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2018年第24期(发布时间: Dec 26, 2018 发布者:沈湘)  下载: 2018年第24期.doc       全选  导出
1   2018-11-30 17:11:11.033 美国商务部工业安全署制定14项关键技术和相关产品的出口管制体系框架 面向公众咨询意见 (点击量:6)

根据2018年国会通过的《出口管制改革法案(Export Control Reform Act)》要求,美国商务部工业安全署(Department of Commerce, Bureau of Industry and Security, BIS)将于当地时间2018年11月19日周一公布拟制定的针对关键技术和相关产品的出口管制体系(export control regime)框架,同时将开始对这些基础技术的出口管制面向公众征询意见。

11月19日消息,继上个月美国宣布将福建晋华纳入《出口管理条例》(Export Administrative Regulation,EAR)下的实体经济清单,今日,美国技术出口管制又出新情况了!

美国商务部工业安全局(Department of Commerce,Bureau of Industry and Security,BIS)出台了一份针对关键新兴和基础技术和相关产品的出口管制框架,直捣AI技术、AI芯片、机器人、量子计算等几项正在蓬勃发展的核心前沿技术。

这意味着,一旦有进一步的管制措施出台,恐将影响英特尔、高通、英伟达、TI等美国半导体代表公司在海外的业务。

其征询意见将于北京时间今日晚间开始,并将于12月19日截止。工业安全局表示,这一举措是为了保证美国在科技、工程和制造领域的领导地位不受影响。

可能影响美国安全的技术类别

这份新的技术出口管理新提案内容相对简洁,清晰罗列了可能会影响美国国家安全的14类新兴和基础技术。目前,美国商务部正就这14类技术向公众征集意见:

1、生物技术

例如:

(1)纳米生物学;

(2)合成生物学;

(3)基因组和基因工程;

(4)神经科学。

2、人工智能(AI)和机器学习技术

例如:

(1)神经网络和深度学习(例如:脑建模、时间序列预测、分类);

(2)进化和遗传计算(例如:遗传算法、遗传算法);

(3)强化学习;

(4)计算机视觉(例如:物体识别、图像理解);

(5)专家系统(例如:决策支持系统,教学系统);

(6)语音和音频处理(例如:语音识别和制作);

(7)自然语言处理(例如:机器翻译);

(8)规划(例如:调度、博弈);

(9)音频和视频处理技术(例如:语音克隆、deepfakes);

(10)AI云技术;

(11)AI芯片组。

3、定位、导航和定时(PNT)技术

4、微处理器技术

例如:

(1)片上系统(SoC);

(2)片上堆栈存储器(Stacked Memory on Chip)。

5、先进计算技术

例如:内存中心逻辑(Memory-centric logic)。

6、数据分析技术

例如:

(1)可视化;

(2)自动分析算法;

(3)上下文感知计算。

7、量子信息和传感技术

例如:

(1)量子计算;

(2)量子加密;

(3)量子传感。

8、物流技术

例如:

(1)移动电力;

(2)建模与仿真;

(3)全资产可见性;

(4)物流配送系统(DBLS)。

9、增材制造

例如:3D打印。

10、机器人

例如:

(1)微型无人机和微型机器人系统;

(2)集群技术;

(3)自动装配机器人;

(4)分子机器人;

(5)机器人编译器;

(6)智能灰尘。

11、脑-机接口

例如:

(1)神经控制接口;

(2)意识-机器接口;

(3)直接神经接口;

(4)脑-机接口。

12、高超音速空气动力学

例如:

(1)飞行控制算法;

(2)推进技术;

(3)热防护系统;

(4)专用材料(用于结构、传感器等)。

13、先进材料

例如:

(1)自适应伪装;

(2)功能性纺织品(例如:先进的纤维和织物技术);

(3)生物材料。

14、先进的监控技术

例如:面纹和声纹技术。

背景: 美国商务部工业安全署(BIS)根据出口行政规定(ExportAdministration Regulations, EAR)对军民两用和较为不敏感的军品出口进行监管,主要甄别涉及国家安全和高技术范畴的出口。该署当前由商务部负责工业与安全的副部长(Under Secretary of Commerce for Industry and Security)领衔。BIS主要通过商务管制清单(Commerce Control List, CCL)对具体出口商品进行监管。CCL包含敏感商品和敏感技术;出口清单上的项目需要预先获得商务部批准。凡是在CCL上拥有出口管制分类编码(Export Control Classification Number, ECCN)且未得到豁免的商品出口均受EAR管制。芯片圈(微信:xinpianquan)

细节: 根据美国商务部文件(15 CFR Part 744 [DocketNo. 180712626–8840–01] RIN 0694–AH61 Review of Controls for Certain Emerging Technologies),目前甄别筛选出的代表性产业类别如下(商务部将在下述产业类别中具体认定是否有对美国国家安全至关重要的新兴技术)。该清单中部分最终认定的产品和技术类别以后可能会被列为针对中国的供应链中禁止相应美国主体出口的项目。从美国公布的清单来看,可谓条条针对中国最新计划发展的高科技产业!芯片圈(微信:xinpianquan)

美国政府认为,技术的出口管制是保护美国敏感技术的重要方式。

美国的军民双用或者不那么敏感的军用技术,由工业安全署根据商业管制清单 (Commerce Control List)等出口管制条例来管理。但上面列出的新兴技术,基本都没有包括在内。

这一次,他们就是要衡量这些新兴技术对国家安全的影响,从中选出哪些技术对国家安全有重要影响,比如能够用在常规武器、情报收集、大规模杀伤性武器或者恐怖主义活动中。 芯片圈(微信:xinpianquan)

总之,任何能让美国在军事上、情报上保持领先地位的技术,都不能放过。

商务部在前期通知中说,审查新兴和基础技术的过程中,会考虑这些技术在国外发展的情况,出口管制可能会对美国这类技术发展产生的影响,以及出口管制在限制这些新兴技术向国外扩散的效力。

征求意见,就是为了给整个过程提供更多的信息。

2   2018-11-30 16:47:15.427 先进半导体和积塔半导体合并 (点击量:2)

停牌数日后的先进半导体今日发布复牌公告。同时,先进半导体还发布了一则《联合公告建议由积塔根据中国公司法第172条按每股先进H股及每股先进非上市外资股1.50港元或每股先进内资股人民币1.33元的注销价以吸收合并先进的方式将先进私有化及先进恢复买卖》。

据此公告内容,积塔董事及先进董事于2018年10月30日联合宣布:积塔与先进订立合并协议。

根据合并协议及合并协议条款及条件的规定:积塔将就每股先进H股、先进内资股及先进非上市外资股分别向持有人支付注销价(以每股先进H股及每股先进非上市外资股1.50港元或每股先进内资股人民币1.33元);此外,先进将由积塔根据中国公司法、其他适用中国法律及先进细则吸收合并。积塔将不会提高上述注销价的金额。

基于上述价格及先进在港交所发行各类股票数量,积塔就先进H股及先进非上市外资股支付对价金额达约17.16亿港元(折合人民币15.23亿元),就先进内资股支付人民币5.19亿元,此次注销三类股票合计金额超过20亿元人民币。

值得注意的是,积塔半导体为华大半导体旗下子公司,华大半导体直接拥有其全部股权且拥有301,523,616股先进内资股,占其总股本约19.65%。不过,在本联合公告日期积塔并未拥有任何先进股份。

与此同时,上海贝岭同时持有约5.78%先进内资股及约2.45%先进H股。而华大半导体拥有上海贝岭约25.47%的股权,为其控股股东。

这份公告的发布,意味着先进与积塔合并完成后,先进将会退市并注销注册,且不再作为独立法律实体存在。此外,此前先进所有资产、负债、业务及员工都将由积塔承继。

半导体是资本密集、技术密集型的行业,而资本投资是市场扩张的主要动力。先进正面临技术及产能的升级,这也是促成本次合并的一大契机。

先进半导体表示:公司目前正迫切需要进行新厂建设,以保证公司在市场的竞争优势。双方合并完成后,各方面同时进行整合,这能够为先进提供资金支援以及其他行业资源。

3   2018-11-30 16:41:05.813 加速度传感器:高铁敏感元器件国货难觅 (点击量:11)

加速度传感器负责对动车组的失稳、车厢舒适度和走行部件健康状态进行检测,广泛应用于轨道交通系统。“要保证动车组高速平稳行驶,首先要由加速度传感器对来自X(轴)、Y(径)和Z(垂)向的应力进行实时监测,并将电信号传输给列车指挥系统。”北京交通大学教授秦勇告诉科技日报记者,加速度敏感器件负责完成电信号的传输,是高端加速度传感器中的核心部件。

科技日报记者在采访中了解到,由于我国传感器产业长期处于产业链中下游,加速度敏感器件进口率达80%以上。

最小长度为头发丝直径的1/50

加速度敏感器件属高端芯片,多采用MEMS工艺制造。

MEMS是一门综合学科,涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、原子、表面等物理学的各分支,乃至化学、生物、医学和仪器等各领域,学科交叉很强,研究难度很大。

“MEMS工艺则是在传统的半导体工艺和材料基础上,利用平面硅加工工艺、体硅加工工艺等微纳米技术,在硅片上制造微型机械敏感器件,并将其与对应电路集成为一个整体的技术。”宁波中车时代传感技术有限公司副总经理吕阳介绍说,相比传统的厘米级机械器件,MEMS器件尺寸非常微小,长度从1毫米到1微米,而一根头发丝的直径大约是50微米。

硅是MEMS的主要材料,其电气性能优良,硅材料的强度、硬度和杨氏模量与铁相当,密度与铝类似,热传导率接近钼和钨。“一块几微米的MEMS传感器芯片,要集成七八种机械配件。”吕阳说。

目前全球拥有整个MEMS产业链的公司基本为美日欧公司,有博世、霍尼韦尔、ST(意法半导体)、索尼、ALLEGRO、AKM、TDK、英飞凌等,全球市场占有率达90%以上。

为保障高铁的故障率仅允许的百万分之一,高可靠性的敏感元器件,是加速度传感器集成商的必然选择。吕阳透露,目前世界最先进的敏感器件为三轴,标准为零点偏置±50mg甚至更小、零点温度误差±1mg/℃、灵敏度温度误差±100ppm/℃、噪声低至30μg/√Hz,且使用寿命基本在10年以上。

相比之下,国内规模最大、专做MEMS的企业美新,目前能形成量产的还是两轴产品,仅能测量X、Y向。MEMS传感器品类众多,以万为单位,且不同MEMS传感器之间参量较多,消费类加速度敏感器件,不能直接应用于高速轨道交通行业,需要进行可靠性优化设计。“这种行业特性,要求企业在前期研发上必须投入巨资。”吕阳说,一般而言,月产1000万只,才能保证MEMS传感器市场盈亏平衡。根据调查,国内绝大多数企业都远低于这一规模。

秦勇认为,起步晚、研发和材料工艺落后、资金和人才严重匮乏,以及产学研脱节等,都是国内MEMS行业发展滞缓的重要因素。

SOI工艺加工等关键技术已突破

高铁产业需要大量传感器,一列8编组动车组需要上千传感器,实时采集与监测车辆状态数据。

到2020年,中国高铁里程将新增5000公里,达3万公里,而且还将提升智能化水平。“这意味着对加速度、角度和温度等传感器的巨大需求。”秦勇表示。

来自中国中车和中国铁建消息,2019年,“复兴号”智能版列车将上线运行,在世界上首次实现时速350公里自动驾驶;而中国铁建电气化局设计研发的高铁供电线材之一,即棘轮智能在线监测装置,在国内首创组装高精度角度传感器、温度传感器和振动监测传感器,其中角度传感器测量精度±0.1°,温度传感器测量精度±0.1℃。

无疑,后续我国轨道交通行业仍需要大量传感器。

“目前国产轨道交通装备传感器尚属二代产品,仍以模拟量传输为主,易受干扰,同时在恶劣条件下发生故障后,尚无法实现自诊断,不具备自愈能力。”秦勇说,MEMS工艺就是要实现信号输出从模拟改为数字,具备自校正、自诊断、自判断和自愈能力。

MEMS加速度传感器国产化替代正紧锣密鼓。

“相关科研院所已突破高精度SOI工艺加工、圆片级可调阻尼封装、低功耗ASIC专用集成电路等关键技术。”吕阳说。

SOI工艺,指在顶层硅和衬底硅之间,引入一层二氧化硅层,起绝缘和隔离作用。基于SOI工艺的MEMS器件具备工艺简单、漏电流小、无闩锁效应、电流驱动能力强等诸多优点。

4   2018-11-30 16:36:52.887 华天科技与合作伙伴成功研制芯硅基扇出型封装技术 良率超 98% (点击量:7)

近日,华天科技(昆山)电子有限公司与江苏微远芯微系统技术有限公司合作开发的毫米波雷达芯片硅基扇出型封装获得成功,产品封装良率大于98%,目前已进入小批量生产阶段。

科技(昆山)公司研发了具有自主知识产权的硅基扇出型封装技术,具有多芯片高密度系统集成,超薄,超小和工艺简洁等突出特点。通过三年的技术研发与产品应用实践,目前在控制芯片、FPGA等多芯片系统集成产品上实现了量产。硅基扇出型封装技术先后获得2017年度中国半导体行业协会新产品新技术奖,集成电路产业联盟首届创新奖等。目前已获批两项国家发明专利授权,并在国际会议上发表多篇论文。

江苏微远芯微系统技术有限公司成立于2015年10月26日,以微波、毫米波为主要技术领域,产品主要包括微波毫米波传感器(微型雷达)芯片、子系统以及以此构建的应用系统。公司具备全面的毫米波单芯片、相关混合信号系统IC及超低功耗模拟系统IC的设计能力。已量产多款毫米波收发机芯片和相应模组。

昆山公司技术负责人于大全博士指出,晶圆级硅基扇出封装技术在多芯片系统集成,5G射频领域以及三维堆叠方面具有技术和成本优势。硅基扇出技术首次在毫米波雷达芯片封装取得成功,说明硅基扇出技术在超高频领域具有广阔应用前景,具有里程碑意义。

江苏微远芯微系统技术有限公司董事长兼CTO田彤博士强调,华天科技(昆山)电子有限公司在短短3个多月时间完成产品封装开发,证明了华天的研发水平和技术能力。未来公司更多的高频毫米波芯片将采用华天硅基扇出技术进行封装,共同助力我国毫米波雷达与传感领域的产业化发展。

5   2018-12-08 18:02:48.243 CEA-Leti扩展了300mm晶圆生产线,为工业合作伙伴开辟了新的研发途径 (点击量:0)

在美国的IEDM 2018上,法国的微纳米技术研发中心CEA-Leti宣布其扩展了300mm硅基晶圆生产线,并为其合作伙伴开辟了新的研发途径。该扩展将允许新的技术模块插入或与工业流程兼容,可在存储器、光子学、电力电子设备和其他高端应用中实现边缘AI(人工智能)和高性能计算(HPC)。

相关应用包括:

存储器:PCRAM,基于氧化物的电阻存储器(OxRAM)和CBRAM

光子学:硅上III-V,集成光子学

电力电子:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

HPC和边缘AI:FD-SOI和衍生物

3D晶圆-晶圆或芯片-晶圆键合,混合键合:与Soitec合作的基板和层传输,用于高级基板。

CEA-Leti首席执行官EmmanuelSabonnadière说:“CEA-Leti的工业合作伙伴现在能够利用先进的设备开发或测试我们的技术及设计,同时受益于研究所的研发专业知识,以实现更高的组件性能。”

6   2018-12-08 18:01:16.123 EVG推出BONDSCALE熔接晶圆键合机,用于“更多摩尔”缩放和前端处理 (点击量:0)

奥地利的EV集团推出了全新的BONDSCALE自动化生产融合系统,专为各种融合/分子晶圆键合应用设计,包括工程衬底制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。BONDSCALE是一种大批量生产系统,用于前端应用所需的熔接/直接晶圆键合。采用了EVG的LowTemp等离子激活技术,它将熔融粘合的所有必要步骤,包括清洁、等离子激活、对准、预粘合和IR检测结合在一个单一平台中,该平台适用于各种熔融/分子晶圆粘合应用。

该公司表示,BONDSCALE将晶圆键合引入前端半导体处理,并有助于解决国际设备和系统路线图(IRDS)中确定的“更多摩尔”逻辑器件扩展的问题。 BONDSCALE采用增强型边缘对齐技术,与现有的熔接平台相比,可以显着提高晶圆键合生产率和降低拥有成本(CoO)。

7   2018-12-08 18:00:01.947 Leti和Silvaco将为使用纳米线和纳米片技术的电路设计开发全功能门控SPICE紧凑模型 (点击量:0)

在美国举行的IEEE第64届国际电子器件会议(IEDM 2018)上,法国的微纳米技术研发中心CEA-Leti和美国的Silvaco公司宣布了一项为期三年的项目,即为使用纳米线和纳米片技术的电路设计创建统一的SPICE紧凑模型。

新的物理紧凑模型Leti-NSP建立在Leti 15年模型开发的基础上,包括用于FD-SOI技术的Leti-UTSOI模型。Leti-NSP紧凑模型使用一种新颖的方法来计算表面电位,包括量子限制。SmartSpice(SPICE仿真器)可为设计人员提供新的器件模型,相应的模型参数提取将在Silvaco数据库驱动环境Utmost IV中实施,以确保模拟和测量器件特性之间的精确匹配。除了精确的器件表征和仿真外,还包括TCAD(技术计算机辅助设计)仿真和3D寄生参数提取。

Silvaco表示,其与原子级TCAD研究机构的合作将为纳米技术提供精确的设计技术协同优化(DTCO)方案。

8   2018-12-07 18:42:27.393 2020年我国人工智能相关产业规模将达1万亿元 (点击量:2)

2020年我国人工智能相关产业规模将达1万亿元

出自:新民晚报

“品牌上海·智造浦江”第四届“智造浦江”机器人+人工智能产业高峰论坛昨天举行。来自机器人和人工智能领域的专家、学者、企业家等,共同探讨了机器人与人工智能的过去、现在与未来以及机遇与挑战等热点问题。论坛由上海市临港国际人工智能产业研究院、COCOSPACE(可可空间)及上海科技金融产业集聚区管委会联合主办。

上海临港国际人工智能产业研究院副院长李笙凯就《2018年度人工智能产业格局及创新实践研究报告》做了解读。从这份研究报告可看出,全球人工智能产业正在快速发展之中,机遇与挑战并存;到2020年,我国人工智能核心产业规模将超过1500亿元人民币,带动相关产业规模达1万亿元。到2025年,人工智能核心产业规模将超过4000亿元,带动相关产业规模达5万亿元。到2030年,产业规模将超过1万亿元,带动相关产业规模达10万亿元。

论坛上同时发布了“ai index”- 2018年度人工智能创新实践领军企业和领军人物榜单。“ai index”旨在发掘优秀的人工智能行业的从业企业及个人,同时追踪人工智能的活动和进展,进一步促进人工智能行业的快速发展。

在主题演讲环节,来自瑞士洛桑联邦理工学院的专家发表了《机器学习策略在提升下肢外骨骼肌机器人控制方面的发展与前景》,认为医院康复科可以使用外骨骼机器人来辅助病人康复,但我们还需要通过更有效的机器学习,使未来的机器人设计更好并被市场接受。美国斯坦福大学客座教授、清影医疗创始人邹昊分享了人工智能与未来医院的搭建之道。蚂蚁AI金融智能信息化解决方案负责人李浩楠提出,信息服务的智能化可助力企业数据化风控,追踪企业发展进程,降低企业运作风险。思岚科技创始人兼CEO陈士凯则认为,我们所有的吃穿住行都离不开场景的包围,为场景打造符合应用需求的机器人自主定位导航系统至关重要。

9   2018-12-07 18:40:26.57 英伟达发布高端产品“霸王龙”Titan RTX 售2500美元 (点击量:0)

据国外媒体报道,图形图像芯片制造商英伟达正式发布了它的高端GPU:Titan RTX。

据了解,这款产品拥有72颗Turing RT核心和4608?颗CUDA核心,相比之下RTX 2080 Ti拥有68颗Turing RT核心和4352颗CUDA核心。作为Titan V compute GPU系列中的产品,Titan RTX还配置高达24GB的GDDR6 VRAM,售价2500美元,是RTX 2080 Ti的两倍多。

Titan RTX的目标客群是人工智能研究人员、工作站用户和财力雄厚的游戏玩家。其与RTX 2080 Ti非常相似,只是内存要大得多。它还采用了TU102 GPU,与英伟达专门为工作站打造的Quadro RTX 6000非常相似,而后者售价高达6300美元。两款产品的CUDA数、Tensor数和RT内核数量相同,GDDR6 VRAM也同样为24GB。

如果Titan RTX还不能满足用户需求,英伟达还推出了售价80美元的Titan RTX NVLink桥(下面),让用户将两个Titan RTX连接,使得VRAM达到两倍,总带宽达到100 GB/s。

作为GTX系列产品的最后一代,英伟达消费级显卡Titan XP售价已经达到1200美元。但自推出Titan V产品以来,公司已经开始逐步转移策略,因此Titan RTX更多是针对人工智能研究人员和其他可能想利用张量核心的用户需求,提供实时光线追踪图形。更大的内存还将使科学家能够运行比RTX 2080 Ti的11GB内存更大的模拟。

考虑到Titan RTX与Quadro RTX 6000配置相近,其也可能是3D动画、图形动画以及视频编辑的合适应用。Titan RTX的售价不到Quadro RTX 6000的一半,除了图形驱动程序和OpenGL(很少有应用程序会使用),也能够提供与Quadro RTX 6000类似的性能。

尽管如此,Titan RTX运行游戏的速度应该比RTX 2080 Ti好10%到20%。与售价3,000美元、采用昂贵HBM2内存的Titan V不同,Titan RTX与其他面向游戏的RTX显卡非常相似。因此,这Titan RTX可能会被某些高端玩家购买,因为1200美元的RTX 2080 Ti根本无法满足这些玩家的需求。

10   2018-12-02 18:39:41.2 采用高端液晶显示器和窄像素间距LED直视数字标牌驱动的迷你LED应用 (点击量:0)

2017年初出现了一个新术语:迷你LED。迷你LED弥合了传统LED和微LED之间的技术和应用差距。并且迷你LED芯片只是按比例缩小的传统LED,可以在现有晶圆厂生产,无需额外投资。

Yole的新报告提供了两种主要显示应用中迷你LED技术的分析:高性能液晶显示器(LCD)和窄像素间距LED直视数字显示器标牌。在应用方面,迷你LED具有两个优势,即它们在与有机发光二极管(OLED)的竞争中为LCD播放器带来了新的优势,并且它们使LED的采用率提高。

Yole表示,对于直视LED显示器,与板上芯片(COB)架构结合使用的微型LED可以在多种应用中实现窄像素间距LED显示器的更高渗透率,从而扩大可用的市场。该公司预测,模具尺寸将不断向更小尺寸发展,可能降至30-50μm以降低成本。

11   2018-12-02 18:27:50.087 VCSEL在移动3D感应等生物识别应用方面取得了进展 (点击量:1)

光电子元件制造商欧司朗光电半导体有限公司(Osram Opto Semiconductors GmbH)表示,垂直腔面发射激光器(VCSEL)技术可在移动3D感应等生物识别技术中发挥作用,VCSEL技术正在补充解决方案组合,将来会在更广阔的市场中得到应用。

VCSEL技术开辟了新的应用领域。VCSEL将LED的特性与激光的特性相结合。该技术还可用作VCSEL阵列,由数百甚至数千个VCSEL组成,例如具有500个1mm x 1mm孔径的芯片,像普通LED一样粘合。

Osram Opto表示,VCSEL技术是智能手机、无人机和增强现实/虚拟现实(AR / VR)设备等应用的理想选择。面部识别(尤其是消费者设备)和3D感应技术中的应用被视为市场的主要驱动因素。市场研究公司LEDinside预测,全球红外激光投影机移动3D传感市场将从2017年的2.46亿美元增长到2020年的约19.53亿美元。

12   2018-12-02 18:26:39.3 Comtech PST推出6-18 GHz基于GaN的固态功率放大器 (点击量:0)

美国纽约的Comtech PST公司推出了小型模型BME69189-100氮化镓(GaN)固态功率放大器(SSPA),用于替代电子战中的行波管和微波功率模块( EW)、雷达、通信及其他空间冷却和功率受限的应用。

6-18GHz AB线性RF放大器具有很多特点,如超宽带操作、全功率带宽(典型RF功率输出为100W)、低谐波失真、低电压工作(28V或270V DC输入)、软故障和优雅降级、集成的RF功率,还有100W时的增益小于46dB,最大电压驻波比为2:1,直流电源和待机功耗小于30W。

该放大器尺寸为8英寸×7英寸×2.5英寸,重5.5磅,内置过流、过温和高反射电源故障测试器。射频和微波器件的工作温度范围为-40°C至75°C,符合MIL-STD-810F标准,可进行冲击和纤维化。

13   2018-12-02 18:25:51.58 硅上的氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测 (点击量:0)

华南师范大学和北京大学开发了(100)硅上基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属-半导体-金属(MSM)探测器。

研究人员使用自上而下的技术创建水平微丝,用300nm等离子体增强化学气相沉积(PECVD)二氧化硅层制备2英寸高电阻率(100)硅衬底,该二氧化硅层被图案化呈7μm硅间隙隔开的3μm条纹。用300nm AlN绝缘缓冲液的低压(100mbar)金属有机化学气相沉积(MOCVD)然后无意掺杂GaN制备微丝阵列。使导线与两个相隔20μm的图案化镍/金肖特基电极接触。

在2500μW/ cm2 325nm氦镉激光功率下,5.0V偏压,电流为2.71mA。暗电流为1.3μA,灵敏度为2.08×105%。研究人员声称,他们的紫外光电探测器在高紫外线灵敏度,高响应度和高EQE方面表现优于大多数单一GaN纳米/微电子和纳米线阵列光电探测器。

14   2018-12-02 18:19:52.05 GlobalFoundries开始对首个300mm SiGe铸造技术进行客户原型设计 (点击量:1)

美国的GlobalFoundries公司(世界上最大的半导体代工厂之一)表示,其9HP硅锗(SiGe)工艺现可在300mm晶圆制造平台上进行原型设计。

9HP工艺延续了高性能SiGe BiCMOS的技术,可使微波和毫米波频率的极高数据速率大幅增长,可用于下一代无线网络和通信基础设施,如太比特级光网络、5G毫米波无线通信、卫星通信、汽车雷达以及仪器和防御系统。据称该技术具有供卓越的低电流/高频性能,改善异质结双极晶体管(HBT)性能,与之前的SiGe 8XP和8HP相比,最大振荡频率(Fmax)可提高35%至370GHz。

RF业务部门副总裁Christine Dunbar说:“9HP专门设计可具有出色的性能,300毫米制造将满足客户对高速有线和无线组件的需求,这些组件将影响未来的数据通信。”

15   2018-12-08 18:04:10.473 Skyworks推出用于汽车连接的SkyOne Ultra 3.0设备 (点击量:0)

美国的Skyworks Solutions公司推出了下一代SkyOne Ultra 3.0设备,专为高级汽车应用而设计。SkyOne Ultra 3.0在LTE通信的发送和接收路径中集成了关键模拟和RF功能。发射设备采用SkyBlue技术提高效率,包含功率放大器模块、集成双工器(PAMiD)、低噪声放大器(LNA)和天线开关。分集接收(DRx)模块组合LTE接收路径内的必要组件包括LNA、滤波器、天线开关。

完整的蜂窝解决方案包含在小于40mm x 40mm的封装中,这是满足汽车级网络连接设备(NAD)可靠性要求的关键因素。该产品组合超出了LTE CAT 16要求,可扩展至5G新无线电标准,并支持全球所有蜂窝频段。

Skyworks的移动解决方案高级副总裁兼总经理Joel King说:“随着SkyOne Ultra 3.0在汽车领域的应用,Skyworks正在为联网汽车实现高速数据和实时通信的功能。”

16   2018-12-08 18:03:30.113 IGaN和SilTerra演示D-MISHEMT在铸造CMOS工艺中使用200mm GaN-on-Si晶圆 (点击量:1)

新加坡的IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)公司和马来西亚SilTerra.Sdn Bhd宣布了他们最近技术转让合作伙伴关系的结果,证明了在CMOS兼容的制造工艺中,使用200mm GaN-on-Si晶圆的D模式MISHEMT器件的电压为650V。独家合作的成果是建立和转移了无金金属化和CMOS兼容的200mm GaN-on-Si金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)制造工艺。

GaN器件用于高功率密度无线功率传输,支持更高的服务器功率,并且氮化镓技术可以释放无线充电应用的潜力,远远超出手机和笔记本电脑等低功耗应用。

IGaN董事长兼首席执行官Raj Kumar表示:“IGaN提供100-200mm GaN-on-Si外延片和200mm CMOS友好型GaN制造工艺,IGaN和SilTerra共同提供加速器,以促进纯硅和基于化合物的技术转换为GaN-on-Si。与SilTerra的新合作伙伴关系使我们能够在2019年初大规模生产这种强大的新技术。”