扫描微波显微镜（SMM）导纳校准测量规范指南
- 编译时间：2025-09-12
- 来源机构：欧洲计量合作组织
- 编译者：李晓萌
- 点击量：224
纳米尺度电学特性测量技术可评估消费电子、创新量子技术、物联网应用及生命科学研究领域开发的纳米材料性能。局部直流电阻与高频阻抗已成为当今先进器件最关键的特性测量参数。目前，导电探针原子力显微镜（C-AFM）与扫描微波显微镜（SMM）是表征这些特性的两大主流技术，但存在实施成本高、操作复杂且缺乏可溯源性等重大缺陷，导致测量结果可靠性不足。
EMPIR项目20IND12 ELENA旨在率先建立此类测量的可溯源性体系，明确不确定度范围并提升方法的成本效益。
在此项目框架下，瑞士国家计量院（METAS）与法国国家计量实验室（LNE）在林茨大学（JKU）、德国物理技术研究院（PTB）和里尔大学（ULille）的支持下，联合发布《扫描微波显微镜（SMM）导纳校准测量规范指南》，涵盖100nS至100mS的高频导纳测量，适用于工业领域的纳米级测量应用。该指南基于稳健的校准方法、参考样本及简化的不确定度预算。
原文题目：Good practice guide for calibrated admittance measurements using scanning microwave microscopy (SMM)
发布时间：2025-09-10
下载副本：请登录后下载
所属服务：计量基标准与精密测量
上一篇： 制备活度可溯源至国际标准的放射性体模指南 下一篇： 导电探针原子力显微镜（C-AFM）电阻与电流校准测量规范指南
