,并就有关问题进行了讨论。

习近平在主持学习时发表了讲话。他强调,人工智能是引领这一轮科技革命和产业变革的战略性技术,具有溢出带动性很强的“头雁”效应。在移动互联网、大数据、超级计算、传感网、脑科学等新理论新技术的驱动下,人工智能加速发展,呈现出深度学习、跨界融合、人机协同、群智开放、自主操控等新特征,正在对经济发展、社会进步、国际政治经济格局等方面产生重大而深远的影响。加快发展新一代人工智能是我们赢得全球科技竞争主动权的重要战略抓手,是推动我国科技跨越发展、产业优化升级、生产力整体跃升的重要战略资源。

习近平指出,人工智能具有多学科综合、高度复杂的特征。我们必须加强研判,统筹谋划,协同创新,稳步推进,把增强原创能力作为重点,以关键核心技术为主攻方向,夯实新一代人工智能发展的基础。要加强基础理论研究,支持科学家勇闯人工智能科技前沿的“无人区”,努力在人工智能发展方向和理论、方法、工具、系统等方面取得变革性、颠覆性突破,确保我国在人工智能这个重要领域的理论研究走在前面、关键核心技术占领制高点。要主攻关键核心技术,以问题为导向,全面增强人工智能科技创新能力,加快建立新一代人工智能关键共性技术体系,在短板上抓紧布局,确保人工智能关键核心技术牢牢掌握在自己手里。要强化科技应用开发,紧紧围绕经济社会发展需求,充分发挥我国海量数据和巨大市场应用规模优势,坚持需求导向、市场倒逼的科技发展路径,积极培育人工智能创新产品和服务,推进人工智能技术产业化,形成科技创新和产业应用互相促进的良好发展局面。要加强人才队伍建设,以更大的决心、更有力的措施,打造多种形式的高层次人才培养平台,加强后备人才培养力度,为科技和产业发展提供更加充分的人才支撑。

习近平强调,我国经济已由高速增长阶段转向高质量发展阶段,正处在转变发展方式、优化经济结构、转换增长动力的攻关期,迫切需要新一代人工智能等重大创新添薪续力。我们要深入把握新一代人工智能发展的特点,加强人工智能和产业发展融合,为高质量发展提供新动能。要围绕建设现代化经济体系,以供给侧结构性改革为主线,把握数字化、网络化、智能化融合发展契机,在质量变革、效率变革、动力变革中发挥人工智能作用,提高全要素生产率。要培育具有重大引领带动作用的人工智能企业和产业,构建数据驱动、人机协同、跨界融合、共创分享的智能经济形态。要发挥人工智能在产业升级、产品开发、服务创新等方面的技术优势,促进人工智能同一、二、三产业深度融合,以人工智能技术推动各产业变革,在中高端消费、创新引领、绿色低碳、共享经济、现代供应链、人力资本服务等领域培育新增长点、形成新动能。要推动智能化信息基础设施建设,提升传统基础设施智能化水平,形成适应智能经济、智能社会需要的基础设施体系。

习近平指出,要加强人工智能同保障和改善民生的结合,从保障和改善民生、为人民创造美好生活的需要出发,推动人工智能在人们日常工作、学习、生活中的深度运用,创造更加智能的工作方式和生活方式。要抓住民生领域的突出矛盾和难点,加强人工智能在教育、医疗卫生、体育、住房、交通、助残养老、家政服务等领域的深度应用,创新智能服务体系。要加强人工智能同社会治理的结合,开发适用于政府服务和决策的人工智能系统,加强政务信息资源整合和公共需求精准预测,推进智慧城市建设,促进人工智能在公共安全领域的深度应用,加强生态领域人工智能运用,运用人工智能提高公共服务和社会治理水平。要加强人工智能发展的潜在风险研判和防范,维护人民利益和国家安全,确保人工智能安全、可靠、可控。要整合多学科力量,加强人工智能相关法律、伦理、社会问题研究,建立健全保障人工智能健康发展的法律法规、制度体系、伦理道德。各级领导干部要努力学习科技前沿知识,把握人工智能发展规律和特点,加强统筹协调,加大政策支持,形成工作合力。

15   2018-11-02 17:31:58.977 内蒙古通威高纯晶硅项目顺利投产 加速领跑实现高纯晶硅“中国制造” (点击量:1)

10月31日,内蒙古通威高纯晶硅项目投产仪式在包头市昆都仑区隆重举行。包头市委副书记、市长赵江涛,十一届全国政协常委、全国人大代表、通威集团董事局刘汉元主席,包头市政协主席张世明,包头市委常委、昆都仑区区委书记王惠明,包头市副市长王秀莲,包头市昆都仑区长邵文祥,江苏环太集团董事长王禄宝,通威集团管亚梅董事长,通威集团总裁、通威股份董事禚玉娇,通威股份副董事长严虎,通威股份光伏事业部总裁陈星宇,通威股份董事、永祥股份董事长兼总经理段雍等领导及嘉宾出席,行业合作伙伴、投资券商、主流媒体及永祥主要管理班子和员工代表近600人见证了这一重大时刻。

顺利投产

打造全球单体规模最大产线

投产仪式上,永祥股份董事长段雍致辞表示,项目于2017年10月启动,仅历时5个月时间就完成了大型220KV变电站建设并一次性成功投运,10个月公辅投运,11个月主装置精馏进料,12个月项目正式投产,远短于同类地区同类规模企业18个月左右的建设周期,为全球单体规模最大、建设速度最快。今天项目正式投产,基于永祥在多晶硅研发、生产领域已经取得的行业领先地位,充分应用十多年的技术积累和科研成果,在工艺设计先进性、系统运行可靠性、自动化、信息化等方面进行了数十项优化和提升,生产循环体系的综合能耗有望实现全球行业最低;主要经济技术指标蒸汽、硅粉、氢气、氯气的消耗水平,达到全球领先水平,超过70%的产品能满足P型单晶和N型单晶的需要,逐步替代进口产品,实现高纯晶硅“中国制造”,产品质量进一步提升的同时,生产成本降至4万元/吨以下,进一步巩固永祥在晶硅行业的领先地位。未来,永祥将坚持“可靠性是高纯晶硅行业的生命线”的理念,坚持绿色高质量发展,积极促进地方新旧动能转换和经济发展,朝着打造高纯晶硅的世界级龙头企业和世界级清洁能源公司的宏伟目标勇往直前。

赵江涛市长在致辞中表示,2017年9月,通威集团立足降低进口高纯晶硅产品依赖、重构全球高纯晶硅竞争格局的战略高度,在包头市投资建设高纯晶硅项目。内蒙古通威高纯晶硅项目的正式建成投产,不仅标志着通威集团的发展壮大,也为包头经济转型升级做出了重要贡献。当前,包头市委、市政府正在全面贯彻落实习近平总书记在十三届全国人大一次会议内蒙古代表团的重要讲话精神,大力培育新产业、新动能、新增长极,着力推动经济高质量发展。通威集团作为国内最早从事太阳能及多晶硅技术研发和生产的企业,在多晶硅研发生产等多个领域行业领先,目前正在为打造高纯晶硅世界级生产企业和世界级清洁能源公司不懈努力。希望双方不断加强交流、持续深化合作,努力在更多领域、更大范围和更深层次,取得新共识、建设新项目、推动新发展。

刘汉元主席在致辞中表示,十多年前,中国光伏产业面临着两头甚至三头在外的困境,高纯晶硅是其中的薄弱环节,欧美在相关技术方面一直对我国采取技术封锁,我国高纯晶硅长期依赖进口。经过广大同行多年的共同努力,2016年,国内多晶硅供应首次在全国占比超过50%,目前占比已突破60%,我国多晶硅产业全面迈上新的台阶。这其中,也有在座全体永祥人所付出的艰苦努力和积极贡献!时至今日,我们不仅在能耗、成本等方面走在世界前列,在产品品质上也达到了世界先进水平。本次内蒙古通威高纯晶硅项目,永祥始终坚持高标准、高质量建设,项目创造了行业单体规模最大、建设速度最快、创新集成最精、核心指标最优、竞争力最强,创造了全新的“包头速度”、“通威速度”,也刷新了业内同类项目工程建设的“全国速度”、“全球速度”。伴随着项目的投产,将真正实现我国高纯电子级晶硅“中国制造”的目标,我国高纯晶硅产业的全球地位和竞争力将得以大幅提升,下游环节对进口的依赖将进一步降低,由此打破全球高纯晶硅产业的竞争格局!刘主席表示,在新一轮能源革命的大背景下,太阳能光伏发电已成为人类当前及未来新能源发展的主要选择。作为全球二氧化碳排放第一大国,我国理应承担起作为一个负责任大国的道义和担当,兑现习总书记在巴黎气候变化大会上向世界所作出的庄严承诺,加快推进以光伏为代表的可再生能源发展,为节能减排作出应有的贡献。相信随着内蒙古通威高纯晶硅项目的顺利投产,在内蒙古自治区、包头市、昆区各级党委、政府的关心与支持下,通威必将在提升我国高纯晶硅供给国产化水平,推动我国乃至全球能源转型升级方面作出更大贡献!

引领行业

打造光伏高地,成本持续行业领先

随着“领跑者”计划的不断实施,我国光伏产业技术不断进步,单、多晶组件效率不断提高。然而,高纯晶硅是我国光伏产业技术的薄弱环节,欧美发达国家在此方面一直实施技术封锁,让我国高纯晶硅长期依赖进口。伴随半导体产业及光伏产业的快速发展,市场需要新增优势产能来打破国外“垄断格局”。 同时推动地方新旧动能转换,带动新能源产业和区域经济的协调、绿色发展。

十余年来,永祥股份历经四次技改升级,在冷氢化、反歧化、大型节能精馏、高效还原、尾气回收、电器自动化控制技术、热能梯级综合利用技术、分析检测技术等方面实现具有自主知识产权的多项成果,处于行业先进水平。目前内蒙古通威高纯晶硅项目在充分利用十多年的技术及管理沉淀的基础上不断研发,进行了数十项优化和改进,随着技术工艺的完善、生产效率的提高、综合能耗的下降,该项目在产品质量全面提升的同时,生产成本继续领先行业并实现历史新低,产品成本降至4万元/吨以内。达产后将全面满足N型单晶的需求,有效替代进口,充分节省外汇,进一步缓解国产高纯晶硅尚有40%依靠国外进口的局面,真正实现高纯晶硅的“中国制造”,同时推动地方新旧动能转换,带动新能源产业和区域经济的协调、绿色发展。

绿色发展

坚定不移助推能源革命

经过十余年的积极布局,通威已打造出了完整的具有自主知识产权的光伏新能源产业链,已成为中国乃至全球光伏新能源产业的核心参与者和主要推动力量。在新能源产业链上游,永祥股份已成为全球领先、国内唯一一家拥有完整循环经济产业链的高纯晶硅生产企业;在产业链中游,通威太阳能深度切入太阳能发电核心设备及相关产品的研发、制造和推广,已实现电池片产能规模、出货量、盈利能力等多项指标全行业第一,成为太阳能电池片领域的全球龙头企业;在产业链终端,通威结合自身在新能源和现代渔业两大领域的产业优势,在全球独创了上可发电、下可养鱼的“渔光一体”创新发展模式,真正实现了“鱼、电、环保”三丰收。

目前,能源变革及绿色发展已成为全球共识。中国的光伏产业必将加快发展的步伐,未来3到5年,系统成本将不断降低,光伏发电平价上网时代将很快到来。届时,将有足够条件把我国中西部太阳能资源富集区域打造成为我国的光伏清洁能源基地。光伏发电作为主要的可再生清洁能源,将迅速推动我国能源消费方式的根本转变,从而推动汽车电动化、能源消费电力化、电力生产清洁化进程。在此过程中,将催生对储能应用、智慧电网的需求,在国内形成一个百万亿元,全球形成一个百万亿美元规模的巨大新兴产业,继续推动我国经济稳健快速发展。未来,通威也将继续坚定不移地发展新能源产业,以实际行动推进全球能源革命。

16   2018-11-09 16:48:55.563 “美日半导体贸易战”给中国半导体带来的思考 (点击量:1)

2018年10月30日,对国内半导体行业来说,应该是被记入历史的日子。美国人开始对中国半导体企业下手了。美国政府于当天宣布,将福建晋华集成电路有限公司(简称:晋华)列入美国产品禁止出口的“实体名单”。美国政府给出的理由是,晋华将要生产的记忆体芯片将威胁到美国军用系统芯片供应商的生存能力。

美国给的理由,表面上是令人费解的。晋华何许人也?是一家成立于2016年,处于设备安装阶段还未投产的新企业,毫无疑问,美国如果真正实施禁令,该公司将无法完成生产线,几百亿的投资将打水漂。晋华产品是DRAM内存(上述的记忆体芯片),采用从台湾联电引进的28nm技术,与行业领跑者的韩国三星电子、美国美光科技公司最新技术的1×nm也相差近两代。由此来看,美国人提到的“威胁”仅是说辞而已,回想2018年初的“晋华vs美光科技”的知识产权诉讼纠纷,想必美光科技对美国政府的政治游说起到了很大作用。10月31日,晋华技术来源的台湾联电也宣布暂停对晋华的技术协助。晋华项目及中国半导体行业何去何从,众人关切!

当前的中美贸易战,美国的最终目的之一是压制包括半导体在内的中国高端制造的发展,确保自己的全球优势地位。意外的是,战火如此迅速烧到了半导体行业。如果说中兴事件是美国给中国半导体提了一个醒,这次的晋华事件是给国内半导体企业的一个正式警告。处于刚要发力阶段的中国半导体国产化一旦威胁到美国企业的市场空间,美国势必会强化施压力度。

中国半导体行业该如何应对这场博弈? 长期战略如何设计?

本文通过整理当年的“美日半导体贸易战”的经过,希望给国内半导体同仁带来一些有价值的参考信息。

1. 导 读

20世纪80年代后期,日本半导体制造商称霸全球。1988年占据全球制造商Top10半壁的 NEC、东芝、日立、富士通、三菱等公司,如今或灰飞烟灭、或改姓出嫁。扛着日本半导体大旗的东芝Memory公司,不经意间其会长(董事长)变成了美国人。

日本半导体制造在20世纪90年代的没落,其原因有:日本泡沫经济的破裂、日本终端电子产品竞争力下降、日本半导体企业间的内耗(高峰时达30多家半导体企业)、电脑网络革命带来的半导体行业洗牌等。其中,从80年代初期开战并持续十三年的“美日半导体贸易战”也影响巨大???

2. 前 奏

“针对特定行业,为了达到抢占全球市场为目的,某国政府长年实施了包括顶层设计/资金支援/市场调控在内的政策”。

看官,你猜,这个“某国”是哪国?

这是1983年美国跨国半导体公司发表的文章,这里的“某国”别无旁他,是日本。原文并没有卖关子,实名指向日本。这边文章发表的稍早前,美国半导体协会也发表类似文章,批判日本半导体企业严重损害美国企业利益,而且矛头直指日本政府实施的产业导向政策。

同年,爆发“美日半导体摩擦”。

1983年,美日两国政府间组建有关半导体贸易的协商工作组,开始对话。然而,那句话叫什么来着? “该是你的,躲也躲不掉”。84年洛杉矶奥运会拉动了电视机/录像机的巨大消费,再加上电脑风暴,带来了巨大的半导体需求,再次让日本半导体企业赚的盆满钵满。85年受到奥运会特需的反弹,市场急速降温,这让本就处于被动的美国半导体企业日子更艰难,裁员、收缩生产、整编,一片江河日下的破落景象。

美国人快要气炸了!

3. 开 战

1985年,微软针对日本7家半导体厂家的DRAM开始反倾销诉讼,AMD与NS公司(美国国家半导体,后被TI收购)也跟进群殴。事情越闹越大,时任总统的里根也亲自给商业部下达命令,调查日本的倾销问题。经过几个月折腾,在1986年9月日本通产省(商务部)被迫与美国商业部签定了“日美第一次半导体协议”。 主要内容是,限制日本半导体对美出口、扩大美国半导体在日本市场份额。

然而,不知日本小兄弟是有意还是无意,总之美国大哥远没有满意。美国于1987年进一步发表针对日本在第三国倾销的报复措施。里根总统再次亲自出马,以日本未能遵守协议为由发表对日本产电脑/电视等征收100%的报复性关税。另外,美国政府阻止富士通对Fairchild公司的收购、等,美国人的报复措施遍地开花。

美日关系在此时进入二战后最坏时期。

顺便提一句,1987年美国诞生IC设计企业,以台积电为代表的代工厂也陆续创立。

4. 抗 衡

日本半导体厂家在这种巨大压力下,耐心搞研发,以技术抗衡。其后,1MB的DRAM市场份额最高时拿到全球90%,作为当时最高端的4MB的DRAM也席卷世界。最终,日本半导体企业在1989年获得全球一半以上市场份额,称霸一时。

盛极必衰。日本企业凋落的钟声也同时敲响。

美国企业以专利为武器增加对日本企业的攻击。代表案例有,1989年TI公司在日本时隔30年取得基尔比专利,这迫使日本半导体企业随后支付了数十亿美金的专利费。

1991年6月,“日美第一次半导体协议”到期。美国继续强迫日本签订“日美第二次半导体协议”。新协议主要内容为,撤销上述的100%报复关税,增加“1992年底以前外国半导体产品在日本市场占有的份额能超过20%”等内容。

5. 尾 声

1992年以后,以英特尔为代表的美国企业获得转机,依靠网络的兴起重新回归世界盟主。同时期,疯狂学习日本DRAM技术的韩国三星地位渐渐突显。 随后,微软于1993年发表Windows系列产品,以此为基础,美国企业重新夺回半导体霸权。在音响家电半导体中独占鳌头的日本企业,渐渐衰弱。

“日美第二次半导体协议”到期的1996年,在美国企业再次崛起的背景下,美国政府没有提出续签要求。美日半导体摩擦自1983年开始,历经13年后走进历史。

6. 现 状

1).日本

日本半导体企业的霸主地位虽已成过往烟云,但至今仍是全球主要制造基地之一。索尼的图像传感器 、 瑞萨电子(Renesas Electronics、NEC/三菱/日立的半导体业务合并公司)的微控制器、包括功率半导体等领域,处于领头羊地位。更需要强调的是,日本的半导体设备与原料技术独树一帜。特别是材料,硅片、光罩、光阻、CMP材料…… 全球哪家半导体厂家敢说不用日本的材料呢?

日本人认真研发的态度,成就了其在半导体行业依旧不可动摇的地位。

2).美国

老美变得更加聪明了。 打压日本半导体时,日本已经实际威胁到了美国企业的地位。这次针对中国,是发生在中国半导体企业处在襁褓之时。

美日贸易战大体分三段,第一段是60年代开战的以纤维、纺织品为代表的轻工业,第二段是70年代开战的以钢铁为代表的重工业与家电,第三段是80年代开战的汽车、半导体等技术行业。因为中国发展太迅速,针对中国,把对日本的第一段和第二段一窝蜂全上,现在看来第三段也要开始了。美国对威胁到自己利益的国家实施打压策略是不会有变化的。唯一不同的是,日本是美国的小弟,不敢与老大哥真正撕破脸皮。

无论是意识形态还是自身利益,中国不可能也不会和日本一样。

3). 中国

纵观电子行业发展史,本国终端产品的强大会带动半导体产业的发展。电脑成就英特尔,音响家电成就NEC等日本企业,微软成就英特尔第二春,苹果带出高通,三星手机带出三星电子。我国的华为也培养了势头强劲的海思半导体。

中国在人工智能、自动驾驶等行业的研究深度已凸现优势,这极有可能会带出我国的相关半导体龙头企业。

机会就在眼前!

能否把握住机会,一是技术研发,二是资金投入。关键还是能否耐得住寂寞,潜心搞研发。OECD (经济合作与发展组织)在2017年发表的数据显示,2015年世界主要国家(地区)投入研发费用占GDP比率,前三位是韩国4.23% ,日本3.29%,台湾3.05%。美国2.79%排第五,中国2.07%排名第七。韩国/日本/台湾的研发费用中,以半导体为主的电子行业为主要投资产业,这造就了其半导体产业的强大。也可以反过来说,半导体的强大拉动了研发费用规模。其本质一样,需要烧钱。

我国已经在资金层面开始发力。潜心研发技术是取胜的根本之道。

还有一个大问题是人才的缺乏,主要是研发和一线工程师。即使企业重金聘请到一两个顶级技术专家,但如果没有大量优秀工程师的支持,产品良率就不可能上来。良率控制是半导体企业的生命线,低良率导致公司亏损,无法进行新技术投资,进入恶性循环从而很快被淘汰。半导体行业的技术更新速度,大家是清楚的,然而培养一个工程师,却需要5年~10年。

新建的半导体企业已经开始大量互挖工程师,这对我国半导体发展整体来讲,是不好的现象。把有限的人才集中到几家重点培养企业,再依靠企业培育新人,形成阶梯性人才体系是必要的。否则,欲速则不达。

17   2018-11-09 16:40:41.107 华为海思恐超越联发科 成亚洲最大芯片设计公司 (点击量:1)

随着华为智能手机销量迈向2亿的目标,旗下的海思半导体也跟着快速成长,得益于此,海思在代工厂台积电中的地位也会升级,预计明年营收规模将超越联发科,成为台积电前三大客户。

来自供应链人士@手机晶片达人的消息称,海思明年在台积电将会超越联发科,成为台积电前三大客户。芯谋研究的顾文军也附和称算上海思在其他晶圆厂的采购量,海思今年很有可能超越联发科成亚洲第一大设计公司。

目前在台积电的客户中,苹果数年来一直排名第一。IC Inights公布的数据显示,苹果芯片业务营收规模在75亿美元左右,大约是台积电四分之一的营收规模。

2018年全年的营收数据尚未公布,不过2017年海思半导体营收为387亿元,是国内第一大芯片设计公司,联发科去年营收2382.2亿新台币,折合535亿人民币,双方的差距还挺大,但是联发科这两年来面临增长困境,今年前三季度合计营收1771亿新台币,折合398亿元。

海思半导体因为不是上市公司,无需对外公布数据,但是今年因为华为智能手机、机顶盒、安防等领域的芯片还在高速增长。华为又今年抢先推出了7nm工艺的麒麟980处理器,是目前仅有的两款7nm处理器。从2017年海思半导体增长27%来看,海丝半导体营收超越联发科是有可能的。

18   2018-11-09 16:39:09.317 5G催生第三代半导体材料利好,GaN将脱颖而出 (点击量:1)

相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC与GaN(氮化镓)具备耐高电压特色,并有耐高温与适合在高频环境下优势,其可使芯片面积大幅减少,并简化周边电路设计,达成减少模块、系统周边零组件及冷却系统体积目标,GaN应用范围包括射频、半导体照明、激光器等领域。

现行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造,其中GaN-on-SiC强调适合应用在高温、高频的操作环境,因此在散热性能上具优势,其以5G基地台应用最多,预期SiC基板未来在5G商用带动下,具有庞大市场商机。

5G高频特性,使GaN技术有伸展空间

目前基地台用功率放大器(Power Amplifier,PA)主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)技术,不过LDMOS技术仅适用于低频段,在高频应用领域存在局限性。

由于LDMOS功率放大器的频宽会随着频率增加而大幅减少,运用于3.5GHz频段的LDMOS制程已接近限制,性能开始出现下滑,在考虑5G商用频段朝更高频段发展下,过去LDMOS将逐渐难以符合性能要求,因此第三代半导体材料GaN技术崛起;由于GaN技术支援更高资料容量之多资料传输,同时搭配5G高速网络,不论在频宽、性能、容量、成本间可做出最佳成效。

换言之,GaN优势在于更高功率密度及更高截止频率(Cutoff Frequency,输出讯号功率超出或低于传导频率时输出讯号功率的频率),尤其在5G多输入多输出(Massive MIMO)应用中,可实现高整合性解决方案,例如模块化射频前端元件,以毫米波(Millimeter Wave,mmWave)应用为例,GaN高功率密度特性可有效减少收发通道数及尺寸,实现高性能目标,然短期LDMOS会与GaN共存,主要原因在于低频应用仍会采用LDMOS,例如2GHz以下应用领域。

5G基地台的功率放大器将以砷化镓与GaN制程为主

从Qorvo产品应用来看,采用GaN技术将天线阵列功耗降低40%,透过整合式多通道模块、3~6GHz及28/39GHz频段在射频前端产品的布局,更加强调高性能、低功耗、高整合度、高易用性等目标达成。

其中GaN可达LDMOS原始功率密度4倍,每单位面积功率提高4~6倍,即在相同发射功率规格下,GaN裸片尺寸为LDMOS裸片尺寸的1/6~1/4。由于GaN具有更高功率密度特性,能实现更小元件封装,满足Massive MIMO和主动天线单元(Active Antenna Unit,AAU)技术下射频前端高度整合需求。

目前GaN运用以5G基础设施(如基地台)为主,手机较难采用GaN技术,主要挑战包括:(1)GaN成本高;(2)GaN供电电压高;较不符合手机需求,不过若未来透过改进GaN射频元件特性,仍有可能应用于手机,例如加入新的绝缘介质与沟道材料,使其适应低电压工作环境。无论如何,GaN已成为高频、大功耗应用技术首选,包括需高功率水平的传输讯号或长距离应用,例如基地台收发器、雷达、卫星通信等。

19   2018-11-09 16:37:05.003 三星展示首款5G通信芯片Exynos 5100 (点击量:1)

11月5日,首个以进口为主题的国际博览会——中国国际进口博览会(以下简称“进博会”)在上海国家会展中心正式开幕,三星也在会上亮相,并展示了包括显示器和半导体在内的多款新品。

三星首次在中国展出了今年8月底推出的全球明星产品,即采用8K人工智能增强技术、峰值亮度可达4000尼特的QLED 8K系列电视。这款产品具备Real 8K分辨率,拥有Q HDR 8K技术和8K量子处理器,内置AI芯片可对输出画面进行智能优化。

三星首次在华展出了今年8月最新推出的世界首款5G通信芯片Exynos 调制解调器5100。该产品采用10nm LPP工艺打造,是业内首款完全兼容3GPP Release 15规范,也就是最新5G NR新空口协议的基带产品,支持设备使用单个芯片连接 2G、3G、4G 和 5G 网络。

20   2018-11-09 16:30:39.01 北京中关村集成电路设计园吸引30余家知名企业入驻 (点击量:1)

北京中关村集成电路设计园已于今年6月底投入使用。截至目前,吸引30余家海内外知名企业入驻;到2020年入驻企业将达150家,年产值力争突破300亿元(人民币,下同),实现税收近50亿元。

中国是集成电路最大的消费市场,长期占据全球市场份额一半以上,但中国的集成电路产业发展水平与先进国家相比依然存在较大差距。因此,快速发展集成电路已经成为中国发展高精尖产业的重中之重。

为促进集成电路产业发展,按照“北(中关村)设计,南(亦庄)制造”的空间战略布局,北京市决定,在中关村科学城建设国家级集成电路设计产业园。2015年5月21日,中关村发展集团与首创集团签约,联手共建中关村集成电路设计园。

中关村集成电路设计园用地面积6万平方米,总建筑面积22万平方米,产业定位以集成电路设计为核心,协同云计算、大数据、物联网、智能硬件等领域上下游企业,构建“泛集成电路设计园”。

产业园1.0时代是国家规划一块地作为科技园,主要看市场变化,边做边研究,存在园区配套与企业需求不对等、园区环境与员工诉求有差异等问题,产业定位存在需要提升的地方。而产业园2.0时代吸取了1.0时代的教训,做社区、做环境,但是没有解决职住平衡问题。

中关村集成电路设计园在吸取上地信息产业基地和中关村软件园等1.0时代、2.0时代园区建设经验的基础上,按照新理念,打造产业园3.0新时代,就是先确定产业定位,再确定生态环境、产业配套、生活配套、运营管理等,最后搭建空间环境,规避了前两代园区发现的问题。

集成电路设计园还构建IC产业发展上下游产业链条,在招商过程当中,不仅对IC设计进行聚集,还以IC设计为主体,留出足够的空间用于招商产业上下游企业,在园区形成“芯片—软件—整机—系统—信息服务”全产业链协同发展的格局。

园区以降低企业研发成本、培育实用型人才、缓解投融资难题、缩短产品上市周期为目标,构建了产业生态圈、企业生态圈、资源生态圈、智慧生态圈,以及“十大产业服务平台”,为企业提供全方位服务,助力集成电路技术和产品实现自主、可控、替代。

最引人关注的是,集成电路设计园充分发挥在京科研院所集成电路人才的优势,与清华大学、北京大学、中国科学院、北京航空航天大学、北京理工大学、北京工业大学六所在京示范性微电子学院签订了合作协议,在人才、项目、学生分配等方面做了全面的对接,形成了长期的人才供给机制。

目前,园区已有产业链合作企业约90家、服务企业150余家。在产业聚集的同时,带动了人才向区域的集中,促进区域周边商业、生活配套的不断完善,在海淀北部构建起一座产业新城。

由于园区优良的产业发展环境,目前已吸引国内领先人工智能芯片公司比特大陆、国内唯一存储器上市企业兆易创新、国内基于x86架构的自主可控CPU研发企业兆芯等30余家知名企业入驻园区,实现年产值近250亿元,税收40亿元,专利超过1700件。

园区正在积极设立集成电路成果转化基金。通过设立基金,园区与产业资本、龙头企业等社会资本形成合力,推动创新链、产业链、资金链深度融合,投向集成电路为核心的高端“硬技术”创新,引导适合首都的集成电路科技成果落地北京孵化。

园区已经成为国家发展集成电路设计的重要载体,使北京市及海淀区在全国高精尖产业布局中以集成电路设计为主形象的地位得到根本确立。

未来,中关村集成电路设计园将在高标准、高品质、高效率的完成园区建设的基础上,精心构建产业服务体系,进一步营造适合集成电路产业发展的生态环境,打造世界一流的集成电路产业新旗舰。

21   2018-11-11 19:00:23.543 硅上的横向外延过度生长以提高紫外线输出功率 (点击量:1)

日本,美国和土耳其的研究人员利用在200mm硅基板上生长的材料开发了高亮度紫外(UV)氮化铝镓(AlGaN)发光二极管(LED)技术[Yoann Robin等,Materials Science in Semiconductor Processing ,vol90,p87,2019]。 来自日本名古屋大学,美国弗吉尼亚联邦大学,土耳其Cumhuriyet大学和美国西北大学的团队使用横向外延过度生长方法来改善材料质量。 研究人员报告说:“AlN质量和结构设计的改进使光输出功率在脉冲电流下达到毫瓦范围,超过了之前报道的最高效率。”

将LED芯片翻转并安装在具有金 - 锡共晶键合的预先图案化的AlN底座上。 使用氢氟酸/硝酸/乙酸混合物除去硅衬底。 在湿蚀刻期间,用蜡保护器件的侧面。 与蓝宝石不同,基板去除至关重要,因为硅吸收紫外线辐射。 然后将这些器件用铟粘合到铜散热器上,最后进行引线键合以进行电连接。 基于蓝宝石的比较LED是类似地制造的,但没有基板去除。

22   2018-11-11 18:50:38.18 由于电力电子、激光和ROY LED应用的推动,Aixtron在第三季度的收入增长了15% (点击量:1)

2017年第三季度,位于德国的沉积设备制造商Aixtron SE报告收入为6340万欧元,比上一季度的5520万欧元增长了15%,比去年同期的6220万欧元增长了2%。2018年前9个月的收入为1.809亿欧元,比1.763亿欧元增长3%。

总裁Felix Grawert博士指出,与前几个季度一样,2018年前九个月的收入和订单收入主要是由金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统持续的需求来推动。MOCVD系统可用于生产红橙黄ROY LED,也可用于显示器、激光器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)和边缘发射激光器(EEL),以及用于3D感测和光学数据传输。在这些年,对电力电子应用的MOCVD系统的需求也在增加,这使我们可以有更多的产能扩展订单。”

Schulte评论道:“我们对订购的红色、橙色和黄色LED,激光器和电力电子产品的感到非常满意。”

23   2018-11-11 18:49:17.86 III-V异质结双极晶体管MOCVD生长在200mm(001)硅上 (点击量:1)

总部设在新加坡的研究人员使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)直接在200mm直径的硅晶片上生长III-V异质结双极晶体管(HBT)。

来自南洋理工大学和新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)的团队希望该技术可以使用最有效的(001)晶体取向与主流硅互补金属氧化物半导体(CMOS)电子器件集成。

研究人员首先在200mm(001)p型硅衬底上生长锗缓冲层。在[110]方向上将基板切割6°,HBT结构也通过MOCVD生长,产生铟镓砷磷化物(InGaAsP)合金。

研究人员预测在于手机功率放大器的应用中,III-V异质结双极晶体管比纯硅器具有更高的高频性能。在更高的电压击穿和低噪声操作方面,带隙调谐可以进一步展现优点。

24   2018-11-11 18:47:21.54 Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购 (点击量:1)

美国的Littelfuse公司已完成对初创的Monolith Semiconductor公司的收购,并且Monolith拥有碳化硅(SiC)功率器件技术。Littelfuse于2015年开始与Monolith合作,并在过去三年取得一系列在技术和商业产品合作方面的成绩,随后Littelfuse逐步增加其所有权。

Littelfuse半导体产品高级副总裁兼总经理兼首席技术官Ian Highley说:“完成对Monolith Semiconductor的收购是我们战略的重要组成部分,增加碳化硅技术使我们能够更好的发展我们的产品组合,我们已经发现了一个对商业发布产品有意义的设计,并且在工业和汽车应用方面非常感兴趣。”

Littelfuse于2017年5月首次推出商用碳化硅肖特基二极管,随后于10月推出首款商用碳化硅MOSFET。迄今为止,该公司已经发布并大量生了产20多种碳化硅产品,未来几个月计划再增加30多种。

25   2018-11-11 18:43:48.02 美国空军将合同授予Qorvo公司,以加速GaN设计,增加其性能和可靠性 (点击量:1)

美国的Qorvo公司已被美国空军研究实验室(AFRL)授予为期四年的合同,以开发统一的氮化镓(GaN)建模框架,加速GaN器件的设计。

Qorvo将领导一个团队,其中包括Modelithics公司、帕多瓦大学、NI AWR、HRL和科罗拉多大学博尔德分校,共同进行研究,创建一个统一物理建模和制造建模的工具,以提升GaN技术。

Qorvo表示,GaN具有强大的功率密度并且可提供很高输的出功率和效率。包括毫米波频率,这使其成为雷达、电子战(EW)以及国防和商业应用通信系统首选的半导体技术。

Qorvo基础设施和国防产品业务总裁James Klein说:“该合同使空军能够利用Qorvo近20年的专业知识,开发业界最可靠,性能最高的GaN工艺,新的建模和仿真工具将加速GaN设计,也可以降低成本。”