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2018年第4期(发布时间: Jul 10, 2018 发布者:郭文姣)  下载: 2018年第4期.doc       全选  导出
1   2018-06-28 14:04:39.02 HfO2封装对以ALD HfO2为后栅介电材料的低密度MoS2晶体管的电性能的影响 (点击量:5)

通过高k栅介质的屏蔽作用,可以大大提高MoS2晶体管的载流子迁移率。在这个工作中,原子层沉积(ALD)HfO2 NH3退火是用来取代二氧化硅作为闸极介电层制造back-gated一些层次化的二硫化钼晶体管,实现和良好的电气性能与场效应迁移率(μ)19.1厘米2与它们的s - 1,阈下摇摆(SS)123.6 mV古老文明和开/关比率为3.76×105。此外,设备性能得到增强的表面涂二硫化钼通道是由ALD HfO2层不同厚度(10年、15年和20海里),在晶体管与15 nm HfO2封装层展品最好的整体电气性能:μ= 42.1厘米2与它们s - 1,党卫军= 87.9 mV古老文明和开/关比率为2.72×106。这些改进应与电荷-杂质散射的增强筛选效应以及高k包封保护环境气体分子不被吸收有关。后栅介电(HfO2)的电容等效厚度仅为6.58 nm,有利于MoS2晶体管的伸缩。

——文章发布于2018年6月14日

2   2018-06-19 21:46:54.42 hBN封装的单MoS2片状场效应晶体管对SiO2和hBN衬底的俘获电荷和迟滞行为的比较 (点击量:1)

基于二硫化钼(MoS2)的场效应晶体管(FETs)在电子和光电应用中具有重要的应用价值,但通常具有较大的滞后和阈值电压不稳定性。在本研究中,采用先进的转移技术,在hBN和SiO2的基体上制备了基于单一的、均匀的、原子薄的MoS2片状六边形氮化硼(hBN)包封FETs。这允许一个更好的和精确的比较之间的电荷陷阱在semiconductor-dielectric接口二硫化钼−二氧化硅和hBN接口。通过将活动的MoS2层封装在两个器件上,可以最大限度地减少环境环境和实体对滞后的影响。通过使用单一的MoS2层来制造这两种器件,也可以消除由不同MoS2层引起的器件变化。消除这些额外因素诱发变异后设备特点,发现被困的测量电荷密度降低到1.9×1011厘米−2 hBN基质相比1.1×1012厘米−2在二氧化矽基板上。进一步研究了hBN衬底的迟滞和稳定阈值电压的降低,以及它们与栅极扫描速率、扫描范围和栅极应力的关系。通过对SiO2和hBN衬底上的封装器件的精确比较,进一步证明了hBN衬底和封装对于提高和稳定MoS2 FETs性能的要求。

——文章发布于2018年6月11日

3   2018-06-12 16:43:29.143 带锯齿形电极的ZnO薄膜晶体管(TFTs)的接触电阻降低 (点击量:0)

本文报道了一种锯齿形电极结构ZnO薄膜晶体管(TFT),它能有效地增加通道宽度。在接触金属/ZnO通道结处,锯齿状电极的接触线几乎是它的两倍长。我们在实验中观察到,与典型形状的ZnO TFT相比,与消耗相同芯片面积的ZnO TFT相比,输出驱动电流增加了50%,接触电阻减少了50%以上。这种性能增强归功于通道宽度的扩展。这种技术有助于提高设备性能,特别是降低接触电阻,这是一个严重的挑战。

——文章发布于2018年6月5日

4   2018-04-24 16:10:45.67 用于晶体管的LaZrO绝缘子的混合簇前体:降低加工温度。 (点击量:193)

解决方案处理三元和multinary非晶态金属氧化物绝缘体在加工温度低于250°C仍然具有挑战性。在此,我们报道了一种混合簇结构的合成,其中金属氧化物核由配体配合,不同的金属元素组成一个核心,是一种有效的三元拉扎绝缘子低温处理策略。Solvothermal治疗160 - 180°C促进集群的发展结构。从集群前体、高性能绝缘LaZrO电影获得在200°C下紫外线的照射。分析数据表明,solvo热处理导致了金属氧化物网络的结构统一,并促进了UV退火过程中残余有机成分的稳定,这两者都有助于提高LaZrO的绝缘性能。加上solution-processed通道,我们已经能够制造LaZrO-based晶体管在200°C。尽管通道材料没有优化,晶体管栅泄漏电流显示低约10 pA的工作电压15 V,106点附近的开/关比,0.37厘米2 V的场效应饱和流动−1−1,0.61 V的阈下摇摆因素10−1。

——文章发布于2018年4月12日

5   2018-04-23 22:38:01.157 通过表面改性对碳点的光致发光的调制:从机理到白光发光二极管。 (点击量:0)

碳点(CDs)由于其独特的光学优势而成为一种新型的荧光材料,如高光致发光量子产量(QYs)、极好的光稳定性、受激性的排放和低毒性。然而,CDs的光致发光机制尚不清楚,这限制了其进一步的实际应用。在这里,cd是通过一个从柠檬酸和尿素的溶剂热路线合成的。通过对原始cd的氧化还原处理,揭示了光致发光的来源及相关机理。我们发现,蓝色/绿色/红色的排放源来自三个不同的发射状态,即内在状态,C=O-和C= n相关的表面状态。根据已制备的cd,研制了一种基于辐射发光检测的pH传感器。此外,我们还构建了CD/PVP (PVP,聚乙烯吡咯烷酮)复合薄膜,其光致发光质量为15.3%。通过简单地改变PVP溶液的量,得到不同相关色温(CCTs)的白光发射,从4807 K到3319 K。受益于白色发光固态电影、单组分白色发光二极管是捏造的平均显色指数的价值(Ra)80.0,10.2 lm W−1的发光效率,和良好的工作稳定性,从而为实际照明指示一个有前途的潜在应用。

——文章发布于2018年4月13日

6   2018-04-09 09:29:10.013 柔性量子点发光二极管用于下一代显示器。 (点击量:0)

在未来的电子产品中,所有设备组件都将通过无线连接,以显示信息输入和/或输出端口。因此,对于下一代消费类电子产品的信息输入/输出,柔性和可穿戴显示器的需求日益增长。在这些下一代显示器的发光器件中,量子点发光二极管(QLEDs)具有独特的优点,如宽色色域、高纯度、高亮度和低电压、超薄的形状因子等。在这里,我们回顾了下一代显示器柔性QLEDs的最新进展。首先,综述了近年来器件结构工程、量子点合成技术和高分辨率全彩色模式技术的最新进展。然后,介绍了基于前沿量子点技术的各种设备应用,包括柔性白色qled、可穿戴式qled和柔性透明qled。最后,我们展示了可穿戴传感器、微控制器和下一代可穿戴电子设备的无线通信单元的柔性qled的集成。

——文章发布于2018年4月05日

7   2018-01-27 11:45:26.997 无金属磁性,自旋相关的塞贝克效应,以及在椅型石墨烯纳米带中的自旋塞贝克二极管效应。 (点击量:0)

不含金属的磁性和自旋的钙离子在凝聚态物理中处于最前沿。本文系统地研究了扶手椅石墨烯纳米带(N- agnrs)的电子结构和热自旋相关传输特性,其中N为带宽度(N = 5-23)。结果表明,间接带隙不仅表现出振荡行为,而且还具有周期性特征,其中E3p > E3p+1 > E3p+2 (E3p, E3p+1, E3p+2为带隙能),为某整数p,增加AGNR宽度。磁性基态为铁磁性(FM),在室温下有居里温度(T C)。此外,由温度梯度产生的自旋和自旋向下的电流几乎是对称的,这表明了完美的自旋依赖的Seebeck效应的出现。此外,通过纳米器件的热驱动自旋流诱导了自旋塞贝克二极管(SSD)效应。我们的计算结果表明,AGNRs可以应用于热自旋纳米器件。

——文章发布于2018年1月17日