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2018年第1期(发布时间: Nov 9, 2018 发布者:沈湘)  下载: 2018年第1期.doc       全选  导出
1   2018-11-09 16:55:57.947 华为海思恐超越联发科 成亚洲最大芯片设计公司 (点击量:12)

随着华为智能手机销量迈向2亿的目标,旗下的海思半导体也跟着快速成长,得益于此,海思在代工厂台积电中的地位也会升级,预计明年营收规模将超越联发科,成为台积电前三大客户。

来自供应链人士@手机晶片达人的消息称,海思明年在台积电将会超越联发科,成为台积电前三大客户。芯谋研究的顾文军也附和称算上海思在其他晶圆厂的采购量,海思今年很有可能超越联发科成亚洲第一大设计公司。

目前在台积电的客户中,苹果数年来一直排名第一。IC Inights公布的数据显示,苹果芯片业务营收规模在75亿美元左右,大约是台积电四分之一的营收规模。

2018年全年的营收数据尚未公布,不过2017年海思半导体营收为387亿元,是国内第一大芯片设计公司,联发科去年营收2382.2亿新台币,折合535亿人民币,双方的差距还挺大,但是联发科这两年来面临增长困境,今年前三季度合计营收1771亿新台币,折合398亿元。

海思半导体因为不是上市公司,无需对外公布数据,但是今年因为华为智能手机、机顶盒、安防等领域的芯片还在高速增长。华为又今年抢先推出了7nm工艺的麒麟980处理器,是目前仅有的两款7nm处理器。从2017年海思半导体增长27%来看,海丝半导体营收超越联发科是有可能的。

2   2018-11-09 16:53:59.38 青岛芯恩与IC设计公司芯动科技达成战略合作 (点击量:11)

近日,芯动科技有限公司CTO Roger Mao带领团队拜访芯恩(青岛)集成电路有限公司,就充分发挥双方技术资源优势,实现合作共赢展开深入的交流,芯恩董事长,中芯国际创始人张汝京博士率高管层出席会议。

首先,Roger Mao从IP/ASIC设计、一站式Crypto/AI/ISP/Security ASICs平台、加速智能物联网平台开发三个方面介绍了芯动科技,还回忆了12年前公司初创时期他在中芯国际交流的时候得到欧阳博士领导的Design Service团队的大力支持,所以才诞生了芯动科技这么一家中国IP/ASIC设计的领军企业。

张博士对芯动科技的到访表示欢迎,肯定了公司12年来取得的高速发展。同时介绍了芯恩共享共有的CIDM模式:整合芯片设计、芯片工艺技术研发、芯片制造、芯片封装测试、为终端客户提供高品质、高效率的产品,并分享了芯恩的资源整合能力以及后续的量产计划。副总季明华博士、顾问欧阳雄博士、副总肖德元博士分别就双方可以合作的方向提出了建议。

本着促进双方在半导体产业链上下游的产业合作,创造完整的CIDM质量稳定供应链,发挥各自角色及互补优势,取长补短,增强企业核心竞争力的目标,芯恩作为一家新型的CIDM企业,是国家芯片制造行业的希望,芯动科技连续8年是国内IP/ASIC设计的领军企业,愿意大力支持芯恩的发展。双方就共同开发物联网平台、共同开发前沿性产品、工艺移植、流片支持等方面达成共识,结成战略合作伙伴关系。相信通过共同努力,一定能实现双方企业共赢。

3   2018-10-24 18:11:08.987 Integra提供GaN-on-SiC晶体管评估套件,用于验证RF系统的性能 (点击量:8)

美国加利福尼亚州El Segundo的Integra Technologies Inc(ITI)公司(一家可制造高功率RF和微波晶体管和功率放大器模块的公司)正在向设计人员提供GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)评估套件,以便评估高功率放大器的设计技术。

每个套件都是专门定制,包括设计人员选择的晶体管型号(可提供部分或完全匹配的选项),也包括安装和测试的晶体管的测试夹具,以及个备用器件。 Integra技术团队在一些关键条件下测出的完整RF测试结果也可作为参考指南提供。并且“Integra技术的处理和调整GaN-on-SiC HEMT评估套件”可以从Integra的网站下载。

该套件可以免费借用30天,如果需要可以延长或者购买。

4   2018-10-09 15:53:02.743 中国IC设计产业新的里程碑 (点击量:7)

近几年,随着半导体产业的发展,中国的半导体产业逐渐形成了相互依存,相互竞争的局面,大陆的 IC设计 公司会向台湾晶圆厂投片、大陆晶圆厂也会委托台湾封测业者进行IC 封装测试 业务。相反,台湾晶片企业也出于供货的目的,将一些低阶的产品向对岸本土厂商投产。在这种发展形势的驱使下,使得半导体整个产业的供应链环环相扣,联系越来越紧密。

从客观的数据统计来看,两岸的晶圆代工及封测产业的产值与产能在全球市场的占比率已超过7成。但是,对于IC设计这部分来说,中国两岸的IC 设计产值却不足美国产值的一半,这是值得我们深思的问题。

中国IC设计行业迅速崛起

2017 年中国大陆、中国台湾、美国无晶圆厂IC设计公司排名及营收(单位:百万美元)

全球的无晶圆厂IC设计产业的销售额在全球IC设计产业销售额的占比从2007年的18%攀升至2017年的27%,按地区来划分,美国厂商的占比始终是遥遥领先,高达53%。尽管如此,在新加坡公司安华高科技在2016年完成收购美国企业博通之后,美国IC设计产业在全球市占率当即从2010年的69%掉至53%,随后,博通一直强调在美国和新加坡都有总部,但在2018年为收购高通,安华高科技迁移注册更改为美国,所以,如果博通被看成美国IC设计产业企业,那么美国IC设计产业在2017年的全球市场占有率达到69%。

根据市场的调查报告,台湾的IC设计产业的市场在2017年稳居全球第二,但是,不可否认的是,中国在IC设计产业中所扮演的角色已经越来越重要,中国大陆IC设计产业在2017年的产值已超越台湾业者,数据上显示,虽然台湾IC设计产业在销售额部分在全球排名第二,但产值已退居第三位。

今年3月份的数据统计报告中,从2010年起,中国IC设计产业业者的市场占有率处于不断攀升的状态,从2010年5%的全球市场占有率快速攀升至2017年的11%。2009年,中国产业仅有华为海思半导体一家位列在全球前50大的无晶圆厂IC设计公司,但到了2017年,中国产业已从一家发展为十家,十家中国产业包括华为海思半导体、紫光展锐、中兴微电子、华大半导体、南瑞智芯微电子、锐迪科(RDA)、ISSI (矽成)、瑞芯微(Rockchip)、全志(All winner)及澜起科技(Montage)。

5   2018-10-09 14:31:40.543 STMicroelectronic与Leti共同开发GaN-on-Si二极管和晶体管架构来用于功率转换开关器件 (点击量:0)

瑞士日内瓦的STMicroelectronics和法国微纳米技术研发中心CEA-Leti正在合作开发氮化镓硅(GaN-on-Si)技术用于工业化功率开关器件,这将使ST能够解决高效率、高功率方面的高端问题,也包括用于混合动力和电动汽车(HEV / EV)的汽车载充电器、无线充电和服务器技术方面的问题。

此次合作的重点是在200mm晶圆上开发和验证GaN-on-Si二极管和晶体管架构的功率,研究公司IHS Markit预测,从2019年到2024年,这个市场的年复合增长率(CAGR)将以超过20%的速度增长。

STMicroelectronic集团总裁Marco Monti表示“研究宽带隙半导体具有令人难以置信的价值,ST在CEA-Leti的功率GaN-on-Si制造和封装技术方面做出了贡献,这使我们拥有业界最完整的GaN和SiC组合产品,并在此基础之上已证明有能力批量生产高质量、可靠的产品。”

6   2018-09-21 16:58:53.033 中国移动采用高通C-V2X芯片组解决方案 (点击量:0)

中国移动研究院、中国移动全资子公司中移物联网有限公司和高通子公司Qualcomm Technologies近日正式发布了基于Qualcomm 9150C-V2X芯片组解决方案的全新符合3GPP Release 14 LTE-V2X直接通信的路侧单元。由中移物联网和中国移动研究院开发的该全新路侧单元将在9月15至9月18日举行的2018世界物联网博览会A1展馆的中国移动展台展示。通过此次合作,中国移动研究院、中移物联网和Qualcomm Technologies三方进一步拓展了长期战略合作至汽车和交通领域,探索智慧汽车方面的新技术和应用,共同推动中国网联汽车产业的发展和不断成熟。

LTE-V2X,也被称为C-V2X PC5直接通信,是智能交通运输系统(ITS)的核心技术,国家政策层面也在大力支持该技术的发展。LTE-V2X是车对万物(V2X)通信的全球解决方案,拥有强大的5G新空口(5G NR)演进路径,旨在提升汽车安全性、改善自动化驾驶和提升交通效率。它是现今唯一一项遵循全球3GPP规范的V2X通信技术,基于PC5的直连通信模式是指在统一的5.9GHz智能交通系统(ITS)频段上支持车对车(V2V)、车对基础设施(V2I)及车对行人(V2P)通信,无需使用SIM卡、成为蜂窝用户或蜂窝网络协助。通过在汽车及路侧单元中部署LTE-V2X技术,道路上的车辆和路侧单元可以直接进行通信,驾驶员可快速高效地获取相关路侧单元信息,能支持交通信号相位及配时等使用场景。C-V2X目前已获得包括5G汽车联盟(5GAA)在内的全球通信标准协会及汽车生态系统领域的广泛支持。中国移动和Qualcomm Technologies均为5G汽车联盟的董事会成员,该联盟通过众多C-V2X现场演示表明,该技术已为最早于2019年启动商用部署做好准备。

中国移动研究院副院长魏晨光表示:“智能交通系统的发展对通信网络提出了更高的要求,需要具备更低时延,更高可靠,更大带宽的特征。为了应对上述挑战,中国移动研究院致力于LTE-V2X关键技术的研究与产业的推进,与产业各方合作,在标准确立、试验频谱发放、规模技术试验等方面均取得了长足的进展。此次我们联合中移物联网,基于Qualcomm Technologies芯片组解决方案开发的路侧单元,也在无锡LTE-V2X城市级示范应用项目中得到了应用,取得了良好的效果。本着开放合作的心态,我们期待与中移物联网、Qualcomm Technologies,以及其他产业各方继续展开深度合作,充分发挥各方的技术、产业、市场优势,共同构建产业生态,加速技术与产业成熟,促进通信产业与汽车产业的跨产业合作,树立行业深度合作典范。”

中移物联网有限公司总经理乔辉表示:“中移物联网一直致力于发挥在技术、产业、市场方面的优势,依托中国移动公众物联蜂窝网络,打造车联网“云-管-端”整体解决方案。随着4G的更加普及和5G的探索,车联网成为实现万物互联愿景的重要一环。此次携手移动研究院、QualcommTechnologies共同提供路侧单元,也展示了业已成熟的PC5直连通信技术将极大推动C-V2X技术在中国的发展,这对于推动整个车联网行业发展和探索全新商业模式意义重大。”

Qualcomm Technologies, Inc.产品管理副总裁Nakul Duggal表示:“我们很高兴将我们的9150 C-V2X芯片组集成于中移物联网全新的路侧单元之中。与通信行业的领袖如中国移动研究院和中移物联网合作,是Qualcomm Technologies持续扩大生态系统合作以推动LTE-V2X在中国商用落地的又一例证。我们包括C-V2X在内的众多突破性技术和高性能汽车解决方案正在变革整个网联汽车产业的面貌。我们期待携手中国移动研究院、中移物联网和其他领先厂商,进一步加强汽车行业和电信行业的紧密协作,为中国汽车厂商铺平道路,共同打造更安全、更加互联的网联汽车生态。”

7   2018-09-12 11:17:52.167 MACOM将首次展示200G和400G CWDM模块的完整芯片组 (点击量:0)

在中国深圳举办的中国国际光电博览会(CIOE 2018)1A32展位和意大利罗马举行的欧洲光通信会议(ECOC 2018)579展位上,美国的MACOM Technology Solutions Holdings公司声称其首款200G和400G全套芯片组解决方案CWDM光模块可以为云数据中心应用提供服务。可使400G模块的功耗低于4.5W,200G模块的总功耗低于9W。

高性能公司副总裁Gary Shah说:“MACOM致力于引领数据中心从100G发展到200G和400G,这体现在我们能够提供完整的200G芯片组和拥有解决TOSA / ROSA组件方案的能力,并且我们的产品具有市场领先的性能和功效。通过这种解决方案,光模块供应商有望从无缝组件互操技术和统一的团队中受益,体现在设计的简化和成本的降低,并同时可加快产品上市速度。”

8   2018-09-05 11:16:38.427 群创推出AM-miniLED技术 抢占OLED车用市场 (点击量:0)

在2018 Touch Taiwan展会上,群创光电发表业界首款主动矩阵式(Active matrix, AM miniLED,为汽车与电视市场注入新气象。与市场上miniLED设计方式主要采用被动式矩阵(Passive Matrix, PM)方式相比,群创采用的AM-miniLED方法可说是miniLED技术革命,可同时缩小LED之间的间距,并降低整体设计成本。

群创执行副总丁景隆表示,一般小间距的显示屏幕结构简单,电路板正面会镶嵌进多颗LED,而背面就会有许多驱动LED的驱动IC。当LED之间的间距越小,则LED数量就会越多,背后的驱动IC数量也会跟着增加,最后将可能导致背后的驱动IC排不下去,而为了要解决缩小驱动IC,则会延伸出成本问题。

这也意味着,市面上一般看到PM-LED显示屏幕虽然普遍,但却无法在符合成本效益的情况下,持续缩小LED间距提升性能。丁景隆认为,唯一的路就是透过AM-LED的方式,并采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)驱动电路,进而符合成本要求。

丁景隆分析,该公司AM-miniLED的特点除了采用TFT驱动外,其miniLED也是封装好的,可降低后续制程上的难度;此外,该产品亦可实现于软板上,可做为车载应用曲面背光源,取代OLED在车用市场的发展。

丁景隆表示,OLED具有物理上的限制,在高温环境材料会产生劣化,但因现阶段汽车产业一直找不到完美的曲面显示方案,故不得不寻求OLED实现曲面显示的可能性。不过,AM-miniLED的出现,将成为一个新的替代方案,提供车厂曲面显示的最佳选择,预计两年后AM-miniLED在车用市场将大幅成长。

另一方面,在电视市场来看,目前8K领域OLED全球销售不到一成,其关键要素在于成本上的考虑。 丁景隆指出,由于OLED有其技术上的难题有待克服,故需要增加许多研发成本,导致产品价格居高不下,使其商品成本高出LCD电视许多倍。而AM-miniLED的出现,价格刚好位于这两项技术产品的中间位置,不仅具备高分辨率与效能,更可满足成本需求。 他透露,该公司搭载AM-miniLED的电视预计2019年第二季进行商品化。

丁景隆说,群创有信心以AM miniLED发动一场技术革命战争,并借此成为显示技术的王道。他并正式将群创的AM miniLED技术命名为PixinLED,并对OLED、QLED技术下战书。OLED应用在电视上目前是由乐金集团主导,至于后者则是由三星集团主导的技术。

丁景隆指出,LG主打OLED TV,现有OLED产能仅能满足全世界TV总需求的1~2%,要想成为主流,必须极高额的投资,又无把握投资后是否具有竞争力,而且OLED的技术本质违反物理。

至于三星主打QLED TV,商业上转向利用陆厂产能,丁景隆表示,现有的QLED只是一背光技术,冲击力不足以抗衡OLED,画素等级的QLED又极为困难,不易成功。

而台湾地区在LCD、LED以及IC产业上都具有优势,若能妥善加以整合,台厂将有机会以miniLED杀出活路。丁景隆说,群创将发动一场技术革命,并相信此一技术革命,将让参与者都受惠,但群创会是最大的赢家。

9   2018-08-29 16:24:10.327 通过采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层,富士通将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W / mm栅极宽度 (点击量:0)

在波兰华沙举行的III-Nitrides(ISGN-7)国际研讨会上(8月5日至10日),富士通有限公司和富士通实验室宣布称他们已经开发出一种晶体结构,可以增加氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的电流和电压,有效地将微波频段发射器所用晶体管的输出功率提高三倍。

除实现高电流和高电压工作外,富士通于2017年开发了单晶金刚石衬底键合技术,晶体管内的发热可以通过金刚石基板有效散发,实现稳定的操作。当在实际测试中测量具有这种晶体结构的GaN HEMT时,实现了19.9W / mm栅极宽度输出功率(比常规AlGaN / GaN HEMT的输出功率高三倍)。

富士通和富士通实验室未来的目标是将高输出功率,高频GaN HEMT功率放大器商业化,用于雷达系统)和2020财年的5G无线通信系统等应用中。

10   2018-08-29 16:18:08.53 SEMI和电子系统设计联盟成为战略合作伙伴 (点击量:0)

SEMI日前宣布,关于电子系统设计联盟(ESD Alliance)和SEMI的战略合作,已满足所有法律要求。 SEMI和代表半导体设计生态系统的ESD Alliance全面整合预计将于2018年底完成。该整合将扩大ESD Alliance在电子制造供应链中的全球影响力,并加强全球半导体设计端和制造端之间的协作。 作为SEMI的战略合作伙伴,ESD Alliance将保留其自有的管理体系,继续履行其代表和支持半导体设计生态系统公司的使命。作为SEMI的战略合作伙伴,ESD Alliance将通过SEMI遍布于全球的强大资源,帮助组织持续成长和进步。这些全球资源包括七个办事处,展览会和会议,技术社区以及政策倡导、国际标准、环境、健康和安全(EH&S)等领域的活动和市场统计和分析等。 通过整合,SEMI将产品设计部分加入到其已有的电子制造供应链范围,完善了整个半导体生态系统。整合是简化SEMI成员与电子系统设计、知识产权和无晶圆厂社区的协作和联系的关键步骤。ESD Alliance会员能为SEMI的垂直应用平台带来关键洞察力,如智能交通、智能制造和智能数据以及AI和机器学习等应用,战略合作伙伴关系还将加强整个SEMI成员的协作和创新。 SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha说:“ESD Alliance作为SEMI战略合作伙伴的加入是我们在全球电子设计和制造供应链中提高效率以实现更大协作和创新的一个里程碑。这个合作伙伴关系为所有SEMI成员提供了在终端市场应用中加速增长和新商机的机会。我们欢迎ESD Alliance会员加入SEMI大家庭。” “我们的会员公司很高兴能够成为SEMI跨越电子制造供应链的庞大社区的一员。” ESD Alliance执行董事Bob Smith说,“设计和制造之间的全球合作是当今复杂电子产品成功的必要条件。我们在SEMI的新角色将有助于发展和加强设计与制造社区之间的联系。“ 所有ESD Alliance会员公司,包括全球领导者ARM,Cadence,Mentor(a Siemens business)和Synopsys公司,都将加入SEMI全球2000多家公司会员大家庭中,同时保留ESD Alliance在SEMI组织中独特的自治社区。

11   2018-08-29 16:15:46.913 我国发布全球首款可见光通信芯片:有光即可上网 (点击量:0)

“现在我们知道有WI-FI,未来我们还将知道LIFI。以前大家知道光线可以提供照明,但是现在光也可以用来传递信息了,有光就可以上网的梦想实现了!”近日,在首届中国国际智能产业博览会上,在我国研发的全球首款商品级超宽带可见光通信专用芯片组发布会现场,中国工程院院士、可见光芯片主要研制者邬江兴教授如是说。

有光即可上网 比5G快10倍

资料显示,LIFI(Light Fidelity),全称为可见光无线通信,又称光保真技术,是一种新型高速数据传输技术。它利用荧光灯或发光二极管等发出的肉眼看不到的高速明暗闪烁信号来传输信息的,将高速因特网的电线装置连接在照明装置上,插入电源插头即可使用。

" 用可见光通信不仅安全、稳定、快速、高效,而且成本低廉。" 邬江兴表示, 可见光通信技术绿色低碳、可实现近乎零耗能通信,还可有效避免无线电通信电磁信号泄露等弱点,快速构建抗干扰、抗截获的安全信息空间。

据介绍,此次发布的芯片组可支持每秒 G 比特量级的高速传输,全面兼容主流中高速接口协议标准,可为室内及家庭绿色超宽带信息网络、基于虚拟现实功能的家庭智慧服务、高速无线数据传输、水下高速无线信息传送、特殊区域移动通信等领域可见光通信应用提供芯片级的产品。

" 可见光通信是 10GB 超宽带智慧家庭信息网络的核心技术,5G 移动通信将提供最大1个G的通信速率,可见光通信要比它快10倍。" 邬江兴说。

邬江兴指出,可见光通信专用芯片组的成功研发,对于推动可见光通信产业和应用市场规模化发展,突破室内“最后10米”和短距离超宽带无线光互联技术瓶颈,开创集绿色节能、短距超宽带、无缆化光互联为一体的新兴应用方面,具有里程碑式意义。

各国争相研发的制高点

据《2014年欧洲可见光通信组织市场调查报告》预测,可见光通信产业规模将在2022年超过2千亿美元,可见光通信已经成为世界各国争相研发的制高点。而此次我国研发的全球首款商品级超宽带可见光通信专用芯片组的发布,也标志着我国可见光通信产业迈入超宽带专用芯片时代。

2015年,我国科学家创造了可见光通信50Gbps(比特每秒)的实时速率世界纪录。当前,可见光通信技术已成为世界各国竞相角逐的下一代核心通信技术,可为5G移动通信网络室内深度覆盖提供绿色、泛在、廉价的接入手段。

据了解, 这次发布的芯片组由战略支援部队信息工程大学可见光通信技术团队与东莞信大融合创新研究院、天津市滨海新区信息技术创新中心和重庆高新技术产业开发区等军地单位联合研发完成。该芯片组由光电前端芯片和数字基带芯片组成,可支持每秒G比特量级的高速传输,全面兼容主流中高速接口协议标准。

2年内可体验LIFI " 黑科技 "

据科技日报报道称,谈到未来可见光通信会给我们的生活带来怎样的变化?邬江兴说,由于可见光通信不会产生电磁干扰,因此当其应用于飞机等环境之中,乘客在飞机上使用终端设备将变得更加自由;而对于在水下、矿下作业的工人来说,仅靠一束光,就能实现通话和数据传输,相信将会进一步提升工作效率。“可以说,天上、地下都大有用武之地。”

在汽车领域,引入可见光通信技术,将有望加速车联网的进程,并打造更多创新应用。比如当车灯照到了路边的路牌,路牌马上可以给车辆导航仪传输附近的路况,并告知到达目的地最通畅的道路,让用户拥有更好的驾驶体验;再比如当车辆靠近时,主动提示刹车信息,或实现自动刹车等。

可见光通信还有助于构筑智慧生活。借助可见光通信的特性,早上我们起床打开灯,就能通过各种终端设备(电视、平板、手机等),在第一时间了解天气状况、得知最新的出行信息以及国内外重要新闻等;而家庭成员间分享数据信息时,更可实现“秒传”。

只要头顶上有灯光照耀,理论上无论是传输数据信息、上网,还是进行语音、视频通话,亦或是调节物联网设备的开关,均可轻松实现,而且借助超高的传输速率,应用体验远超WiFi和现有网络,而且具有高速率性、无电磁辐射、密度高、成本低、频谱丰富、高保密性。

据了解,重庆市高新技术开发区已先期启动了以可见光通信为核心的智慧家庭网络示范工程,重庆两江新区及郑州市高新技术开发区也将计划开展规模化的智慧家庭与商用楼宇试点应用,2 年内将有 3 万户以上的市民体验到这项 " 黑科技 "。

12   2018-08-20 16:30:01.113 三星:未来将主要生产QLED及Micro LED面板 (点击量:0)

OLED电视目前在高端电视的占比已经超过了5成,现在已经有十几家国内外电视企业选择与LGD结盟,再加上广州的新厂将在明年投产,OLED电视似乎已经开始取得领先优势。三星本来也有意发展OLED电视面板,不过近期情况有点变化,三星表示将采用“双轨”商业策略,主要用来生产QLED及Micro LED面板。 在主流的TFT-LCD领域,中国两大面板生产企业京东方和华星光电实力雄厚,在建或已投产10.5/11代面板生产线,韩国两大面板生产企业只能选择发展新的面板技术。三星电视当年发展OLED面板针对智能手机市场,目前它的中小尺寸OLED面板业务已成为仅次于存储芯片业务第二大利润来源,本来它有意发展电视用OLED面板,不过面对LGD在电视用OLED面板市场占据优势的局面,它选择了发展QLED电视,今年初它又领先其他企业发布全球首款microLED电视。 在色彩显示、黑色纯度、亮度、响应时间等方面,QLED与OLED各有优点,不过OLED电视机更轻、更薄、更节能并提供迄今为止最佳的可视角度,同时LGD已联合更多的电视机厂商,似乎QLED电视技术正逐渐落于下风。不过OLED电视的弱点也非常明显的,那就是寿命较短、容易出现烧屏等问题,而microLED恰恰可以解决OLED技术的弱点。 不过就目前来说microLED面板生产技术还有待改进,其大规模生产还面临困难,而三星电视也不希望microLED面板技术影响它的主要利润来源的中小尺寸OLED面板业务因此先针对饭店、商店、体育场、博物馆等商业用户推Micro LED电视,microLED技术要取代OLED还需要时间。

13   2018-08-20 16:28:11.463 Cadence Palladium Z1企业仿真平台使GUC能够加速SoC设计 (点击量:0)

Cadence设计系统公司(NasDaq:CDNS)今天宣布,全球UNIHIP公司(GUC)采用了Cadence Palux Z1企业仿真平台,在半导体行业,以加速系统芯片(SoC)的设计和驱动创新。通过将钯Z1仿真平台与Cadence XCELLμ进行并行逻辑模拟,使GUC工程师能够应用更复杂的SoC验证测试场景,具有完全调试可见性。

钯Z1仿真平台允许GUC在验证过程中改进硅验证系统,优化硬件和软件集成,以确保可靠性,其编译能力也使得GUC在全芯片仿真模型构建中获得了更多的预布线时间,也有助于GUC工程师快速调试并探索设计变更20X,这在其他设计方案中是不可行的。

全球UnHIPH公司总裁肯晨博士说:“在比较了市场上的替代方案后,选择了Cadence公司的钯Z1企业仿真平台,验证了其在ASIC验证生产率和模型通用性方面的有效性。”

14   2018-08-17 18:44:55.227 将微小的陨石坑爆破成玻璃,创造材料以使电信设备小型化 (点击量:0)

在AIP出版社的应用物理杂志上,利兹大学的研究人员报告了一种玻璃的激光辅助研究,该研究显示了宽带平面波导放大器材料的前景。这种材料是由一种锌,钠和碲制成的玻璃和稀土元素铒掺杂而成。掺铒波导放大器引起了人们的关注,因为铒的电子跃迁发生在1.5微米的相同波长,这是电信技术的标准。

调查人员研究了喷在玻璃上的微小陨石坑的形状和特征,了解到制造过程中产生的凹坑的形态对于控制孔隙率,表面积和材料散射或吸收光的能力等是很重要的。

Mann说:“这些性质对于工程中的其它介电材料具有重要的作用,它们在光催化、传感、燃料和太阳能电池以及光提取中也有着重要的应用。我们研究的下一阶段将涉及更精确的放大器,传感器和其他设备的薄膜和波导工程。”

15   2018-08-17 18:42:40.457 用于增强氮化铟镓LED中的光提取的结构 (点击量:0)

台湾国立成功大学的Yu-Lin Lee和Wen-Chau Liu一直致力于通过使用台面顶面和侧壁的纹理来增强氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)中光的提取,于2018年7月4日在IEEE Transactions on Electron Devices上发表。

特别是,研究人员在顶面上创建了一个微孔阵列,并在侧壁上形成45°锯齿或凸面图案。这些措施的目的是增加光子从结构中逃逸到外部世界的可能性。基于InGaN的器件易于让光在GaN 和空气的界面处反射回器件中。由于GaN和空气之间的折射率差异很大,发生全内反射,从而为光子提供了相对窄的逃逸锥。纹理设计旨在减少全内反射,提高光提取效率。

一种这样的结构与没有微孔阵列或侧壁纹理的参考器件相比,光输出功率,光通量,外量子效率和壁插效率分别增加了20.9%,24.3%,20.5%和21.3%。

16   2018-08-17 18:29:48.147 VisIC宣布9kW GaN半桥无需并联 (点击量:0)

以色列的VisIC技术有限公司宣布推出一款新的水冷式V22N65A-HBEVB半桥评估板,展示使用其GaN开关(先进的低损耗开关)来实现的高功率性能。

评估平台可以在任何半桥拓扑结构中进行操作,并且仅使用单个V22N65A晶体管进行降压和升压拓扑测试,最高功率可达9kW。据说这是市场上第一款基于GaN的解决方案,可提供高达9kW的功率,无需并联,适用于混合动力和电动汽车中的高密度车载充电器(OBC)。

该公司表示,V22N65A All-Switch SMD是一种分立式顶部冷却器件,其采用先进的隔离封装设计,使导热量和开关损耗量处于超低状态,也可最大化的实现每个GaN器件的性能。低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压(5V)相结合,使设计人员能够在多功率范围和高功率应用中安全地采用VisIC GaN开关。

17   2018-08-17 18:26:11.727 OEM半导体设计支出费用达到历史最高水平并突破3000亿美元 (点击量:0)

到今年结束时,世界顶级工业和电子制造商将在半导体上花费超过3000亿美元,这是一个首次超越的门槛,因为七个主要市场对芯片的大量使用和需要,这使芯片的高需求量持续不减。

预计今年服务市场(SAM)的半导体设计支出费用将达到316.8亿美元,这一新纪录将打破去年SAM芯片设计支出费用为296.8亿美元的记录。

昂贵的存储器元件在2017年推广到芯片市场后,其高价格持续到2018年,因此2018年仍将保持大量的设计支出费。去年的繁荣让存储器公司有盈余现金以增加对产能的投资并提升产出,改善NAND和DRAM供应。但随着今年供需形势出现稳定迹象,昂贵的内存芯片可能即将结束。

18   2018-08-02 18:20:47.4 缓变折射率分限异质结构AlGaN纳米线用于紫外线激光二极管 (点击量:0)

AlGaN发光器件是一种很有前途的紫外线光源,以取代现有的紫外气体激光器和含有有毒物质(汞)的紫外线灯。然而,基于AlGaN的紫外发射器的性能是有限的,特别是高功率紫外激光二极管(低于330nm的发射)还没有被报道。此外,紫外激光二极管(>330nm)的阈值工作电压很高,由于注入效率不高,在高串联电阻激光模式下超过25V。

器件性能中的这些限制归因于几个因素,例如存在高密度缺陷(位错)和低效的富Al型AlGaN层的p型掺杂,以及现有器件方案缺乏有效的热耗散通道。因此,迫切需要一种新的设备方案。

AlGaN纳米线被发现是克服这些障碍的有前景的候选材料。与AlGaN外延薄膜层相比,因为与大的表面体积比相关的有效应变弛豫,无缺陷AlGaN纳米线可以直接生长在许多衬底(包括金属)上。金属或金属涂层的硅或蓝宝石衬底可以提供更好的散热通道,用于大电流操作。此外,由于更有效的镁(Mg)掺入和较低的活化能,p型纳米线(Si、Ge、GaN等)被认为具有相对低的电阻率。因此,发展由AlGaN 纳米线制成的紫外光源是一个让人非常感兴趣的研究领域。

近日,由沙特阿拉伯国王阿卜杜拉理工大学(KaSUT)的Haiding Sun, Xiaohang Li, Boon S Ooi等人领导的一个研究团队首次提出了一种新的无位错纳米线结构,其具有缓变折射率分限异质结构(GRANSCH)构型。研究人员在两个成分梯度的AlGaN层中嵌入一个活跃区域,即构成GRANSCH 二极管。

图1 制作的纳米线GRINSCH紫外发射器的3D示意图和GRANSCH和传统的p-i-n二极管的I-V曲线。

广泛的理论和实验工作表明,这种二极管具有优良的电气和光学性能。计算的电子能带图和载流子浓度表明,即使在没有故意掺杂的情况下,梯度AlGaN层中的电子和空穴浓度为1018/cm3的p-n结也能自动形成。与传统的Pi-N二极管相比,在GRANSCH二极管中实现了显著降低的6.5V(减小2.5V)和较小的串联电阻(16.7Ω)(减小了近四倍)。

这种电性能的改善主要归因于引入成分梯度的AlGaN层,由于极化诱导的N和P掺杂增强了电子和空穴的输运性质。此外,还证实了具有较大光学限制的更好的载流子分布(电子和空穴)。因此,研究人员相信GRANSCH二极管可以为开发固态UV光电器件、特别是未来的激光二极管提供一种非常规的途径

低缺陷/位错密度、低导通电压和小的片状电阻以及更好的散热通道是实现高性能III族氮化物基UV和可见光器件的关键先决条件。该研究团队所提出的设备方案具有:

(1)结构无位错;

(2)采用Ti/TaN双金属涂层Si衬底,效率降低;

(3)利用偏振诱导掺杂显著改善I-V特性;

(4)更好的载流子和光学约束(激光结构的关键)。

以前,这样的GRANSCH二极管配置已经成功地实现在常规III-基于VI(例如,GaAs,InP)激光二极管中,通过同时改善载流子注入和垂直光学模式限制。因此,具有GrRSCH结构的紫外激光二极管设计可以利用偏振增强p型掺杂,同时实现更好的载流子和光学模式限制。

19   2018-07-24 15:30:21.597 改善铝氮化镓晶体管沟道性能 (点击量:0)

中国西安电子科技大学发表了氮化铝镓(AlGaN)通道高电子迁移率晶体管(HEMT)的记录结果(Ming Xiao et al,IEEE Electron Device Letters,2018年6月18日在线发表)。改进的性能包括高最大漏极电流,低栅极漏电流,低关断状态漏极电流,高开/关电流比(Ion / Ioff),最大跨导和高电子迁移率。研究人员表示,这些是迄今为止文献中报道的有关AlGaN-channel HEMT 的最佳结果。

该团队评论说:“这些结果不仅极大地降低了AlGaN-channel HEMT与GaN-channel HEMT之间在最大漏极电流,最大跨导和电子迁移率方面的性能差距,而且在栅极漏电流, 断态漏极电流,Ion / Ioff比和击穿电压中表现出更好的性能。”

原则上,与传统的GaN-channel HEMT相比,更宽的AlGaN带隙应该提供更高的击穿电压,这表明了功率转换应用的潜力。

20   2018-07-20 15:11:36.4 半导体量子晶体管为基于光子的计算打开了大门 (点击量:0)

晶体管是微型开关,构成了现代计算的基石,例如:数十亿晶体管在智能手机内部传送电信号。
现在,马里兰大学的A. James Clark工程学院和联合量子研究所(JQI)的研究人员电气和计算机工程教授----JQI研究员和电子与应用物理研究所会员Edo Waks-----已经清除了这个障碍并展示了使用半导体芯片的第一个单光子晶体管,该装置在7月6日出版的《科学》杂志中有所描述。大约一百万的新晶体管可以装在一粒盐里面,它也很快,能够每秒处理100亿个光子量子位。
Waks说他的团队必须在让晶体管工作之前测试器件性能的不同方面。 他表示:“到目前为止,我们拥有制造单个光子晶体管所需的各个元件,但在这里我们将所有步骤合并为一个芯片。”

21   2018-07-01 15:59:17.723 单片磷化铟在硅上生长用于光电子学 (点击量:0)

香港科技大学(HKUST)一直致力于在硅(Si)衬底上直接生长磷化铟(InP)技术,为的是能在低成本平台上实现光电子单片集成。

激光与轴上硅的集成是用于光子集成电路和光纤大规模网络互连的有效的、复杂的互补金属氧化物半导体(CMOS)电子器件,它为当今的通信技术提供了动力。希望单片集成将降低晶圆键合所需的额外处理所产生的成本,并且还允许使用较大直径的基板来实现规模经济。

V型槽Si通过用氢氧化钾溶液透过二氧化硅(SiO2)掩模进行蚀刻而形成。平行条纹以130nm间距制成。制备了具有800°C自然解吸的MOCVD硅表面。

激光二极管的III-V生长于在400℃的沟槽的面上的10nm GaAs浸润层。发现润湿层避免了不均匀性和大的InP簇,这可能对进一步生长和聚结成薄膜有害。

22   2018-06-27 11:31:37.42 KAIST团队在塑料上开发柔性蓝色垂直微型LED的传质 (点击量:1)

韩国科学技术研究院(KAIST)材料科学与工程系的Keon Jae Lee教授开发了一种低成本薄膜蓝色柔性垂直微型LED(f-VLED)生产技术,可以推进微型LED的商业化。

在拉斯维加斯的1月份消费电子展(CES 2018)上,微型LED电视作为取代有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器的候选者而备受瞩目。

微型LED为红,绿,蓝光亚100μm光源,具有出色的光输出,超低功耗,响应速度快,灵活性好等优点。

然而,显示器产业一直在利用数百万个LED像素的个别芯片传输,使得生产成本高。因此,微型LED电视的初始市场预计仅为全球高端市场的十万美元。

Lee说:“这对于未来的微型LED,薄膜转移,高效器件和互连的创新技术是必要的,我们计划在今年年底之前展示智能手表尺寸的全彩微LED显示屏。”

23   2018-06-21 14:10:27.733 让AI个性化而且功耗更低 IBM研发新型神经网络芯片 (点击量:2)

在GPU上运行的神经网络已经在人工智能领域取得了一些惊人的进步,但这两者的合作还并不完美。IBM的研究人员希望能设计出一种专门用于运行神经网络的新的芯片,从而提供更快、更有效的替代方案。

直到本世纪初,研究人员才意识到,为视频游戏设计的GPU(图形处理单元)可以被用作硬件加速器,以运行比以前更大的神经网络。

这要归功于这些芯片能够并行进行大量计算,而不是像传统CPU那样按顺序处理它们。这对于同时计算构成深度学习神经网络的数百个神经元的权重特别有用。

GPU的引入使这一领域得到了发展,但这些芯片仍然需要将处理和存储分开,这意味着大量的时间和精力都花在了两者之间的数据传输上。这促使人们开始研究新的存储技术,这些技术能够存储和处理同一位置的权重数据,从而提高速度和能源效率。

这种新的存储设备通过调整它们的电阻水平,以模拟的形式存储数据——也就是说,数据被存储在一个连续的范围内,而不是数字存储器的二进制1和0。因为信息存储在存储单元的电导中,所以可以简单地在存储单元间传递电压并让系统通过物理方法来进行计算。

但是这些设备固有的物理缺陷意味着它们的行为并不一致,这导致了目前使用它们来训练神经网络的分类精度明显低于使用GPU。

“我们可以在一个比GPU更快的系统上进行训练,但如果训练操作不那么准确,那是没有用的,”领导该项目的IBM Research博士后研究员Stefano Ambrogio在接受Singularity Hub采访时说,“到目前为止,还没有证据表明使用这些新设备能像使用GPU一样精确。”

但研究又有了新的进展。在上周发表在《自然》杂志上的一篇论文中,Ambrogio和他的同事们描述了他们是如何利用新兴的模拟记忆和更传统的电子元件组合来创造出一种芯片,这种芯片可以与GPU的精度相匹配,同时运行速度更快,能耗更少。

这些新的存储技术难以训练深层神经网络的原因是,这个过程需要将每个神经元的权重进行上下数千次的刺激,直到网络完全对齐。改变这些设备的电阻需要重新配置它们的原子结构,而且每次的操作过程都不一样,Ambrogio说。这些刺激并不总是完全相同,这导致了对神经元权重的不精确的调整。

研究人员通过创造“突触单元”来解决这个问题,这些“突触单元”每一个都对应于网络中的单个神经元,同时具有长期和短期记忆。每个单元格由一对相变存储器(PCM)单元和三个晶体管以及一个电容的组合构成,PCM在电阻中存储权重数据,电容将权重数据存储为电荷。

PCM是一种“非易失性存储器”,这意味着即使没有外部电源,它也能保留存储的信息,而电容器是“易失性的”,所以只能在几毫秒内保持它的电荷。但是电容器没有PCM设备的可变性,因此可以快速而准确地编程。

当神经网络对图像进行训练以完成分类任务时,只有电容器的权重会被更新。在浏览到几千张图片后,权重数据会被转移到PCM单元进行长期存储。PCM的可变性意味着,权重数据的转移仍然有可能包含错误,但是由于该单元只是偶尔更新,所以可以在不增加系统复杂性的情况下再次检查电导。Ambrogio说,如果直接在PCM单元上进行训练,这就不可行了。

为了测试他们的设备,研究人员对他们的网络进行了一系列流行图像识别的基准测试,结果达到了与谷歌领先的神经网络软件TensorFlow相当的精确度。但重要的是,他们预测,最终构建出的芯片将比GPU的能效高280倍,而且在每平方毫米面积上实现的算力将达到CPU的100倍。值得注意的是,研究人员还没有完全构建出这一芯片。

虽然在测试中使用了真正的PCM单元,但其它组件是在计算机上模拟的。Ambrogio表示,他们希望在投入时间和精力打造完整的芯片之前,先检查一下这种方法是否可行。他说,他们决定使用真正的PCM设备,因为对这些设备的模拟还不太可靠,但其它组件的模拟技术已经很成熟了,他们有信心基于这个设计建立一个完整的芯片。

它目前也只能在全连接神经网络上与GPU竞争,在这个神经网络中,每个神经元都与上一层的神经元相连接,Ambrogio说。但实际上许多神经网络并没有完全连接,或者只有某些层完全连接在一起。

但Ambrogio说,最终的芯片将被设计成可以与GPU合作的形式,从而在处理其它连接时也能够处理全连接层的计算。他还认为,这种处理全连接层的更有效的方法可以被更广泛地应用。

这样的专用芯片能够使哪些事情成为可能?

Ambrogio说,有两个主要的应用:一是将人工智能应用到个人设备上,二是使数据中心更加高效。后者是大型科技公司的一大担忧,因为它们的服务器消耗了大量的电费。

如果直接在个人设备上应用人工智能,用户就可以不必在云端分享他们的数据,从而增加隐私性,但Ambrogio说,更令人兴奋的前景是人工智能的个性化。

他说:“在你的汽车或智能手机上应用这个神经网络,它们就能够不断地从你的经验中学习。”

“你的手机会专门针对你的声音进行个性化,你的汽车也会根据你的习惯形成独特的驾驶方式。”