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2018年第23期(发布时间: Nov 27, 2018 发布者:沈湘)  下载: 2018年第23期.doc       全选  导出
1   2018-11-23 17:23:07.197 IC Insights预计2017年~2021年全球汽车电子年复合增长率为6.4% (点击量:10)

尽管自动驾驶汽车遭遇了一些引人注目的挫折,但汽车电子项目仍然被业界看好;它仍然是推动半导体市场持续增长的“温床”。

IC Insights数据显示,预计2018年汽车电子的销售额将增长7.0%,2019年将增长6.3%,这是六大半导体最终用途应用中两年来的最高增长率。图1显示,预计2018年汽车相关电子系统的销售额将从2017年的1420亿美元增加至1520亿美元,预计2019年将增至1620亿美元。

尽管自动驾驶汽车遭遇了一些引人注目的挫折,但汽车电子项目仍然被业界看好;它仍然是推动半导体市场持续增长的“温床”。

此外,根据IC Insights的最新调查结果显示,从2017年到2021年,汽车电子预计将实现年复合增长率(CAGR)为6.4%,再次超过所有其他主要系统类别。

总体而言,汽车领域预计将占2018年全球电子系统市场总额1.62万亿美元的9.4%(图2),比2017年的9.1%略有增长。多年来,汽车领域仅逐步增加,预计到2021年,将占全球电子系统销售额的9.9%,仅显示边际收益占整个电子系统市场的百分比。虽然2018年占电子系统市场份额的比例很小(仅比政府/军事类别大),但预计到2021年,汽车市场将成为半导体市场增长最快的领域。

专注于自动驾驶(自动)车辆,ADAS,车辆到车辆(V2V)通信,车载安全,便利性和环境特征以及对电动车辆的持续兴趣的技术特征继续提升汽车电子市场的影响力,尽管今年发生了一些涉及自动驾驶汽车的高度关注事故,但这些事故至少部分归咎于技术错误。

中型和入门级车型以及售后市场产品的新进展更为广泛明显,近年来进一步提升了汽车系统的增长。在半导体领域,这对于模拟IC,MCU和传感器制造商来说尤其是个好消息,因为大多数这些汽车系统都需要大量的这些器件。

值得注意的是,汽车特殊用途逻辑类别预计今年将增长29%,仅次于DRAM市场,预计今年汽车应用专用模拟市场将增长14%-作为备用摄像头,盲点(车道偏离)探测器和其他“智能”系统被强制或以其他方式添加到更多车辆中。同时,存储器(特别是DRAM和闪存)在车辆中使用的新汽车系统解决方案的开发中越来越重要。

2   2018-11-16 17:05:36.787 珠海出台12条新措施 支持新一代信息技术产业发展 (点击量:4)

今年8月,珠海市政府与富士康科技集团签署战略合作协议,双方将在半导体设计服务、半导体设备及芯片设计等方面开展合作;在珠海高新区,英诺赛科、鼎泰芯源、普林芯驰、中芯集成电路等数十家半导体材料、IC设计企业集聚,形成上下游良性联动的集成电路产业链……

以上述优质企业为代表的珠海信息产业,将迎来全新的发展机遇。近日,珠海市政府常务会议审议并原则通过了《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》(以下简称《政策》),《政策》共推出12条措施,支持珠海在做大做强软件和集成电路设计业的同时,大力发展大数据、人工智能等智慧产业,以及智能硬件、5G、信息安全等新兴产业,打造未来的产业增长支柱。

根据部署,珠海计划于2019年设立《政策》所需的产业专项资金,连续三年每年投入约7000万元用于补助和奖励,支持新一代信息技术产业发展。珠海市科技和工业信息化局局长贺军表示,12条政策条款以较高标准来核定奖补方案,对信息产业支持力度大。

势头

优势产业增速排名全国第三

根据珠海市政府与富士康签署的协议,富士康将立足集成电路产业,面向工业互联网、8K+5G、AI等新世代高性能芯片的应用需求,与珠海市在半导体产业领域开展战略合作,推动珠海打造成为半导体服务产业发展的重要基地。

信息产业是地方经济稳增长、促就业和调结构的重要支撑,也是珠海重点打造的龙头支柱产业之一。近年来,珠海促进信息产业规模稳步增长,已形成了以智能终端制造、软件和集成电路设计为重点的信息产业体系,该产业呈现出产业规模稳步增长、布局基本成形、骨干企业快速成长等发展趋势。

数据显示,今年1-8月,珠海电子信息制造业实现规模以上工业总产值574亿元,同比增长7.7%;规模以上工业增加值129亿元,同比增加10.3%。同时,软件和信息技术服务业实现业务收入413.87亿元,同比增长17.43%;集成电路设计服务收入24.2亿元,同比增长24%。

值得一提的是,珠海集成电路设计产业去年规模达46亿元,在全国集成电路设计产业规模最大的10个城市中位列第9,产业增速排名全国第3。

信息产业的快速发展并非无源之水。近年来,珠海先后出台了《关于发展软件产业的若干规定》《加快高端新型电子信息产业发展的意见》《进一步促进我市软件和集成电路设计产业发展的意见》等一系列扶持政策,并设立专项资金,扶持信息产业发展。

尽管综合实力不断增强,新兴业态成长迅猛,但在业内人士看来,珠海信息技术产业发展仍面临诸多困难和短板。“结构相对单一、产业规模增长缺乏动力,亟须寻找新的增长点,这是当前珠海信息产业在迈向更高质量发展道路上所面临的瓶颈和难题。”

“随着产业向纵深发展,城市之间的竞争加剧,珠海原有的信息产业扶持政策已无法满足产业发展的需求,亟须出台新的产业扶持政策。”贺军坦言。

路径

新措施助力做长做强产业链

根据珠海市委、市政府的工作部署和《珠海市信息产业发展规划(2017-2021年)》指引,《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》针对当前珠海信息产业发展的痛点,结合国家战略方向和产业发展趋势,提出支持新一代信息技术产业发展的12条措施,促进产业链上下联动,打造珠海经济未来增长支柱。

根据《政策》,珠海将重点支持集成电路产业的发展,在原有支持集成电路设计企业流片、购买EDA工具、租用公共技术服务的扶持内容基础上,新增购买IP补贴,集成电路产品晶圆制造、封测服务补贴,支持集成电路产业链联动发展的内容,以巩固珠海集成电路设计产业发展优势,做长做强产业链。

与此同时,《政策》对企业获得国家科技重大专项给予一定比例的资金配套,支持企业承担国家级科技重大项目。据悉,为鼓励企业承担国家(省)科技重大专项、信息化和信息产业发展重大专项等新一代信息技术产业化项目,珠海将给予其所获立项金额一定比例的配套补贴,每年最高500万元。

按照国家、省发展新一代信息技术产业的方向,《政策》重点支持物联网、云计算、大数据、人工智能、信息安全等新兴业态发展。同时,珠海还将对中小企业租用信息技术公共技术服务给予补贴,支持公共技术服务平台的条件建设,构建完善的公共技术服务环境。

值得一提的是,《政策》所需的产业专项资金自2019年起设立,政策有效期3年,每年资金规模约为7000万元,支持方式主要采取补助和奖励方式。

贺军介绍,珠海市科工信局对深圳、广州、东莞等周边地区以及北京、上海、无锡、厦门、合肥、杭州等城市最新出台的产业政策进行了梳理和对比,对部分奖补标准进行了重新调整,增加了相关条款,并提高了奖补标准。“目前,除财政部门对产业扶持资金奖补有上限要求外,《政策》的其余政策条款基本能达到‘珠三角最优’。”

力度

高标准奖补支持工业互联网建设

资金奖补倾斜力度大,是本次新政的一大亮点。

《政策》提出,要充分发挥珠海发展投资基金的引领和撬动作用,引导社会资本、产业资本和金融资本投向新一代信息技术全产业链的重大项目建设,并积极争取包括国家大基金在内的各类产业基金的支持,鼓励银行业金融机构对集成电路企业给予信贷倾斜。

为加快完善新一代信息技术全产业链,《政策》明确提出,支持云计算、大数据产业发展,支持云计算中心、大数据中心、大数据产业园区建设自备电厂,通过直供电、电费补贴等方式降低要素成本,对云计算中心、大数据中心自用宽带租赁费给予50%的补贴。

同时,《政策》明确,对单个云计算中心、大数据中心、大数据产业园区,连续三年每年给予补贴100万元。

当前,互联网发展正由消费互联网转向工业互联网,工业互联网成了制造业竞争的新制高点。鉴于工业互联网发展与新一代信息技术产业发展密切相关,因此《政策》特别将支持工业互联网、企业“上云上平台”、两化融合发展的内容一并纳入政策体系当中。

比如,《政策》明确,对经评定的工业互联网平台、标杆示范项目分别给予300万元、150万元的奖励;支持工业互联网产业示范基地建设,对经国家、省评定的工业互联网产业示范基地,分别给予800万元、500万元的奖励。

同时,对上年度主营业务收入达500万元以上的工业企业核心业务系统“上云上平台”,《政策》也明确了将对企业的应用服务费、设备接入费、网络改造费等给予补贴,以鼓励工业企业利用信息化技术推进工业制造转型,实现产能提升。

3   2018-11-16 16:53:22.367 总投资30亿开建国内最大第三代半导体碳化硅材料项目 (点击量:7)

近日,天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工,标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建,也为长沙碳基材料产业发展增添“新引擎”。

据了解,天岳碳化硅材料项目系国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线,分两期建设:一期占地156亩,主要生产碳化硅导电衬底,预计年产值可达13亿元;二期主要生产功能器件,包括电力器件封装、模块及装置,新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等,预计年产值达50~60亿元,税收可达5~7亿元。

作为第三代半导体材料的碳化硅,被列入“中国制造2025”规划,是国家战略性新兴产业。而天岳则是中国宽禁带半导体材料领域当之无愧的“独角兽”。

国际先进,主要产品应用众多技术领域

山东天岳晶体材料有限公司的碳化硅半导体材料技术已经达到国际先进水平,个别产品全世界仅有山东天岳和美国一家企业可以批量生产,该产品是支撑关键装备的核心材料,被列入国家战略物资。据介绍,公司自2010年建立,仅用8年时间就成长为国际先进的碳化硅半导体材料高技术企业,其主要产品碳化硅衬底作为新一代半导体材料的代表,广泛应用于电力输送、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通信等技术领域。

据了解,碳化硅半导体也称第三代半导体,是继硅半导体后发展起来的新一代功率半导体,因其具有高频高压、大功率、耐高温、大幅节能等显著特点和优势,对于保障国家安全,发展高端装备制造,促进产业升级换代都具有重大战略意义,是公认的划时代材料。

宗艳民表示,碳化硅半导体产业在节能环保和智能制造领域大有可为。他举例说,如果用半导体碳化硅LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯,可节省三分之一的照明用电,即1000亿千瓦时。“普通空调外挂机,如果使用碳化硅材料可以减少1/2的体积,同时节能2/3;碳化硅半导体是5G通信和物联网的基础材料,可以说没有碳化硅半导体就无法实现5G和物联网。”

选择长沙,抢占第三代半导体制高地

“碳化硅最大的应用市场在中国,占据全球近一半的使用量,但是我国的碳化硅产业还很不完善,而且长期以来被国外封锁。”宗艳民表示,这种局势要求企业必须自主可控、自谋出路,而这给了天岳扩大规模建设的时代要求,也是落子长沙的原因,“湖南有中车,有国防科大,既有市场需求,又有军民融合基础,落地长沙,符合我们发展选择的需要。”

实际上,长沙正在强力推进新一代半导体产业链建设,上中下游产业落地铸就了产业生态环境,具有一定产业引进的体系优势——作为国家战略性新兴产业,2017年,碳基材料产业链被长沙市委、市政府确立为长沙22个工业新兴及优势产业链之一,并将产业链推进办公室设在浏阳高新区。自成立以来,碳基产业链办公室通过深入研究产业态势、全面推进产业招商、精心培育产业主体、着力完善保障机制等举措,助力产业建链、补链、强链、延链。

“如今,第三代半导体产业发展迎来了前所未有的机遇窗口期,此次落户,我们希望能够抢占第三代半导体制高地,填补长沙在碳化硅产业的空白。”宗艳民表示,公司落户期待稳健推进产业生态建设,为半导体产业发展做出贡献,助力长沙打造国家智能制造中心,“我们的目标是到2020年跻身全球前两位,5-10年时间做到行业内全球第一,实现第三代半导体的中国梦!”

4   2018-11-16 16:49:51.03 聚力成半导体50亿元项目正式开工 研发生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片和芯片 (点击量:2)

近日,聚力成半导体(重庆)有限公司奠基仪式在大足高新区举行,该项目以研发、生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片、芯片为主。这项拟投资50亿元的高科技芯片项目,有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈,形成自主制造能力。

聚力成半导体项目占地500亩,拟投资50亿元,将在大足打造集氮化镓外延片制造、晶元制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。项目建成达产后可实现年产值100亿元以上,解决就业岗位2500个。此外,该企业还在大足建设中国区总部、科研及高管配套项目等。

据业内人士介绍,第一代半导体材料以硅和锗为代表,第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在诸多领域有广阔的应用前景。

目前,全球拥有氮化镓全产业链的仅有德国、日本、美国等国少数几家企业。我国在第三代半导体器件的研发方面起步并不算晚,但因为在关键材料和关键制作技术方面没有取得较好的突破,国内一直没有形成自己的制造能力。

聚力成公司在大足建设的基地,是其在中国大陆的第一个生产、研发基地,将有望打破上述局面。该项目建成后,可为高铁、新能源汽车、5G通讯、雷达、机器人等行业的电力控制系统和通讯系统的核心部件提供大量的氮化镓高功率半导体和高射频半导部件。

该项目前期由市台办搭桥引荐,得到了市经信委、市商务委、台商协会等部门的大力助推,经双方多轮磋商及长达数月的调研、专家论证,企业引入中国国际金融有限公司作为资方,于今年9月与大足区成功签约。目前,该项目运营公司聚力成半导体(重庆)有限公司核心成员已陆续入驻。

自签约以来,大足区与企业双方精诚合作,仅用65天就实现开工。聚力成半导体基地的建设,将对大足乃至重庆实施以大数据智能化为引领的创新驱动发展战略行动计划,加快布局电子信息、集成电路等新兴产业,具有重要示范引领作用。

据介绍。该公司研发的外延片是以氮化镓为原材料的第三代外延片,是全球半导体研究的前沿和热点,与芯片的质量有直接关系,属于半导体行业的核心技术器件。以氮化镓为材料的半导体器件可广泛应用于新能源汽车、高铁、5G通讯等领域,能让大家的生活更加智能化、更加便捷。在大足高新区建设的基地,是聚力成在大陆的首个基地,力争5年内实现产值40亿。

5   2018-11-24 17:31:16.117 激光退火使得能够先栅极制造III族氮化物晶体管 (点击量:1)

华南理工大学利用聚焦激光对源极和漏极进行选择性微米级局部退火,实现栅极优先制造氮化铝镓(AlGaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。

先栅极制造是自对准硅CMOS晶体管制造的标准。先栅极制造GaN HEMT可以为Si CMOS带来新的集成选择。先栅极制造工艺流程始于20nm二氧化硅的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。镍/金栅极金属的电子束蒸发之后通过剥离光刻图案化成5μm长,600μm宽的栅极结构。去除二氧化硅绝缘层,进一步电子束蒸发产生钛/铝/镍/金源/漏电极。通过显微镜物镜聚焦到3μm点的532nm连续波激光实现源/漏电极的退火。目的是热激活AlGaN的氮的向外扩散。该过程在5×10-3Pa压力的自制真空室中进行。

研究人员指出,跨导激光退火器件的外形更平坦,表明在应用中具有更好的线性度和更大的动态范围。

6   2018-11-16 16:47:56.033 杨德仁院士:铸锭单晶兼具多、单晶双重优点 或将大规模应用 (点击量:2)

“铸锭单晶是太阳能硅材料重要的发展方向,希望铸锭单晶技术在今后1-2年重新开始大规模应用,”在近日举办的相关活动上,中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁在报告中详细阐述了铸锭单晶的前世今生。会上,来自协鑫的长晶技术总监胡动力博士也在工业化应用的层面介绍了铸锭单晶技术的进展。他表示,在与直拉单晶实现同瓦输出的情况下,铸锭单晶硅片价格低0.3-0.4元/片,给客户更高的性价比。

“第三条路线:铸锭单晶兼具低成本和高效率”

在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中,杨德仁院士表示,十余年来,多晶、单晶市场份额变化的钟摆效应,是市场政策、技术发展共同作用的结果,两种技术路线将会共存,谁也不会简单消灭谁。而第三种技术路线——铸锭单晶,利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅,把两种技术的优点结合起来,既有低成本,低能耗,也有高质量、高效率。

“所以铸锭单晶技术在过去十年以及最近得到了非常大的关注”,杨德仁院士表示,从1977年第一次在国外杂志上发表,到2006年转换效率做到18%,再到2010年铸锭单晶技术实际上已经工业化应用,市场份额占到15%-20%。杨德仁强调,铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀,比多晶增加1%以上的转换效率,同时又保持了多晶的低光衰优势,光衰仅仅是直拉单晶的20%-30%。

杨德仁院士同时指出,铸锭单晶在过去一段时间面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本等问题挑战,其中位错是关键因素。“我们的研究团队提出增加晶界的改进方法,‘以毒攻毒’,可以有效的降低位错。我们希望这样的技术在今后1-2年重新开始大规模应用”,杨德仁院士说。

“铸锭单晶将赠送‘阳台’和‘飘窗’实现同瓦输出”

铸锭单晶在2010年左右规模量产,协鑫、LDK,昱辉都有大量出货。近几年来,铸锭单晶技术未能大规模应用,除了高效多晶等新技术的快速发展占领市场外,成本问题也一直是主要的突破方向。

“目前保利协鑫铸锭单晶已经发展到第三代产品,通过籽晶多次回用,籽晶成本下降60%”,在“晶硅材料技术与装备”分会场,保利协鑫胡动力博士说,“此外,依靠G8大尺寸硅锭,薄硅片等方法,成本已经进一步下降。

除了成本优势,胡动力博士认为,保利协鑫铸锭单晶硅片技术优势也比较显著。相比于直拉单晶15ppma,铸锭单晶研发氧含量最低到2ppma,确保更低的光衰;硅片电阻率分布更窄,效率进一步提升,与直拉单晶相差0.2%以内。

“铸锭单晶将赠送‘阳台’和‘飘窗’”,胡动力博士形象比喻道,“转换效率差距可以用157.75mm的大尺寸硅片弥补。由于不存在缺角,铸锭单晶硅片面积100%可利用,比直拉单晶面积大2%,与同尺寸直拉单晶硅片实现同瓦输出。同时,每片价格低0.3-0.4元,经测算,选择铸锭单晶较直拉单晶收益高0.06元/W。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。”

胡动力博士指出,大尺寸化和定制化是未来技术趋势,铸锭单晶能低成本实现166mm和长方形硅片的定制化生产,未来更具优势。对于三类片的处理方法,胡动力博士表示,利用湿法黑硅技术,三类片黑硅制绒效率较产线多晶黑硅片高0.21%,与多晶黑硅外观几乎一致,而且颜色更加均一。

目前,保利协鑫铸锭热场工艺、高纯坩埚、锭检设备已经全面升级,继金刚线切黑硅片之后,铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。

7   2018-11-26 15:17:46.973 南京市江北新区签约集成电路项目9个,总投资额达100亿元 (点击量:1)

11月19日,以“聚力同芯、智创未来”为主题的“芯片之城”发展论坛在南京集成电路产业服务中心人才实训基地隆重举行。该论坛由南京市江北新区管理委员会主办、南京集成电路产业服务中心(ICisC)承办。活动现场,江北新区软件园与9个重点项目进行了签约、为7家企业颁发了营业执照、对4家重点落户企业进行揭牌,各项目涉及投资额共计100亿元。

在主题论坛中,罗群介绍了江北新区“芯片之城”发展布局及现状,并对新项目的签约落地,以及希烽光电等企业的揭牌表示祝贺。罗群表示,江北新区的集成电路产业从无到有,可以说机遇与挑战并存。无论是南京市的“4+4+1”战略新兴产业,还是江北新区的“两城一中心”,都把集成电路产业放在重中之重的位置。江北新区作为南京集成电路产业“一核两翼三基地”的核心,也必将大有作为。江北新区的目标是,到2020年,集聚集成电路产业超300家,集成电路产业人才超万人;到2025年,集聚集成电路企业超1000家,将新区的集成电路产业打造成为“全省第一、全国前三、全球影响力”的产业地标。

在随后举办的集成电路产业服务中心重大项目签约仪式上,集成电路设计产业创新中心项目、制造业创新中心项目、软件合作项目和平台建设合作项目完成了签约。在江北新区新落地项目的签约、颁照、揭牌仪式上,江北新区软件园与9个重点项目进行了签约、为7家企业颁发了营业执照、对4家重点落户企业进行揭牌,各项目涉及投资额共计100亿元。

会上,国家专用集成电路系统工程技术研究中心主任时龙兴进行了题为“需求导向建设专业服务,打造生态助力千亿级产业集群”的主题演讲。他介绍了南京集成电路产业服务中心成立两年来,采用创新市场化运营模式、打造了人才、技术、公共服务、芯机联动4大服务平台,不仅实现了最初1亿元投资的资产增值,完成了专业运营团队配置、形成了招聘培训服务、EDA共享服务、仪器与测试服务、MPW流片服务等14项集成电路专业服务能力及品牌影响力,同时协助江北新区引入10余家集成电路重点企业、满足企业人才需求近千人,为近百家企业提供公共技术软硬件服务,帮助企业节省研发费用超过1亿元。

8   2018-11-24 17:34:14.723 NREL概述了薄膜太阳能技术可以灵活应用之处 (点击量:1)

目前硬质硅太阳能电池板在公用事业和住宅市场占据主导地位,但是美国能源部的国家可再生能源实验室(NREL)认为薄膜光伏和新兴技术兴起的机会仍在,因为它重量轻和具有灵活性,并且拥有活性碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)等薄膜,以及钙钛矿和其他新技术。

研究人员确定了成本、效率和可靠性这三组价值主张与常规光伏(PV)电池板进行比较,灵活性和便携性也是要考虑的重要因素。因此研究人员确定了三个高价值市场:

1.航空航天和无人驾驶飞行器(UAV),这个市场的关键参与者是III-V PV,效率很高,但昂贵。

2.便携式充电,轻便和高电量与成本之间找到平衡可以使很多人受益。

3.地面交通,PV必须使用较小的面板并且足够柔韧以符合屋顶的轮廓。

9   2018-11-24 17:32:27.537 中国的InnoScience订购Aixtron AIX G5 + C MOCVD系统,用于制造650V GaN-on-Si器件 (点击量:1)

德国的Herzogenrath沉积设备制造商Aixtron SE将向中国的InnoScience Technology Co Ltd提供多个AIX G5 + C MOCVD系统,用于开发氮化镓(GaN)功率器件。在高频率下具有高性能的Aixtron集群工具都将采用5x200mm晶圆配置,并将于2019年第二季度发货。

与传统的硅基功率芯片相比,GaN功率器件具有非常低的传导损耗、开关损耗和断态损耗,这是因为其拥有更高的击穿强度,更快的开关速度,更高的导热性和更低的导通电阻。

Aixtron表示AIX G5 + C平台可以展示其在制造方面的优势,因为它可实现外延晶圆的可扩展工艺,紧密均匀性和颗粒控制,以实现最高产量和最大吞吐量,并且成本低。

InnoScience首席执行官Jay Son表示:“我们选择了AIX G5 + C,因为它具行星级反应堆概念的卓越性能,新收购的系统将使我们能够提高我们的高端产品的制造能力。”

10   2018-11-24 17:28:18.33 Plextek RFI为Astro Digital设计功率放大器模块 (点击量:1)

英国剑桥的Plextek RFI有限公司表示,其已为加利福尼亚的卫星制造商和太空任务运营商Astro Digital设计并提供了一个微波功率放大器(PA)模块。

该模块采用功率氮化镓(GaN)输出器件和砷化镓(GaAs)驱动电路,将构成推进系统的一部分,该推进系统将被提供给航天运输服务公司,并将于2019年投入太空。

首席执行官Liam Devlin说:“这个设计项目的规范给我们带来了一些重大挑战,模块设计旨在最大限度地提高DC到RF的转换效率,并且需要注重紧凑空间的热性能的管理细节,用于驱动放大器和输出器件的不同封装技术也需要创新的PCB设计方法。”

Astro Digital的Patrick Shannon评论道:“Plextek RFI在高效率固态放大器和跟踪记录方面的经验都很不错,并且掌握太空应用所需半导体器件、电路和封装技术的设计。”

11   2018-11-24 17:26:50.133 Fraunhofer ISE领导的CPVMatch项目重置了光伏组件转换率记录 (点击量:1)

在欧盟资助的CPVMatch项目中,弗劳恩霍夫弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE in Freiburg)的光伏组件的太阳能转换效率创纪录达到41.4%。这是通过优化多结太阳能电池以及电池与模块光学器件之间的相互作用来完成的,包括修改光学元件和使用消色差透镜。CPVMatch项目的重点是更好的开发聚光光伏(CPV)技术的潜力。

高浓度光伏(HCPV)系统具有最高的太阳能转换效率,但在具有正常辐照度的区域资源使用率较低。在HCPV模块中,III-V族化合物半导体多结太阳能电池包括多个彼此堆叠的薄子电池,以更有效地转换太阳辐照度,模块安装在双轴跟踪系统上,该系统在白天沿着太阳的路径行进工作。

Gerald Siefer博士说:“我们已经解决了集中器模块生产中的的挑战,即从材料到电池制造和生产系统,再到模块制造。”

12   2018-11-23 17:16:44.967 江苏华存发布国内首颗自研嵌入式40nm工规级存储芯片HC5001 (点击量:1)

近年来,随着大数据、云计算、物联网等产业的发展,存储芯片在整个产业链中扮演的角色越来越重要。长期以来,我国存储芯片的使用基本依赖于进口,每年进口额超700亿美金,伴随着国家对于集成电路产业的不断重视与扶持,国产化存储芯片开始逐步崛起。

近日,江苏华存发布了我国第一颗国研国造的嵌入式40纳米工规级别存储控制芯片及应用存储解决方案:HC5001,这意味着我国在中高阶eMMC存储领域有了第一颗“中国芯”,并实现了量产。

据了解,近年来全球的闪存产业在存储市场需求的影响下得到了充分的发展,随着纳米微缩制程的不断提升,存储产品需要持续保持擦写寿命延长,出错概率变低,读写速度变快,稳定性变强离不开兼容的存储控制芯片的强劲表现,其自然成为了存储产业最重要的核“芯”。

从2014年嵌入式存储eMMC装置硬盘的第5.1版规格公布以来,eMMC装置硬盘在2017年已经占据消费型移动存储市场超过90%的规模,全部为美日韩厂商所垄断,江苏华存成功完成了国产率为零的突破,真正意义上地实现了嵌入式存储的国产国造,创下了移动存储中国芯的一个里程碑。

此次发布的主控芯片兼具高兼容性和高稳定度,支持第5.1版内嵌式存储器标淮(eMMC5.1)、支持立体结构闪存材料(3D TLC NAND Flash)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法(FTL)、支持高速闪存接口(ONFI3.2/ToggIe2.0)、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC),以及40nm工艺制程满足了高效能低功耗工规级别eMMC嵌入式存储装置需求。

南通“芯”未来风头正劲

当前,技术革命与产业革命的浪潮叠加,全球创新版图正在重构、全球经济结构正在重塑。执这场革命的牛耳者,就能在新一轮发展中赢得先机。

发展新一代信息技术产业,南通风头正劲

南通市出台了《南通市新一代信息技术产业发展行动计划(2018—2025年)》,明确南通新一代信息技术产业发展的总体目标:到2025年,中央创新区建设成为国内外知名的新一代信息技术创新策源地、应用示范地和人才集聚地;建成一核两区六基地新一代信息技术相关创新平台、特色产业园和孵化基地,聚集一批具有较强市场竞争力的骨干企业,培育1000家亿元级、100家十亿级、10家百亿级新一代信息技术产业相关企业;百亿级产业发展基金形成支撑,新一代信息技术带动相关产业规模突破5000亿元。

行动计划指出,将依托重点企业,围绕大数据产业、智能芯片、新一代信息通信、智能装备4大领域发展新一代信息技术核心产业做大做强。

一批像华存这样的行业领军企业正在南通集聚。南通芯片设计、制造、测试、封装及线路板等产业链已蓄势而起,正以其独有的姿态趁势而飞。

未来,南通将进一步结合自身产业基础和发展优势,在芯片设计等高端领域持续发力,推动集成电路产业迈向更高层次。南通“芯”未来,佳绩可期。

13   2018-11-23 17:15:01.35 紫光同芯微电子自主研发的安全芯片产品通过了中国联通eSIM管理平台测试 (点击量:1)

近期,紫光国微旗下紫光同芯微电子自主研发的安全芯片产品通过了中国联通eSIM管理平台测试,符合GSMA协会发布的eSIM规格,可直接嵌入eSIM终端设备使用。这意味着,公司已经具备中国联通eSIM发卡能力,紫光芯成为国内首款,也是迄今唯一一款通过该项测试的中国芯。

伴随着物联网和NB-IOT技术的崛起,eSIM在未来移动通信业务中将扮演越来越重要的角色,承担起鉴权、加密、传输等多种功能,涉及到用户的信息安全问题,备受产业链各企业重视。作为国内物联网eSIM产业的重要成员,紫光同芯微电子早在今年4月就加入了中国联通发起的eSIM产业合作,积极推进eSIM技术的研发,并推出多款高性能安全芯片产品。

通过本次联通测试的安全芯片产品延续紫光芯一贯优势,拥有高安全、高可靠、大容量等性能,能够节省更多终端空间、适应更复杂的外部环境、维持更长使用寿命和数据保存周期,非常契合eSIM对安全性、稳定性的极高要求;同时,产品支持“一号多终端”的新业务形态,即可实现用户手机、电子手表、平板等多个智能终端同时在线共享一个号码和套餐进行通讯,解放了手机对通信的束缚,将加快国内eSIM新技术全面应用的步伐,也将为国产芯片布局全球eSIM“芯”蓝海再添助力。

目前,紫光同芯微电子SIM卡芯片产品已成系列化,应用领域涵盖手机eSE、SWP—SIM、M2M以及eSIM。放眼未来,紫光同芯微电子将继续秉持开放、创新的合作态度,竭诚为合作伙伴提供优良的产品及解决方案,满足电信应用市场的多种不同需求,推动行业向多领域纵深发展,携手业界同仁打造更安全的物联网生态系统。

14   2018-11-23 17:06:11.343 深圳加快发展新兴产业方案出炉 IC产业是重点 (点击量:1)

近日,深圳印发了关于进一步加快发展战略性新兴产业实施方案的通知。方案提出,到2020年,新建50个以上创新载体,培育10家技术引领型的研究机构、组织实施100个以上重大科技产业发展项目。到2025年,战略性新兴产业科技创新水平国际知名,掌握一批前沿引领技术和现代工程技术,力争培育更多世界五百强企业和一大批创新型企业,建成10个以上产业规模超百亿、产业链条完备、产业配套完善的新兴产业集聚区,打造更多千亿级和万亿级优势产业集群。

其中,《方案》提出建设全球领先的电子信息产业基地,包括实施集成电路产业跨越发展工程,完善涵盖设计、封装测试、晶圆制造、产业配套等全产业链,打造集成电路集聚发展高地。

在集成电路方面,深圳将以应用为牵引,依托深圳集成电路设计和集成优势,大力发展物联网、智能终端、汽车电子等领域专业芯片,提升装备材料、先进封装测试等配套服务能力,加快布局第三代半导体产业,构建协同联动的产业生态系统,支撑深圳新一代信息技术产业优化升级。

在人工智能方面,深圳将抢抓人工智能发展先机,加快计算机视听觉、新型人机交互等应用技术产业化,建设全球领先的人工智能产业示范区。

在5G方面,深圳将抢抓第五代移动通信(5G)发展的窗口期,推进核心技术、标准以及关键产品研制,加大应用推广力度,打造5G产业发展引领区。

在物联网方面,深圳将顺应万物互联发展新趋势和新要求,加速构建物联网商用网络,大力推进物联网典型示范应用。

此外,深圳还将加快发展壮大新型显示、智能网联汽车、智能硬件、高端软件等产业,前瞻布局柔性电子、量子信息等前沿高端领域。

15   2018-11-27 18:20:00.68 通过生长模式调整在喷溅AlN/蓝宝石生长高质量氮化铝薄膜 (点击量:1)

近年来,由于AlGaN基深紫外(deep-ultraviolet,DUV)器件在水净化、杀菌、高密度光存储、微弱紫外信号检测等领域的应用,对DUV器件的需求越来越多。由于平面内晶格常数和热膨胀系数与高铝含量的AlGaN外延层相近,所以大块AlN是最理想的衬底。然而,迄今为止,市售的AlN衬底由于尺寸小、成本高和DUV吸收的限制,尚未成为实际应用的合适候选。因此,DUV器件的制造仍然极大地依赖于大规模、低成本和DUV透明性的AlN /蓝宝石模板。然而,众所周知的两步异质外延法通常会产生大量的位错(109-1010 cm-2)和裂纹,这是由于AlN和蓝宝石之间大的晶格和热失配以及Al类物质的低表面迁移。材料的这些缺陷会扩展到AlGaN活性区域,进而严重恶化器件性能。

为了解决这些问题,人们提出了各种策略,如微/纳米级外延横向过生长(epitaxial lateral overgrowth,ELOG)、迁移增强外延(migration-enhanced epitaxy,MEE)和高温退火(high temperature annealing,HTA),以及蓝宝石切割和表面预处理以提升晶体质量。然而,目前蓝宝石上生长的氮化铝薄膜的最低螺纹位错密度(threading dislocation density,TDD)仍然在(3-5)×108cm-2的范围内,远远高于蓝宝石(105-107cm-2)上生长的氮化镓薄膜。另外,多步设计的方法和特殊设计的反应堆也是这些技术实际应用的一大障碍。生长模式修正(growth-mode modification,GMM)技术是近年来被广泛应用的一种简单而有效的方法。该技术的本质是通过改变生长模式来增强位错间的相互作用。首先,通过引入三维(3D)生长有意地创建倾斜于(0001)平面的侧面。然后,当生长模式从3D转变为二维(2D)时,三维岛的侧面得到扩展。由图像力驱动,通过合并和形成半环相互作用,位错倾向于向三维岛的侧面倾斜。这样,TDD可以减小到(1~2)×109 cm - 2。通过引入3D生长,拉伸应力也能得到有效的放松。尽管有这些进展,GMM技术仍有很大的改进空间,以满足位错敏感的DUV器件的需要。

广东半导体工业技术研究院和广州大学以及北京大学的研究人员合作,将GMM技术与溅射氮化铝缓冲液相结合,提出一种获得高质量氮化铝薄膜的方法。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的常规氮化铝缓冲液,制备了氮化铝薄膜。研究发现,在不同氮化铝缓冲层上生长的氮化铝薄膜,其生长模式的演变过程有很大差异。与MOCVD AlN缓冲区相比,溅射AlN缓冲区由更小、更均匀的晶粒组成,具有更好的c轴取向,导致后续生长过程中更好的生长模式改变。因此,溅射AlN缓冲区上生长的AlN薄膜的总TDD显著地降低到4.7×107cm-2的极低值,比MOCVD AlN缓冲区上生长的AlN薄膜的总TDD低81.2%。此外,研究人员详细介绍了生长模式和晶体质量的演化过程以及相应的演化机制。

图1 溅射AlN缓冲液下AlN膜的截面位错分布。

相关研究发表在《Crystal Growth & Design》,2018, 18 (11):6816–6823, DOI: 10.1021/acs.cgd.8b01045,题目:“High-Quality AlN Film Grown on Sputtered AlN/Sapphire via Growth-Mode Modification”。

16   2018-11-27 18:17:21.437 半绝缘GaN中N位碳位置的明确识别 (点击量:2)

碳(C)掺杂是生产电力电子用半绝缘GaN所必需的。尽管GaN中与C相关的缺陷已经研究20多年了,然而到目前为止,碳掺杂GaN的性质,特别是碳掺杂在GaN晶体晶格中的具体位置,还没有被很好地理解。

北京大学和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的研究人员合作,通过实验和理论计算的结合解决了这个长期存在的问题。研究人员利用偏振FTIR和拉曼光谱结合第一性原理阐明了C在GaN中的晶格位置,提供了在半绝缘GaN中取代碳(C)原子占据氮原子(N)位置a −1电荷态的明确证据。

在碳掺杂GaN中观察到766 CM-1和774 CM-1的两个本地震动模式(local vibrational modes,LVMs)。766 CM-1模式被分配到沿C轴振动的非简并A1模式,而774 CM-1模式归因于限制在垂直于c轴的平面中的双简并E模式。两个LVM被识别为源于孤立的局部C3V对称性。

实验数据和计算在LVMS的位置和强度比方面都有显著的一致性。因此,它们提供了第一个明确的证据,证明在半绝缘GaN中,取代C原子以 a −1电荷态占据N位。研究人员相信,这项工作将提供一种通用的方法来识别碳在其它化合物半导体中的晶格,如氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)、氧化锌(ZnO)和氧化镓(Ga2O3)。

图1 (a) 在非偏振、偏振构型中最重的C掺杂GaN薄膜的室温拉曼光谱。插图:LVMS的放大拟合曲线。(b) C3v对称的中心能级示意图和基本偶极跃迁。

相关研究发表在《physical Review Letters》,Published 5 October 2018, 121:145505,DOI: 10.1109/LED.2018.2877717,题目:“Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN”。