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2019年第4期(发布时间: Feb 27, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第4期.doc       全选  导出
1   2019-02-27 09:55:54.267 日本半导体产业落败 专家公布4个失败原因 (点击量:15)

《日本经济新闻》2月22日文章称,日本有句俗语叫“逃掉的鱼都是大的”,意为“失去的总是最好的”,对平成时代(1989年至今)的日本来说,“逃掉的鱼”的代表或许是半导体。美国IC Insights的数据显示,1990年日本半导体企业的全球份额达到49%,但到2017年则降至7%。到了2018年,在美国咨询公司高德纳(Gartner)每年发布的世界前10大半导体企业中,已看不到日本企业的身影。

半导体的重要性无需多言。在平成时代初期,世界市场规模仅为约500亿美元,而2018年则增长至接近10倍的4779亿美元(世界半导体贸易统计组织)。英国《经济学人》杂志表示,“如果数据是21世纪的石油,那么对其进行有效利用的半导体就相当于内燃机”,将半导体定位为数字社会的核心技术。

日本为何会在如此重要的领域遭遇失败呢?笔者采访专家,汇总了4个失败原因。

其一是“组织和战略的不恰当”。日本强有力的半导体企业大部分作为综合电子企业的一个部门而启程。最初作为一种业务孵化机制充分发挥了功能,但随着业务扩大,在需要作出迅速且果断的决断时,这种机制一下子变为枷锁。

资深分析师、如今担任日立制作所外部董事的山本高稔表示,“拥有各种各样业务的综合性企业的经营速度已经行不通。投资决断经常要慢上几步,规模也小,结果在竞争中被甩开”。

尔必达存储器前社长坂本幸雄则将“经营者素质”视为问题。半导体这种逐鹿全球市场的企业需要一把手亲自将“触角”伸向全世界,如有必要就飞赴当地展开直接谈判。这需要相应的人脉和能力,但“令人遗憾的是,这样的人少之又少”。坂本指出管理层的触角不够长,关注焦点偏重于日本企业之间的竞争。

分析师出身的东京理科大学研究生院教授若林秀树提出了“强烈的闭门主义”。美国高通等自身没有工厂的“无厂企业”以知识产权为根本,扩大知识产权的手段是收购初创企业。类似于制药巨头为了获得候选新药而不断收购新创企业。“但日本企业由于畏难情绪等影响,拒绝收购,拘泥于自主技术。这就是日本没有诞生强有力的‘无厂企业’的原因”。

最后是“偏重技术、轻视营销”的弊端。一位曾在东芝任职的人士表示,“自2000年前后起,竞争的规则发生改变”。市场不再是只要通过微细化技术领先就能取胜,与战略性客户齐心协力拓展用途、创造需求的努力变得重要,但日本包括经济产业省在内,对变化比较迟钝。虽然推出一些官民共同的技术开发项目,但未能对“日之丸半导体”的东山再起作出贡献,或许是因为竞争的重心已经并非技术。

这里列举的4个原因并非半导体行业所特有的。如果你所在的产业和企业也符合其中几项,可能就是迈向衰退的信号。

2   2019-02-20 12:00:00.213 中国新建“明星”晶圆厂的最新进展 (点击量:8)

SEMI在今年年初公布的“2018 China Semiconductor Silicon Wafer Outlook”报告中指出,在致力打造一个强大且自给自足半导体供应链的决心驱使下,中国在2017~2020年间计划新建的晶圆厂数量居全球之冠,加上无论中资或外资企业在中国境内皆有新建晶圆代工或内存厂的计划,这就使得中国的整体晶圆厂产能扩张更为迅速。

按照SEMI的报告,预计到2020年,中国大陆晶圆厂装机产能将达到每月400万片(WPM)8英寸晶圆,和2015年的230万片相比,年复合成长率(CAGR)为12%,成长速度远高过所有其他地区。

国内这几年新增的晶圆厂比较多,当中包括Intel、三星这些存储项目,另外还有很多国内的新建工厂或者声称建工厂的,另外去年下半年还爆发了一批第三代半导体产线。为了让大家了解对国内新建晶圆厂的进展有进一步了解,半导体行业观察网站调研了几个国内近年的新建“明星”晶圆厂(本文说的是新成立的与老公司的新厂)的最新进展。

厦门联芯

在2014年,台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立专注晶圆代工的,于福建省厦门市从事集成电路制造,提供12吋晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建,2015年3月26日奠基动工,2016年第4季起进入量产,已可提供 40nm及28nm 的晶圆专工服务,规划月产能为 5 万片 12 吋晶圆,预计总投资金额达62 亿美元。

据半导体行业观察了解,厦门联芯第一期的规划产能是25000片,现在已经做到了20000片的真实产能,主要集中在28nm工艺,40nm和80nm的产品。他们在今年也会扩充到25000片的真实产能。联芯后续还会规划另一个25000片的产能,但不会再往28nm上面走,而是聚焦在一些特色工艺。

台积电(南京)有限公司

2015年年底,台积电宣布,已向台湾“投审会”递件申请赴大陆设立12英寸晶圆厂与设计服务中心,设立地点确定为江苏省南京市。据悉,该厂设在南京市浦口区,投资金额大约在30亿美元,其中包括来自台湾现有晶圆厂的机台设备的价值、以及内地政府在集成电路业上的政策优惠,最终台积电的净投资金额会低于30亿美元。新厂采用16纳米技术,产能规划为2万片,2018年量产,后续产能将会扩到4万片。

2018年11月,台积电正式对外宣布了这南京厂的量产。但据半导体行业观察的了解,他们在对外公布之前,已经在去年5月实现了量产,比计划早了6个月。南京厂将提供12寸、16nm FinFET晶圆代工业务。而台积电刘德音在南京厂量产典礼上表示。南京厂月产能为10,000片,预计今年年底前将提升为15,000片,预计将在2020年Q1达到20,000片的规模。

格芯(成都)集成电路制造有限公司

2017年年初,GlobalFoundries在成都宣布,将在成都设立子公司格芯半导体,计划投资90亿美元建设一条12寸晶圆代工线,FDSOI终于落户中国,至此,全球TOP3晶圆代工厂均在中国布局完成。

据当时报道,格芯12寸晶圆代工厂分两期建设,第一期0.18um和0.13um,技术转移来自GF新加坡,2018底预计产能约2万每月;第二期为重头戏22nm SOI工艺,2018年开始从德国FAB转移,计划2019年投产,预计2019年下半年产能达到约6.5万每月。根据之前报道。GF出设备,占据51%的股份,地方政府出土地和厂房,占49%的股份,双方按股权比例出资。

据去年10月格芯的披露,基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案,以及与潜在客户的商议,将取消对成熟工艺技术(180nm/130nm)的原项目一期投资。同时,将修订项目时间表,以更好地调整产能,满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。

广州粤芯半导体技术有限公司

2017年年底,粤芯半导体技术有限公司在广州开发区中新知识城设立,这是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM) 为营运策略的12英寸芯片厂,也是广州第一条12英寸芯片生产线。

据介绍粤芯半导体项目投资70亿元,新建厂房及配套设施共占地14万平方米。建成达产后,粤芯半导体将实现月产40,000片12英寸晶圆的生产能力,产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等,满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。

据半导体行业观察了解,粤芯的土建已经在去年10月封顶,今年三月设备将要进场,今年Q4将进行小批量量产。公司覆盖了90nm到180nm的工艺,聚焦的产品放在电源管理、电机驱动和单片机、分立器件等方面。按照规划,他们第一期的总产能是四万片/月(投资是100亿人民币)将分为两个阶段完成,今年年底力争做到两万片。公司也预计从2021年开始,投入第二期的建设,主要是以40nm到65nm的模拟芯片为目标。

芯恩集成公司

2018年五月,总投资额约150亿元的国内首个协同式集成电路制造(CIDM)项目——芯恩(青岛)集成电路项目正式开工,此项目正是由中国“半导体之父”张汝京博士及其团队联手打造。

据悉,该项目一、二期总投资约150亿元,其中一期总投资约78亿元,由青岛西海岸新区管委、青岛国际经济合作区管委、青岛澳柯玛控股集团有限公司、芯恩半导体科技有限公司合作设立。项目建成后可以实现8英寸芯片、12英寸芯片、光掩模版等集成电路产品的量产。计划2019年底一期整线投产,2022年满产。

芯恩(青岛)集成电路有限公司董事长张汝京博士表示,CIDM集成电路项目经济、社会效益显著。预计2019年第三季度进行功率器件的生产,2022年满产。

据了解,芯恩将会在今年年底试运行。其中200nm(第一期)的工艺为90-28nm,产能最初规划是每月生产3万片,后续会根据市场的需求逐渐增加到每月6万片。设计方面是0.35-0.11um,预计要生产MEMS/MOSFET/IGBT/RF/Wire less ICPower Device、电源管理IC、嵌入式逻辑IC、MCU (8~32 bit)和模拟IC;300nm(第一期),月产量从最初的3,000片逐渐增加到1万片,根据市场需求,计划增加到月产4万片。第一期的制程预生产MCU(32 ~64 bit)/MPU/CPU/MOSFET/嵌入式逻辑IC。

关于第二期工程,预计要建两栋月生产能力为5万片的Fab,而且是针对14nm以下的细微制程。

中芯国际上海、深圳、天津三条线开工

2016年10月,国内领先晶圆厂中芯国际在上海厂区举行新12寸集成电路生产线厂房奠基仪式。根据他们的介绍,这个新的工厂是应对中芯上海将来成长的需要。这条产线的规划产能是7万片/月,主要集中在14nm及以下工艺的生产。这条产线也已经完成了封顶工作,

在2018年的半年年报上,中芯国际表示,在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。在第三季的财务会议上,中芯国际表示,虽然行业进入季节性调整,但将持续进行先进工艺平台(14nm)的客户导入与验证工作,为未来成长储备力量。上海市长应勇在日前的政府工作报告中披露,将在今年实现集成电路14纳米生产工艺量产。

另外,在深圳方面,中芯国际也规划了一条月产能为四万片/月的12寸产线,聚焦在0.11微米到55纳米这些工艺的生产, 目前还处于建设阶段 ;天津工厂则做了一条月产能为10万片的八寸线,主要瞄准0.35微米到90纳米的工艺。 据半导体行业观察了解,中芯国际的天津新产线马上就要投产了。

华虹半导体(无锡)有限公司

2017年八月初,华虹宏力与无锡市政府及国家集成电路产业投资基金(简称大基金)签订了一份投资协议,三方将在无锡投资建设一座12英寸晶圆厂。据介绍,该工厂采用90-55nm工艺,面向物联网应用芯片领域。华虹无锡300mm生产线一期工程,规划投资25亿美元,按计划将于2019年Q4建成投产,规划至2022年底逐步把起初的月产能1万片增加到4万片。而嵌入式非易失性存储、射频、电源管理芯片及相关IP,将会是首批转移到12寸晶圆上的产品线。 据华虹那边的最新消息透露,无锡一期的生产厂房结构已经全面封顶,并完成了华夫板浇筑。更多消息期待今年更新。

另外,华润微电子在去年11月宣布,将投资约100亿元在重庆西永微电园建设12英寸晶圆生产线,主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品,这也将是国内晶圆厂的另一股势力。

其他还有如英诺赛科、士兰微、北京双仪微电子等一批聚焦在第三半导体生产的产线以及国内的存储产线也在推动中,在未来,这些都会是中国晶圆厂的有生力量。其中更多的信息,我们有待后续更新。

3   2019-02-27 09:26:22.493 南海预计年底建成国内首条大板级扇出型封装示范线 (点击量:1)

近日,广工大数控装备协同创新研究院在众创空间路演厅举行“协同创新,合作共赢”大板级扇出型封装设备及材料交流会,邀请国内外半导体封装行业的优秀企业家,围绕大板级扇出型封装示范线建设需要的设备及材料开展专题交流。这是广东省半导体智能装备和系统集成创新中心落户佛山南海后,首次开展的专题交流会。

据了解,广东省半导体智能装备和系统集成创新中心是佛山市首家省级制造业创新中心,于2018年12月经广东省工业和信息化厅批复启动建设。其重点建设目标是建设大板级扇出型封装示范线,主要围绕半导体封装装备、半导体检测装备、大板扇出封装装备等关键共性技术,开展联合攻关,加快半导体封装装备及材料技术突破,推进半导体产业实现跨越式发展。大板级扇出型封装示范线预计今年年底建成,建成后将是国内首条大板级扇出型封装示范线,预计投资超过6个亿。

“大板扇出是芯片封装低成本的最佳封装方式。”交流会上,国际大板扇出技术国际联合攻关体”发起人及负责人、广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理林挺宇博士向在场的企业家介绍大板级扇出型封装技术的优势。

据林挺宇介绍,大板级扇出型封装技术能够实现半导体封装尺寸从12寸晶圆到600×600mm大板尺寸的跨越,成本大大降低,且该工艺后道直接采用PCB基板装备,减少重复误差,良率大大提高。

广东佛智芯微电子技术研究有限公司作为广东省半导体智能装备和系统集成创新中心的承载单位,将汇聚广东省内外半导体装备龙头企业、科研院所、本地企业应用商,助力创新中心打通产业链上下游,建设以国产装备、材料为核心的大板级扇出型封装示范线。目前,来参加交流会的23家企业中已有6家企业与广东省半导体智能装备和系统集成创新中心达成合作意向。

“佛山市一直在积极打造国家级科技产业创新中心,大板级扇出型封装示范线的建成,可开展工艺及可靠性验证,快速提升国产设备、工艺、材料,能够为佛山的产业提供芯片支持、设备支持,为佛山本地基板制造商参与高端半导体封装装备带来机遇。”广工大数控装备协同创新研究院院长杨海东说,广东省半导体智能装备和系统集成创新中心的落户,将为国内外许多设备及材料供应商在广东推进半导体封装服务和产业技术升级提供合适的平台。

4   2019-02-25 16:42:42.113 SK海力士拟2022年后投资逾1000亿美元,在韩国建四座晶圆厂 (点击量:1)

据路透社报道,全球第二大存储芯片生产商韩国SK海力士周四表示,已提交了投资意向书,计划在韩国建设一个半导体工业区。该公司称,计划在2022年之后的10年里投资120万亿韩元(1066.6亿美元),在首尔以南40公里的龙仁市新工业区建设四座晶圆厂。

但是SK海力士一位发言人表示:“这是一个长期的投资计划,我们的策略可能会根据市场情况而改变。”

5   2019-02-24 21:52:37.59 Tyndall和Arralis签署了40万欧元的协议,以开发可实现大批量制作的mmWave集成和封装技术 (点击量:1)

爱尔兰的Arralis有限公司与廷德尔国家研究所签订了40万欧元的研发协议,为自动驾驶汽车(AV)、卫星通信、5G和雷达成像等应用开发下一代mmWave制造技术。

该项目将廷德尔在厚膜电化学模拟、加工、集成和测试方面专业知识与Arralis的设计能力结合起来,以便更高效的实现mmWave技术的开发,通过新的集成毫米波技术,进一步实现全球互联。

由于数据中心流量的增长,对现有通信网络需求的增加和未来物联网(IoT)应用的需求,包括自动驾驶车辆和卫星通信,新单片微波集成电路(MMIC)的开发被认为是至关重要。

因此需要经济高效、大批量的mmWave制造技术来满足未来的物联网需求。

由于自动驾驶车辆需要对连接车辆进行无阻碍的数据访问,因此Ka和W波段无线通信也很重要。Ka-band具有支持高数据速率、设备连接、数据收集和流量处理能力,比现有技术反应更灵敏,因此预计5G将比4G网络快60倍。

Tyndall高级战略业务发展主管卡洛韦伯斯特认为:“未来汽车将成为车轮上的计算机,并将需要Ka-band mmWave技术来简化和支持汽车与其环境之间的通信协议。Arralis是mmWave设计领域的领导者,与Arralis一起,将加速这一领域和其他领域的创新。”

6   2019-02-22 14:38:44.66 2018年中国IC设计业收入年增23%, 海思领衔 (点击量:2)

根据TrendForce最新研究报告显示,2018年,中国IC设计业的收入已经达到了2515亿元,年增长率为23%。其中,海思,紫光展锐和北京豪威位列前三。

展望2019年,TrendForce认为,中国将继续进行芯片的自给自足,并进一步推进国内IC设计业的增长,预计2019年的收入将为2925亿元。

但是值得注意的是,增长率在2019年将放缓到17.9%,主要是受到消费电子产品需求减弱,全球经济放缓等一系列不利因素影响。

此外,数据显示,2018年中国IC设计公司中,有三家收入超过了10亿美元,有四家的年增长率超过了20%,但是有两家公司出现了两位数的下滑。

具体来看,海思因为华为智能手机销量的增长以及麒麟芯片在智能手机中的占比攀升,年收入增长率接近30%。

格科微由于市场对于CIS的强劲需求以及芯片价格的上涨,收入也实现了39%的增长。兆易创新得益于2018年上半年Nor Flash价格的上涨和MCU业务的增长,年增长率为13%。紫光国芯由于智能安全芯片业务的快速增长,年增长为28%。

而中兴和汇顶则在过去一年中遭遇了两位数的下滑。

其中,中兴因为禁令的负面影响,2018年的收入比2017年下降了20%。汇顶受指纹芯片出货量下降和芯片价格下跌的影响,收入下降了13%。

TrendForce指出,中国的IC设计业在2018年取得了不错的进步,在5G基带芯片和AI芯片领域中也处于领先地位。

比如,海思已经大规模生产世界上第一颗7nm芯片,而百度,华为等公司也都相继为终端应用和云服务推出了新的AI芯片。

但是,目前中国IC芯片的自给率仅为15%。另一方面,此前,中国一直在减少对入门级芯片和低价芯片的以来,但是在高端芯片方面,仍然有较大的改进空间。

展望2019年,TrendForce表示,AI,5G,边缘计算和生物识别等易燃是高科技行业的热门话题,这些应用将会带来行业格局的变化。

中国在上述领域的关键技术方面都处于领先地位,这必将推动中国IC设计业的发展。

其中,对于5G,TrendForce认为,随着5G商业化进程的展开以及新应用场景的出现,对于半导体的需求将会攀升。预计到2021年左右,5G的需求将会增加。

此外,在汽车电子市场,尽管全球整体汽车的销量在下降,但是汽车电气化和智能联网汽车的普及率的提升也会推动半导体的需求。

7   2019-02-25 16:40:41.197 国产化5G芯片用氮化镓材料在芜试制成功 (点击量:3)

芜湖新闻网记者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

据介绍,氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质。成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件和电路的关键材料,特别适合于高频率、大功率、高温和抗辐照电子器件与电路的研制。

西安电子科技大学芜湖研究院依托于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料,目前在国际第三代半导体技术领域处于领先水平,将助力5G通信制造领域的国产化进程。西电芜湖研究院技术总监陈兴表示,研究院目前已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力。下一步他们将尽快将这项技术商用,力争早日推向市场。

8   2019-02-24 21:56:18.453 LayTec推出EpiX模块化晶圆映射站用于化合物半导体研发 (点击量:0)

德国的原位计量系统制造商LayTec AG推出了用于化合物半导体研发的EpiX晶圆测绘站。

该公司指出,目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的III-V激光器正在蓬勃发展,相关材料研究也变得活跃。LayTec已AYTEC已经通过原位计量产品(如EpiTT VCSEL、EpiTT FaceT)来支持这一点,下一个新产品则是EpiX。

第一台EpiX工作站于2018年中期安装在客户现场,结合了白光反射和光致发光(PL)测量,可在宽光谱范围(400-1700nm)内进行全面的2D分析。最多可将四个PL激发波长与可选的人眼安全插件接口相结合,以便用户使用额外激光器。 集成软件将会提供全面的数据分析,包括自动检测垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学参数、单层和多层厚度匹配、薄膜成分和多峰分析的自动检测。

EPIX测图站的基本设计特点是硬件和软件拥有模块化功能和可定制性。 因此,EPIX被设计成一个具有多种升级选项的长期工作平台:更多光学头(晶圆弯曲、反射各向异性、片材电阻、晶圆厚度、光传输)、扩展波长范围、软件接口(例如用于用户拥有的光谱分析库)和使用在晶圆中心外延期间测量的原位数据作为EPI二维映射分析的起点。

9   2019-02-24 21:54:45.93 硅上完全垂直的氮化镓晶体管首次展示 (点击量:1)

瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)宣布首次在硅(Si)上展示完全垂直的氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

与横向器件相比,垂直结构更加紧凑,峰值电场往往发生在半导体内部而不是表面。然而垂直格式通常使用昂贵的块状或独立式GaN衬底,硅的使用显着降低了材料成本,较大直径的基板也可以在大规模生产中节省工艺。

已经在硅上制造了一些准垂直器件,其中触点布置在晶片的正面上,类似于蓝宝石或硅上的GaN LED的供电方式。这导致电流拥挤效应,增加导通电阻。

EPFL器件的GaN层通过MOCVD技术在6英寸(111)硅上生长:1.07μm缓冲层,1μmn-GaN,4μmi-GaN本征漂移层,350nm p -GaN,180nm n-GaN和20nm n + -GaN。

得到的n-p-i-n结构用1.27μm栅极沟槽干法刻蚀和四金属氢氧化铵湿法处理制成,以去除蚀刻损伤。快速热退火激活p-GaN掺杂。Mesa蚀刻至1.35μm的深度电隔离器件。背面处理始于将1000μm厚的基板研磨至500μm。然后将晶片用蜡安装在硅晶片上。Bosch工艺去除器件下的硅,然后干蚀刻电阻GaN缓冲层。欧姆铬/金沉积与n-GaN漏极接触。最后使用丙酮从安装蜡中释放器件晶片。

研究发现,栅极-沟槽蚀刻的蚀刻掩模的取向和材料的改变影响了性能。沿着晶体结构的m面而不是一个平面的对准使电流增加了多达3倍。使用镍掩模而不是二氧化硅,使漏极电流进一步提高1.6倍。与其他GaN-on-Si晶体管相比,镍掩模器件还具有更低的Ron,sp为5mΩ-cm2和BV。

10   2019-02-24 21:49:18.253 硅基单片砷化铟锑化物中红外光电探测器 (点击量:0)

英国兰卡斯特大学和华威大学在硅片上集成了单片砷化铟锑(InAsSb)中红外(MIR)光电探测器。这些器件采用“II型”结构,砷化铝镓化合物电子阻挡势垒夹在n型InAs / InAsSb超晶格(SLs)之间,形成“nBn”能带结构,提供了一个电子屏障和一个空穴屏障。

研究人员发现,3-5μm波长的MIR光谱范围内,硅光子学和热电冷却检测系统具有成本效益。以大面积焦平面阵列和MIR集成光子电路形式的低成本超紧凑系统将在气体传感、防御和医疗诊断中得到应用。

MIR系列中常用的材料是碲化汞镉(HdCdTe)合金。其装置生产成本高,需要低温冷却以减少暗电流。而nBn结构采用位于窄带隙吸收和接触层之间的宽带隙阻挡层,阻挡多数载流子的流动,而不是少数载流子。小偏压几乎完全落在分隔光生载流子的屏障上,这几乎完全消除了窄间隙材料中的电场,这极大地抑制了与结相关的Shockley-Read-Hall (SRH)暗电流,因此与传统的p-i-n光电二极管相比可有更高的工作温度。

材料生长开始于在4°切割的硅(100)晶片上通过490℃固体源分子束外延(SS-MBE)生长的17单层AlSb成核。成核包括优化的90°界面错配位错阵列,以促进缺陷的横向而非垂直传播。 不匹配的间距约为3.35nm。

经测试发现硅上生长的大量InSb探测器和在GaAs上生长的InAs / GaSb SL情况有所改善。这可归因于改善的GaSb / Si缓冲层的结构质量,以及InAs / InAsSb SL nBn设计提供的降低的缺陷灵敏度。

11   2019-02-24 21:45:27.417 Simgui加强与Soitec的合作,将200mm SOI晶圆的生产能力提升一倍 (点击量:0)

法国Soitec公司和上海新傲(Simgui)宣布加强合作,并将Simgui制造工厂的200mm SOI晶圆年产能从18万片增加至36万片,以更好的适应全球市场中对RF-SOI和功率SOI需求的不断增长。

自2014年5月签署许可和技术转让协议以来,Simgui已采用Soitec的专有Smart Cut技术制造200mm SOI晶圆。

两家公司表示,通过密切合作和以大批量交付SOI产品达到了增加产能这一目的。Simgui将专注于SOI晶圆制造,而Soitec将则负责全球产品转售。为满足全球对200mm SOI日益增长的需求,Simgui已提高了其上海生产线的生产能力,这些需求来自移动前端模块(FEM)中使用的RF-SOI以及汽车和消费电子产品中使用的功率SOI。

Soitec的通信与电力业务部执行副总裁Bernard Aspar博士说:“我们非常高兴能够与Simgui建立长期合作关系,以确保我们的客户能够获得200mm的容量,其中RF-SOI是目前4G和5G射频有限元标准,Soitec和Simgui将为市场提供合适的产能和高的产品质量。”

Simgui首席执行官Jeffrey Wang博士说:“通过与Soitec的工业合作,Simgui已经证明了Soitec Smart Cut技术的稳健性和大批量可扩展性,中国拥有晶圆制造和IC行业的巨大市场,我们将继续推动与Soitec的战略合作伙伴关系。”

12   2019-02-20 14:04:47.133 Infinera宣布推出高容量双通道800gb/s 波光传输的第六代无限容量引擎 (点击量:2)

美国加利福尼亚州森尼维尔的Infinera公司是一家垂直集成的数字光网络系统制造商,该公司拥有自己的基于磷化铟(INP)的光子集成电路(PICS),已推出第六代无限容量引擎(ICE6),用于大容量双通道800 gigabits/s(800G)的波光传输。

作为无限网络的一部分,ICE6以Infinera的ICE4和即时带宽为基础,采用每秒1.6terabits/s(1.6t)的光学引擎,为网络运营商提供无缝路径,以满足带宽增长和日益动态、不可预测的流量。

ICE6封装在一个跨平台的数字相干模块中,结合了Infinera的第六代光子集成电路(PIC)及其内部7nm柔性相干数字信号处理器(DSP)技术。ICE6 PIC现已上市,将在美国加利福尼亚州圣地亚哥举行的光网络与通信会议与展览(OFC 2019)上首次展出(3月5日至7日)。flexcoordinate 6 DSP将于2019年第三季度推出,年底前将推出完整的ICE6光学引擎,2020年下半年将推出由ICE6提供动力的平台。

像800G这样的高波特率传输在模块设计中有非常严格的公差。Infinera认为,通过使用革命性的奈奎斯特副载波、深度垂直集成和掌握磷化铟(INP)光子学,它具有独特的位置,能够提供行业领先的800G解决方案。该公司声称,该公司拥有第二代概率星座成形引擎,由7nm技术和一套综合的相干技术工具包提供动力,每根光纤可提供高达45%的最大容量、简化的操作和最低的总拥有成本。

“从历史上看,Infinera在光子集成领域一直处于领先地位,在内部开发解决方案方面处于领先地位,以大量出货的多代相干引擎为例,”市场研究公司Cignal Ai的光网络主管分析师Andrew Schmitt评论道。他补充说:“ICE6应该表现出类似的领导地位,其光学性能水平能够为网络运营商提供更大的容量和覆盖范围。”

创始人兼首席创新官戴夫•韦尔奇博士说:“Infinera继续利用ICE6引领行业创新,提前向市场提供首个连贯的每波800G解决方案。”“与ICE4的推出类似,ICE6将通过提供内部设计的尖端技术来改变市场,使网络运营商能够在优化成本的同时快速响应对容量的永不满足的需求。”

13   2019-02-27 09:59:18.563 北京集成电路发展按下“加速键” (点击量:0)

穿上连体的洁净服、戴上口罩、头套、手套,最后通过风淋除尘间,经过一系列严密的除尘程序,“全副武装”后的郑建品走进约1000平方米的高规格洁净厂房。作为生产运营总监,他正带领员工对一台干式去胶设备进行最后的清洁工作。

“各项工作进展顺利,设备测试已经完成,数据符合规定要求。”郑建品说,待清洁完成后,工人们将对设备进行打包。两天后,这台精密的半导体仪器将从这里出货,交付客户。

落地亦庄的北京屹唐半导体科技有限公司,虽然是区里的“新人”,却迅速扛起半导体设备研发制造的重任,推动开发区集成电路产业加速发展。

目前以中芯国际、北方华创为龙头,屹唐半导体等上下游企业为重要力量,北京亦庄已经形成了集制造、封测、装备、零部件及材料、设计在内的集成电路完备产业链,产业规模占到全市的一半。

说起集成电路,很多人可能感到陌生,事实上,集成电路的应用早已渗透到日常生活的方方面面。从手机等电子设备,到流水线上的工业机器人,都需要集成电路控制。作为重要的战略性产业,我国集成电路产业发展迅猛,但在半导体装备和材料上仍然存在明显的短板。屹唐半导体就是针对产业链上游水平亟待提高的现状而设立。

去年4月,屹唐半导体北京工厂开工建设,一期项目9月中旬建成投产,10月16日,首台产品就正式下线,投产速度极快,当年实现产值530万美元。落成的北京工厂已具备去胶、刻蚀和快速退火等产品本地组装能力,并能够完成设备出厂前的所有测试。 屹唐半导体相关负责人介绍,目前屹唐半导体旗下公司的去胶、退火及毫秒级退火产品在各自细分领域都位于世界前三,主要客户也是全球前列的芯片制造厂商。

就在近日,屹唐半导体拿到了二期项目的土建开工证。二期项目将搭建研发实验室,扩充物流及仓储设施,预计4月底建成投入使用。今年,屹唐半导体北京工厂将生产去胶机、刻蚀机和快速热退火等产品,从零部件开始,实现套件、组件、集成、完整测试的设备制造全过程,力争下半年,全面实现国内订单亦庄制造的目标。

人勤春来早。在开年一派热火朝天的繁忙景象中,北京亦庄也迎来了“开门红”。今年1月,北京亦庄税收同比增长11.95%,登记注册市场主体同比增长44.3%,科技类企业同比增长21.51%,市场主体量质双双增长。2019年,北京亦庄已经立下了“小目标”,规模以上工业总产值预计完成4300亿元,同比增长12%。

14   2019-02-27 09:50:21.597 美国人工智能计划的三大看点 (点击量:4)

美国总统特朗普本月签署一份行政令,启动“美国人工智能倡议”,尽管相比日本、中国、英国和法国等国家,美国的人工智能发展规划姗姗来迟,但“维持美国人工智能领导力”的主题让这一规划与众不同,主要体现出“顶层推动”、“美国领导”和“注重基础”三大特点。

尽管冷战结束以来,美国科技发展以企业引领的“硅谷模式”为主要特色,建立了一套产、学、研合作一体的发展模式,但特朗普政府执政以来,政府在引领科技发展中的角色日益明显,从太空探索到量子技术,到下一代芯片技术,再到人工智能领域。此前,美国人工智能技术的主力军一直是谷歌等企业部门。美国总统技术政策副助理迈克尔·克拉齐奥斯直言,这个倡议的重点就是集中联邦政府的资源来发展人工智能。

盘点一下美国政府的相关举措。去年,白宫成立了“人工智能特别委员会”,成员包括白宫科学和技术政策办公室、国家科学基金会和国防部高级研究项目局等政府机构的官员。美军方科研机构国防部高级研究项目局去年9月宣布,未来5年计划投资20亿美元开发下一代人工智能技术,推动实现机器学习的“第三次浪潮”。

新发布的倡议提出各联邦政府机构在制定2020财年及未来数年的预算时,要将人工智能当作研发投资的首要考虑对象,并在今年就采取行政手段推动人工智能发展。

尽管这个框架性倡议并未说明将具体采用哪些行政手段,但在预算制定方面,对政府部门的要求非常具体。它要求各执行机构的一把手每财年与白宫主管预算和科技政策的办公室沟通,说明将如何实现优先推动人工智能发展,并在预算批准90天内列明具体的人工智能优先项目和预计使用的资金。另外,政府部门还有义务主动寻找与私营部门、学界和非政府组织合作的机会。

这份倡议并非一份单纯的技术路线图。它开宗明义地表示,其目的就是要“确保美国在人工智能领域的领导力”,应对来自“战略竞争者和外国对手”的挑战。美国近年来公布的技术发展计划,无论太空探索,还是量子计算和量子通信,都遵循了“挑战-应对”的模式,明确或未明确地提出旨在遏制战略对手。

美国白宫科技政策办公室在一份声明中说,美国是人工智能技术的早期开发者和国际领导者,但全世界都在人工智能领域加快创新,“我们不能无所作为就自以为能保持领导地位”。

事实上,这份倡议对竞争的强调大于合作。它提出要制定一套行动计划,保护美国在人工智能技术领域的优势,认为这些优势对美国经济和国家安全利益至关重要。

15   2019-02-27 09:58:26.693 爱德万收购Astronics半导体系统测试部门 (点击量:0)

测试设备大厂爱德万(Advantest)21日宣布,日前已完成对AstronicsCorporation商用半导体系统级测试事业部的收购案。

爱德万发布的新闻稿指出,近期半导体产业和测试系统事业营运状况有一些变化,所有交易条件都经过重新议定。
爱德万表示,过去所公布的交易条件收购金额1.85亿美元,外加3000万美元的特定绩效表现所得绩效奖金;新的交易条件包括前期收购金额1亿美元,外加最高3500万美元、依据特定绩效表现所得的绩效奖金。

爱德万指出,系统级测试对大型消费性电子产品制造商来说,越来越关键;Astronics测试系统的业务,具有重要的策略意义,公司对其中长期的发展期望,从未改变。

位于加州尔湾市的Astronics商用半导体系统级测试事业部,现在已是爱德万测试的美国子公司Advantest America, Inc.的全资子公司,并以新成立的实体Advantest Test Solutions, Inc.进行营运。

16   2019-02-27 09:56:53.937 英国斥资上亿英镑 面向全球吸引最优秀的AI人才 (点击量:0)

距离英国正式脱欧最后期限只剩5周,无协议脱欧风险正持续上升。

与一波三折的脱欧进程形成鲜明对比的是,英国在发展人工智能(AI)方面表现出了强大的决心与行动力。当地时间21日,英国商务大臣克拉克(Greg Clark)发布最新声明称,英国将首次在全国范围内,斥资上亿英镑增设人工智能硕士、博士学位,并且推出极具吸引力的阿兰图灵奖学金,面向全球最优秀的AI人才。

英国上议院人工智能特别委员会主席钟斯勋爵(Lord Clement-Jones)此前在接受第一财经记者专访时表示:“政策支持,人才聚集以及不断完善的数字生态系统等因素决定了英国在人工智能领域将长期具有独特优势。此外,英国注重伦理框架的打造,赢得民众的信任,也是人工智能发展的重中之重。”

斥巨资打造多层次AI人才

克拉克和分管数字、文化与媒体的大臣怀特(Jeremy Wright)共同宣布,未来几年,将有数千名毕业生成为AI领域专业人才,这也是去年4月英国政府宣布斥资10亿英镑,投入AI产业后的具体举措之一。当时,英国议会下属的人工智能特别委员会发布长达180页的报告《英国人工智能发展的计划、能力与志向》,报告几乎涵盖了人工智能的方方面面,从其概念、设计、研发和其对工作、生活、医疗等领域的影响以及应对人工智能威胁、塑造人工智能未来等层面进行了探索。

具体来看,此次英国政府针对高等教育不同阶段的学生,以及不同层次的研究人员提供相应的培训和资助,以期在各个领域培养出具备人工智能技术储备的人才。

首先,在科技巨头DeepMind、思科(Cisco)以及埃森哲等公司的资助下,今年9月,英国的大学将新增200个AI硕士学位,该学位的课程由英国编码研究所及计算机协会联手打造,为那些渴望进入AI行业的人员提供快速可行的基本技能,为英国未来各领域AI人才储备打下广泛基础。

“我们希望看到,所有英国大学在研究领域的最新成果,都能够应用到相关产业中,这是我们非常具有竞争力的一点。”钟斯对第一财经记者说道。

在新增硕士学位的同时,包括剑桥大学、爱丁堡大学、伦敦帝国理工学院以及伦敦大学学院在内的16所英国高等学府,将设立专门的英国AI研究与创新博士培训中心(CDT),未来5年将有1000名学生有机会获得这一学位。为此,英国政府将斥资1亿英镑,同时也有来自劳斯莱斯、阿斯利康、英国电信、谷歌、微软以及亚马逊在内的行业合作伙伴提供资金支持。

学金吸引全球顶尖人才

来自英国的阿兰·图灵被誉为计算机之父,他也是人工智能概念雏形的提出者。如今,以其命名的阿兰图灵研究所,也是全球科技人才向往的地方。

此次,英国政府联手阿兰图灵研究所,推出5项面向全球最优秀人工智能研究人员的奖学金计划,涵盖了广泛的人工智能应用领域,包括数学科学、统计科学、计算科学和工程等,以吸引和留住世界各地最顶尖的专业人才。据悉,第一批高达850万英镑的奖学金已经发放。

“人工智能可以为我们经济和生活的良性发展带来不可思议的变化。图灵人工智能奖学金,将是实现英国在人工智能领域雄心勃勃的发展计划,保持全球领导地位,吸引并且留住世界领先的研究人才的关键。”阿兰图灵研究所所长史密斯(Adrian Smith)说道。

近年来,英国政府不遗余力地强化英国在人工智能领域的领先优势。

去年12月,英国科研与创新署(UKRI)还发布了新的人工智能与数据科学资助计划,斥资4800万英镑,拓展人工智能在工程与城市规划,医疗健康,生命科学以及刑事司法等领域的应用。

克拉克表示,为了保持英国在全球人工智能领域始终领先的地位,需要不断有新的研究人员、商业领袖以及创业者出现。他说:“今天宣布的三项学术支持计划,将为未来人才的不断涌现提供基础。”

尝到了AI的甜头

英国政府之所以大手笔强化人工智能领域优势,正是因为已经尝到了AI的甜头,并且看好未来能够带来的实际收益。

英国商务部发布的最新数据显示,过去一年,对英国人工智能领域的外来投资增长了17%,超过了整个欧洲的总和。此外,英国政府预计到2030年,人工智能将为英国经济带来2320亿英镑的额外收入,占到英国GDP的10%左右。到2035年,人工智能甚至可能会使英国的经济总量增加6300亿英镑。

英国TechUK云数据与人工智能主管戴丽在接受第一财经记者采访时表示,快速崛起的人工智能社区、完善的数字生态系统、引领全球人工智能研究方向,及英国高校和政府的大力支持,都使得英国在全球人工智能领域具有绝对优势,也将为英国带来高额的回报。

此外值得注意的是,在发展人工智能技术的同时,英国非常重视AI道德框架的打造。

怀特认为,英国在引领AI发展的道路上,重中之重是要确保人工智能的创新以道德为核心。

英国议会在去年4月发布的人工智能报告中也提到,人工智能应该做到可以被开发者、用户、监管者等理解。在安全攸关的特定场景中,技术透明也是必须的。这些领域的监管者必须强制要求使用更加透明的人工智能系统,为此甚至可以牺牲系统的能力和准确性。